I类陶瓷电容器按照美国电工协会(EIA)的标准，是C0G(数字0，不是字母O，部分文件笔误COG)或NP0(数字0，不是字母O，部分文件笔误NPO)，以及中国标准CC系列等各类陶瓷介质(温度系数为030ppm/)，极其稳定，温度系数极低，不会出现老化现象和损耗因子。这种介质非常适用于高频(特别是用于工业高频感应加热、高频无线传输等应用的高... 【查看详情】

一般来说，它是一个去耦电容。或者数字电路通断时，对电源影响很大，造成电源波动，需要用电容去耦。通常，容量是芯片开关频率的倒数。如果频率为1MHz，选择1/1M，即1uF。你可以拿一个大一点的。比较好有芯片和去耦电容，电源处应该有，用的量还是蛮大的。在一般设计中，提到通常使用0.1uF和10uF、2.2uF和47uF进行电源去耦。在实际应用... 【查看详情】

在开关电源输出端用的滤波电容，与工频电路中选用的滤波电容并不一样，在工频电路中用作滤波的普通电解电容器，其上的脉动电压频率只有100Hz，充放电时间是毫秒数量级，为获得较小的脉动系数，需要的电容量高达数十万微法，因而一般低频用普通铝电解电容器制造目标是以提高电容量为主，电容器的电容量、损耗角正切值以及漏电流是鉴别其优劣的主要参数。在开关稳... 【查看详情】

根据经验，在电路的总电源原理图中，设计原理图时把这些电容画在一起，因为是同一个网络，而在设计实际PCB时，这些电容分别放在各自的ic上。电容越大，信号频率越高，电容的交流阻抗越小。电源(或信号)或多或少会叠加一些交流高频和低频信号，对系统不利。IC电源的引脚与地之间并联放置电容，一般是为了滤除对系统不利的交流信号。10uf和0.1uf的电... 【查看详情】

纹波电流容差影响电解电容器性能的较重要参数之一是纹波电流。纹波电流对铝电解电容器的影响主要是由于功耗对ESR的影响，使铝电解电容器发热，从而缩短使用寿命。从特性曲线(图2)可以看出，纹波电流对ESR造成的损耗与纹波电流有效值的平方成正比，所以随着纹波电流的增加，小时寿命曲线类似于抛物线函数曲线。降低纹波电流的方法可以采用更大容量的铝电解电... 【查看详情】

当电容器的内部连接性能恶化或失效时，通常会出现开路。电气连接的恶化可能是由腐蚀、振动或机械应力引起的。铝电解电容器在高温或湿热环境下工作时，阳极引出箔可能因电化学腐蚀而断裂。阳极引出箔与阳极箔接触不良也会造成电容器间歇性开路。1)在工作初期，铝电解电容器的电解液在负载工作过程中会不断修复和增厚阳极氧化膜(称为填形效应)，导致电容下降。2)... 【查看详情】

钽电容器成本高。看看我们的淘宝就知道100uF钽电容和100uF陶瓷电容的价格差了。钽电容的价格是陶瓷电容的10倍左右。如果电容要求小于100uF，大多数情况下，如果满足耐压，我们通常需要陶瓷电容。陶瓷电容器的封装大于1206大容量或高耐压时尽量慎重选择。片式陶瓷电容器的主要失效形式是断裂(封装越大越容易失效):片式陶瓷电容器常见的失效形... 【查看详情】

频率特性：电参量随电场频率一起变化的。高频率工作的电容，其介电常数比低频率时小，因此高频电流比低频率时低。频率越高，损耗也越大。此外，在高频率工作时，电容器的分布参数，如极片电阻、导线与极片之间的电阻等，都会对电容的性能产生影响。这一切，使电容器的使用频率受到限制。绝缘电阻：表示漏电流大小。通常，容量较小的电容，绝缘电阻可达数百兆欧姆或数... 【查看详情】

无极性电容体积小，价格低，高频特性好，但它不适合做大容量。像瓷片电容、独石电容、聚乙烯(CBB)电容等都是，瓷片电容一般用在高频滤波、震荡电路中比较多。磁介电容是以陶瓷材料为介子，并在表面烧上银层作为电极的电容器。磁介电容器性能稳定。损耗，漏电都很小，适合于高频高压电路中应用。一般而言，电容两极间的绝缘材料，介电常数大的(如铁电陶瓷，电解... 【查看详情】

电容和体积由于电解电容大多采用卷绕结构，容易扩大体积，所以单位体积的电容很大，比其他电容大几倍到几十倍。然而，大电容的获得是以体积膨胀为代价的。开关电源要求更高的效率和更小的体积。因此，有必要寻找新的解决方案来获得具有大电容和小体积的电容器。一旦有源滤波电路用于开关电源的原边，铝电解电容器的使用环境就变得比以前更加恶劣：(1)高频脉冲电流... 【查看详情】

由于固态电解电容采用导电聚合物作为电极层导体，相对与液态电解液它的导电性能更好，所以对应的ESR（EquivalentSeriesResistance,串联等效电阻）非常小，则对应的电容损耗也小。通常情况下，这个特点并不突出，但在一些大功率高频电路中，对于电源滤波电容则要求ESR越小越好。可以说，高频下，固态电解电容的低ESR是其较大的优... 【查看详情】

陶瓷电容器的分类:陶瓷电容器根据介质的种类主要可以分为两种，即I类陶瓷电容器和II类陶瓷电容器。Ⅰ类陶瓷电容器，原名高频陶瓷电容器，是指由陶瓷介质制成的电容器，具有低介质损耗，高绝缘电阻，介电常数随温度线性变化。特别适用于谐振电路和其它损耗低、电容稳定的电路，或用于温度补偿。Ⅱ类陶瓷电容器过去称为低频陶瓷电容器，是指以铁电陶瓷为电介质的电... 【查看详情】