企业商机
半导体晶圆基本参数
  • 品牌
  • SUMCO,ShinEtsu,SK
  • 型号
  • 8inch,12inch
  • 类型
  • 元素半导体材料
  • 材质
  • 用途
  • 测试
  • 特性
  • 半导体
  • 电阻率
  • 电阻率1-100
  • 产地
  • 中国台湾日本韩国
  • 规格尺寸
  • 150-300
  • 颜色
  • 乳白色
半导体晶圆企业商机

    其为根据本申请一实施例的半导体基板的结构的剖面700的一示意图。该结构的剖面700可以是图5a所示结构500的bb线剖面。该树酯层540与该金属层510外缘之间,是该金属层510用于包围该树酯层540的四个金属边框。该四个金属边框的厚度可以相同,也可以不同。举例来说,相对于上下外缘的厚度711与713可以相同,相对于左右外缘的厚度712与714可以相同。但厚度711与712可以不同。本领域普通技术人员可以透过图7理解到,本申请并不限定该树酯层540外缘的形状,其可以是正方形、矩形、椭圆形、圆形。当该金属层510与该树酯层540都是矩形时,本申请也不限定该该金属层510用于包围该树酯层540的四个边框的厚度。在一实施例当中,这四个边框的厚度711~714可以相同,以简化设计与制作的问题。在另一实施例当中,这四个边框当中两组边框的厚度可以相同,以简化设计与制作的问题。在更一实施例当中,这四个边框的厚度711~714可以完全不同,以便适应芯片设计的需要。由于芯片的不同区域可以承载不同的半导体元器件,而不同的半导体元器件所需要的基板结构电阻值可以是不同的。因此,可以如图7所示的实施例,在部分区域让金属层510的厚度较厚。半导体晶圆推荐厂家..天津美台半导体晶圆

    揭示了根据本发明的一个实施例的使用超声波或兆声波装置的晶圆清洗装置。图1a揭示了晶圆清洗装置的剖视图。该装置包括用于保持晶圆1010的晶圆卡盘1014,用于驱动晶圆卡盘1014的转动驱动装置1016,用于输送清洗液1032至晶圆1010表面的喷头1012。清洗液1032可以是化学试剂或去离子水。晶圆清洗装置还包括位于晶圆1010上方的超声波或兆声波装置1003,因此,随着晶圆1010的旋转以及从喷头1012内喷出的恒定流量的清洗液1032,在晶圆1010和声波装置1003之间保持具有厚度d的清洗液1032液膜。声波装置1003进一步包括压电式传感器1004及与其配对的声学共振器1008。压电式传感器1004通电后振动,声学共振器1008会将高频声能量传递到清洗液1032中。由高频声能引起气穴振荡使得晶圆1010表面上的杂质颗粒,也就是污染物等松动,以此去除晶圆1010表面上的污染物。再次参考图1a所示,晶圆清洗装置还包括与声波装置1003相连接的臂1007以在竖直方向z上移动声波装置1003,从而改变液膜厚度d。竖直驱动装置1006驱动臂1007的竖直移动。竖直驱动装置1006和转动驱动装置1016都由控制器1088控制。参考图1b所示,揭示了图1a所示的晶圆清洗装置的顶视图。声波装置1003*覆盖晶圆1010的一小部分区域。成都半导体晶圆五星服务半导体晶圆厂家供应。

    图3为依据本发明另一实施方式的半导体晶圆干燥设备的剖视图。具体实施方式以下将以附图公开本发明的多个实施方式。为明确说明起见,许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而,应了解到,这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说,在本发明的部分实施方式中,这些实务上的细节是非必要的。此外,为简化附图起见,一些公知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。附图与说明书中尽可能使用相同的元件符号表示相同或相似的部分。除非另外定义,否则本文使用的所有术语(包含技术以及科学术语)对于所属领域中的技术人员通常理解的涵义。还应理解到,诸如常用的字典中定义的术语的解读,应使其在相关领域与本发明中具有一致的涵义,且将不以理想化或过度正式的意义解释,除非明确如此定义。请参照图1,其为依据本发明一实施方式的半导体晶圆干燥设备100的剖视图。半导体晶圆干燥设备100是用以干燥半导体晶圆200,半导体晶圆200为包含半导体材料的圆形薄片,其常用于集成电路的制造。在本实施方式中,如图1所示,半导体晶圆干燥设备100包含基座110、壳体120以及微波产生器130。基座110被配置成承载半导体晶圆200。壳体120以金属制成。

    该晶圆层320的该***表面321与第二表面322的**小距离可以是**大距离的一半。换言之,该晶圆层320的电阻值约略是该晶圆层120的一半。在另外的实施例当中,该***表面321与第二表面322的**小距离与**大距离的比值,可以是其他小于100%的比例。如此,在芯片的边缘处具有较厚的晶圆层320,但是降低在芯片中间有半导体元器件之处的晶圆厚度。此外,可以在降低该晶圆层320中间的电阻值的同时,可以维持芯片结构强度,降低工艺过程中的器件失效。在一实施例当中,该芯片边缘较厚的晶圆层320,其左右的宽度可以介于50~200um之间。本领域普通技术人员可以理解到,可以根据该芯片所实作的半导体元器件不同,以及其所要应用的环境与规格不同,调整上述的宽度。该金属层310可以包含彼此相对的一第三表面313与一第四表面314,该第三表面313与该晶圆层320的第二表面322彼此相接或相贴。因此,该第二表面322与该第三表面313的形状彼此相应。该金属层310可以包含一或多层金属层,该金属层310可以包含单一金属、合金或金属化合物。举例来说,该金属层310可以包含钛镍银镍合金(tiniagni)、镍铝合金(alni)、铝铜钴合金(alcuni)、钛铜镍合金。国外半导体晶圆产品品质怎么样?

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    9月15日,合肥高新区与华进半导体就晶圆级扇出型封装产业化项目举行签约仪式。工委委员、管委会副主任吕长富会见华进半导体董事长于燮康一行并出席签约仪式,创业服务中心主任周国祥,华进半导体合肥项目负责人姚大平,分别**高新区与华进半导体签署协议。经贸局、财政局、高新股份等单位负责人见证签约仪式。华进半导体是由中国科学院微电子研究所、长电科技、通富微电、华天科技、中芯国际等多家国内半导体封装、制造上市公司联合投资组成的**研发中心,旨在研发和先进封装成果转换,为中国半导体先进封装工艺的发展提供产业化基础和输出技术的平台。芯片封装是指将晶圆加工得到**芯片的过程,是集成电路芯片制造完成后不可缺少的一道工序,是器件到系统的桥梁。晶圆级扇出型封装技术可以实现在单芯片的封装中做到更高的集成度,并拥有更好的电气属性,从而能降低封装成本,而且计算速度更快,产生的功耗也更小。华进半导体将在高新区投资建设国内**的晶圆级扇出型封装生产线,项目一期总投资为,未来年产产能将达到120万片,以及初期将建设办公、基础设施、仓储等配套区域。会见中于燮康表示合肥近几年集成电路产业发展突飞猛进。天津美台半导体晶圆

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