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    该金属层凹陷区域在该第二表面的投影区域位于该中心凹陷区域当中。在一实施例中，为了设计与制作的方便，其中该金属层凹陷区域与该中心凹陷区域的形状相应，该金属层凹陷区域的面积小于该中心凹陷区域的面积。总上所述，本申请提供了具有强度较大的基板结构的芯片，其具有晶圆层的边框结构，也可以具有晶圆层的内框结构，以便减低芯片在进行热处理、加工与焊贴等工序时，因为应力或热应力而导致失效的机率。在此同时，还要降低上述基板结构的电阻值，以便减少消耗功率，降低热耗损，增进芯片的使用寿命。以上所述，*是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明,任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内,当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。开封怎么样半导体晶圆?淄博半导体晶圆诚信经营

    半导体制造领域普通技术人员可以理解到，本申请并不限定是哪一种环氧树酯。该树酯层440可以用于保护该结构400的金属层310，并且降低物理应力与热应力的影响，进而保护器件。该树酯层440包含彼此相对的一第五表面445与一第六表面446，该第五表面445与该金属层310的第四表面314彼此相接或相贴。因此，该第五表面445与该第四表面314的形状彼此相应。在一实施例当中，该树酯层440的该第五表面445与该第六表面446的距离可以介于50~200um之间。在图3与图4的实施例当中，在芯片中间的金属层310比较厚。由于金属层310的金属价格比树酯层440的树酯还要贵，制作较厚金属层310的步骤也比制作树酯层440的步骤更贵。如果在设计规格允许的情况下，可以制作较薄的金属层310，以便减少成本。请参考图5a所示，其为根据本申请一实施例的半导体基板的结构500的剖面示意图。和图4所示的结构400相比，该结构500依序包含了半导体组件层130、晶圆层320、金属层510、和树酯层540。图5a所示的结构500所包含的各组件，如果符号与图4所示的结构400所包含的组件相同者，则可以适用图4所示实施例的叙述。和图4所示的结构400相比。广州半导体晶圆销售电话西安怎么样半导体晶圆?

    位于所述晶圆承载机构下方设置有第二光源机构。现有的半导体检测设备大都基于暗场照明和荧光激发照明(pl)两种方法，其中暗场照明能够实现对大尺寸表面缺陷的观察，pl模式则能实现对亚表面缺陷的观察。后期，个别厂商推出的基于共焦照明成像系统的缺陷检测方案，实现了对更小尺寸缺陷的检测。倏逝场移频照明能够实现对被检测样品表面缺陷更高空间频谱信息的获取，从而实现对更小尺寸缺陷的识别，但是目前基于移频照明的缺陷检测方法和设备仍未被报道。技术实现要素：本发明的目的在于提出一种新型半导体晶圆表面缺陷的快速超高分辨检测系统。该系统在集成了暗场照明成像模式、pl成像模式以及共聚焦扫描成像模式的同时，引入了移频照明缺陷检测方法，实现了对更小尺寸缺陷的快速高分辨成像。移频照明缺陷检测方法的原理是通过在半导体晶圆表面引入移频照明倏逝场，利用波导表面倏逝场与缺陷微结构的相互作用，实现对缺陷信息的远场接收成像。利用该成像方法可实现对波导表面缺陷的大视场照明和快速显微成像。一种半导体晶圆表面缺陷的快速超高分辨检测系统，包括：照明光源，以及布置所述照明光源的光路上耦合物镜、偏振片、偏振分光棱镜、平面单晶、二向色镜和显微物镜。

    但本领域普通技术人员可以理解到，晶圆制作方法1500的各个步骤不*可以对一整个晶圆进行，也可以针对单一个芯片进行。在一实施例当中，如果要让内框结构的晶圆层厚度小于边框结构的晶圆层厚度，可以反复执行步骤1520与1530。在***次执行步骤1520时，屏蔽层的图样*包含边框区域。***次执行蚀刻步骤1530时，蚀刻的深度到达内框结构的厚度。接着，第二次执行步骤1530，屏蔽层的图样包含了内框区域。接着，第二次的蚀刻步骤1530可以将晶圆层蚀刻到一半的高度。如此一来，就有厚薄不一的边框结构与方框结构。步骤1540：去除晶圆上的屏蔽层。如图16d所示，屏蔽层1610已经被去除。本领域普通技术人员可以理解到，去除屏蔽层是公知的技术，不在此详述。步骤1550：在晶圆上制造一或多层金属层。本步骤可以在蚀刻后的第二表面822上制造该金属层。步骤1550可以使用多种工法的其中之一来进行。这些工法包含溅射(sputter)、蒸镀或化学气相沉积(cvd,chemicalvapordeposition)、电镀(plating)或是涂布法。金属层可以包含一或多层金属层，该金属层可以包含单一金属、合金或金属化合物。举例来说，该金属层可以包含钛镍银镍合金(tiniagni)、镍铝合金(alni)、铝铜钴合金(alcuni)、钛铜镍合金。进口半导体晶圆的优势？

    在图8b所示的实施例当中，示出四个内框结构。本领域普通技术人员可以从图8a与图8b理解到，本申请并不限定内框结构的数量、位置、形状等配置的参数。在一实施例当中，如图8a所示，在内框结构821与822之处，晶圆层820的厚度与在边框结构的厚度是相同的。在另一实施例当中，内框结构821与822的厚度与边框结构的厚度可以是不同的。举例来说，在内框结构821与822的晶圆层厚度，可以较在边框结构的晶圆层厚度来得小。由于在芯片中间所承受的应力与/或热应力可以比在边缘来得小，因此可以使用较薄的内框结构作为补强。一方面降低基板结构的电阻值，另一方面还能补强基板结构。请参考图9所示，其为根据本申请一实施例的半导体基板的结构900的一剖面示意图。图9所示的结构900是在图8所示的结构800之下加入树酯层440。和图4所示的结构400一样，该树酯层440可以用于保护该结构900的金属层810，并且降低物理应力与热应力的影响，进而保护器件。在图8a与图9的实施例当中，在芯片中间的金属层810比较厚。由于金属层810的金属价格比树酯层440的树酯还要贵，制作较厚金属层810的步骤也比制作树酯层440的步骤更贵。如果在设计规格允许的情况下，可以制作较薄的金属层810，以便减少成本。半导体晶圆费用是多少？广州半导体晶圆销售电话

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    其为根据本申请一实施例的半导体基板的结构的剖面700的一示意图。该结构的剖面700可以是图5a所示结构500的bb线剖面。该树酯层540与该金属层510外缘之间，是该金属层510用于包围该树酯层540的四个金属边框。该四个金属边框的厚度可以相同，也可以不同。举例来说，相对于上下外缘的厚度711与713可以相同，相对于左右外缘的厚度712与714可以相同。但厚度711与712可以不同。本领域普通技术人员可以透过图7理解到，本申请并不限定该树酯层540外缘的形状，其可以是正方形、矩形、椭圆形、圆形。当该金属层510与该树酯层540都是矩形时，本申请也不限定该该金属层510用于包围该树酯层540的四个边框的厚度。在一实施例当中，这四个边框的厚度711~714可以相同，以简化设计与制作的问题。在另一实施例当中，这四个边框当中两组边框的厚度可以相同，以简化设计与制作的问题。在更一实施例当中，这四个边框的厚度711~714可以完全不同，以便适应芯片设计的需要。由于芯片的不同区域可以承载不同的半导体元器件，而不同的半导体元器件所需要的基板结构电阻值可以是不同的。因此，可以如图7所示的实施例，在部分区域让金属层510的厚度较厚。淄博半导体晶圆诚信经营

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