石墨烯具有优异的导电性和强度等特点，未来可能成为硅的替代品，成为半导体产业新的基础材料。第六元素挂牌新三板，推动了资本与科技的结合，将有助于拓展石墨烯应用领域，加速推进我国石墨烯产业化进程。一秒钟即可充满电的手机、可以折叠成手机大小放在口袋里的平板电脑……随着石墨烯时代的到来，这些科幻片中的产品将走进现实。11月12日，江苏常州第...

第六元素与江苏海力风电设备科技有限公司、江苏道森新材料有限公司签订《石墨烯防腐涂料战略合作框架协议》。根据协议，三方将借力海力风电这一平台，共同研发以石墨烯为主体的烯锌型风电设备防护涂料。海力风电总经理沙德权表示，三方研发的新型涂料的防腐效果是传统防腐涂料的4倍以上。这一合作将逐渐改变现有国内防护涂料产品层次低、创新力不足的劣势，...

随着材料领域的扩张，人们对于材料的功能性需求更为严苛，迫切需要在交通运输、建筑材料、能量存储与转化等领域应用性质更加优良的材料出现，石墨烯以优异的声、光、热、电、力等性质成为各新型材料领域追求的目标，作为前驱体的GO以其灵活的物理化学性质、可规模化制备的特点更成为应用基础研究的热电。虽然GO具有诸多特性，但是由于范德华作用以及π-π作用等...

随着工业的发展，漏油、有机溶剂、染料和重金属对水的污染己成为**严重的环境问题之一，因此必须开发出能够有效吸收和去除水中污染物的新型材料。石墨烯三维气凝胶由于具有高孔隙率、低密度和良好的环境友好性等特点，经常被作为一种高效的可循环吸收材料。（）１１［４（）］等人通过ＧＯ与吡咯溶液的水热反应制备了氮掺杂的三维石墨烯水凝胶，所...

石墨烯宏观体材料的形状可通过改变不同的制备方法、反应基底及反应容器等对其进行调控，但其微观结构的可控性和重复性差。具有相同宏观形貌的石墨烯相关理化性能也不尽相同，甚至相差很大。因此，对于实现宏观体石墨烯材料微观结构的控制是今后研究的一个难点。当前制备石墨烯宏观体材料大部分都是以氧化石墨、氧化石墨烯以及还原氧化石墨烯等石墨烯氧化...

溶剂剥离法的原理是将少量的石墨分散于溶剂中，形成低浓度的分散液，利用超声波的作用破坏石墨层间的范德华力，此时溶剂可以插入石墨层间，进行层层剥离，制备出石墨烯。此方法不会像氧化-还原法那样破坏石墨烯的结构，可以制备高质量的石墨烯。在氮甲基吡咯烷酮中石墨烯的产率比较高(大约为8%)，电导率为6500S/m。研究发现高定向热裂解石墨、热膨胀石墨...

石墨烯是一种由碳原子以sp²杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的二维碳纳米材料。石墨烯是现有材料中厚度**薄、强度比较高、导热性比较好的新型二维材料。石墨烯在智能装备、航空航天、能源储存和环境治理等诸多领域应用潜力巨大，是重要的战略新兴材料。石墨烯具有优异的光学、电学、力学特性，在材料学、微纳加工、能源、生物医学和药物传递等方面具有...

单层石墨烯在室温下的热导率超过５０００Ｗｎｒ１ＩＣ１，因此被作为用于热管理系统中的理想热管理材料。近年来，人们发现取向三维石墨烯网络结构能够为热量传递提供有效路径，因此在散热材料和相变材料领域具有广阔的应用前景。刘忠范院士团队［３９］合成了用作热管理材料的石墨烯气凝胶／十八烷酸相变复合材料，在填充含量为２０ｖｏｌ％...

除了可以将太阳能转换为热能存储之外，石墨烯相变材料也可以将电能转换为热能存储。Ｗａｎｇ［６５］等人通过冰模板法制备了石墨烯纳米片（ＧＮＰ）气凝胶，然后与石蜡复合得到相变复合材料，具有高导热性、较好的形状稳定性和热稳定性，当ＧＮＰ含量为４．１ｗｔ％时热导率可达到１．４２Ｗｍ－１１Ｃ１。此外，当电压为５Ｖ时，流经样品...

智能手机、平板电脑等便携式设备的普及为人们的生活带来了极大的便利。但是，其中的高速处理器等电子组件会产生不良的电磁能量，这不仅会损害电子组件自身的使用寿命、干扰其他组件的功能，还会对人体健康带来危害。石墨烯薄膜具有优异的电学性能及热学性能，被认为是相当有发展前景的超薄电磁屏蔽材料。郑**教授团队［５６］通过蒸发自组装法制备了大面积ＧＯ...

在声学领域，利用石墨烯材料极低的质量密度、极薄的厚度以及极高的机械强度的优异特性，其可作为振膜应用于发声器件中，可获得优异的频谱特性。第六元素研发的石墨烯振膜，经过客户测试，该石墨烯发声器件具有非常好的频谱特性，保真度高。挂脖蓝牙耳机采用的是石墨烯振膜有薄且强韧的特点，精确传递声音又不会过薄变形。其实石墨烯同样也是一种可以用来做振膜的材料...

RGO制备简单、自身具有受还原程度调控的带隙，可以实现超宽谱（从可见至太赫兹波段）探测。氧化石墨烯的还原程度对探测性能有***影响，随着氧化石墨烯还原程度的提高，探测器的响应率可以提高若干倍以上。因此，在CVD石墨烯方案的基础上，研究者开始尝试使用还原氧化石墨烯制备类似结构的光电探测器。对于RGO-Si器件，带间光子跃迁以及界面处的表面电...