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代理分销商WILLSEMI韦尔WH2508F
WPM1481：单P沟道、-12V、-5.1A功率MOSFET 产品描述： WPM1481是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关...
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2024/05 -
中文资料ST先科2SC4672U
1N4748A是一款稳压二极管，具体参数如下：稳定电压（Vznom）：22V。稳定电流（IZT）：11.5mA。动态电阻（rZJT**小）：23Ω。动态电阻（rZJK比较大）：750Ω。反向漏电流（IR）：5μA。此外，1N4748A的功耗为1.0W，具有3....
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2024/05 -
规格书WILLSEMI韦尔SPD81052A
WNM2030是一种N型增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷。这款器件适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2030为无铅产品。小型SOT-723封装。 主要特性： ...
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2024/05 -
规格书WILLSEMI韦尔ESD5305F
WAS3157B是一款高性能的单刀双掷（SPDT）CMOS模拟开关，专为总线切换或音频切换应用设计。它具备高达400MHz的-3dB带宽和低导通电阻（典型值为5.5Ω）。此外，其SEL引脚具有过压保护功能，允许引脚上的电压超过VCC，至高可达7.0...
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2024/05 -
规格书WILLSEMI韦尔WS742904
WL2803E系列是一款极低压差、低静态电流、高电源抑制比（PSRR）的CMOS低压差线性稳压器（LDO）。在500mA负载电流下，其压差电压典型值为130mV。采用CMOS结构，WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA，这使...
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2024/05 -
代理分销商I-CORE中微爱芯C875824
AIP4953是一款双P沟道增强型MOSFET，由中微爱芯生产。其主要应用在笔记本电脑的电源管理、便携式设备以及电池供电系统中。 该器件的主要功能和特点如下： 1.高效的电源管理：AIP4953在笔记本电脑的电源管理中表现出色，通过...
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2024/05 -
中文资料WILLSEMI韦尔SPD82582B
ESD5341N：单线、单向、低电容瞬态电压抑制器 ESD5341N是一款低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它被特别用来保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，以防止由静电放电（ESD）引起的过度压力。ESD534...
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2024/05 -
中文资料WILLSEMI韦尔ESD56241D12
ESD56151Wxx：电源保护新选择 ESD56151Wxx双向瞬态电压抑制器，是为现代电子设备中的电源接口设计。它的反向截止电压范围是4.5V至5V，有效保护电路免受过高电压的损害。这款抑制器符合IEC61000-4-5标准，为电路提供...
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2024/05 -
中文资料I-CORE中微爱芯AiP8P101C
AiP74LVC1T45GC363.TR是一款由中微爱芯推出的总线收发器芯片，它属于逻辑电路的一种。该芯片具有两个1位输入输出端口（A和B），一个方向控制输入（DIR），以及双电源引脚（VCC(A)和VCC(B)）。VCC(A)和VCC(B)都可以在1...
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2024/05 -
代理分销商ST先科ESD8VOCA
BZX55C10是一款稳压二极管，其具体的参数和特性如下：基本参数：标称齐纳电压：10V，这意味着在正常工作条件下，该二极管能够提供稳定的10伏特输出电压。每片芯片元件数目：1。安装类型：通孔。最大功率耗散：500mW，这是二极管在正常工作条件下可以承受的比较大...
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2024/05 -
代理分销商ST先科2SC5824U
ZMM56是一款稳压二极管。以下是关于ZMM56稳压二极管的一些详细参数和特性：正向电压降（VF）：该参数有两种说法，一种说法是1.5V（在连续正向电流IF为0.2A的条件下），另一种说法是1V。正向电压降是二极管在正向偏置时的电压降。反向漏电流（IR）：有两...
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2024/05 -
代理分销商WILLSEMI韦尔WPM1481
ESD5641DXX是一款专为保护电源接口设计的瞬态电压抑制器。它非常适合用于替代便携式电子产品中的多个离散组件。ESD5641DXX特别为USB端口设计，采用了具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。封装与环保：ESD5641DX...
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2024/05
新闻中心
