企业商机
低本底Alpha谱仪基本参数
  • 品牌
  • 泰瑞迅
  • 型号
  • RLA200
  • 适用范围
  • 适用于各种环境样品以及环境介质中人工放射性α核素的监测。
  • 加工定制
  • 外形尺寸
  • 361*470*180
  • 工作电压
  • 220
  • 测量范围
  • 0-10Mev
  • 电源
  • 220V
  • 重量
  • 15KG
  • 产地
  • 苏州
  • 厂家
  • 苏州泰瑞迅科技有限公司
低本底Alpha谱仪企业商机

PIPS探测器与Si半导体探测器的**差异分析‌二、能量分辨率与噪声控制‌PIPS探测器对5MeVα粒子的能量分辨率可达0.25%(FWHM,对应12.5keV),较传统Si探测器(典型值0.4%~0.6%)提升40%以上‌。这一优势源于离子注入形成的均匀耗尽层(厚度300±30μm)与低漏电流设计(反向偏压下漏电流≤1nA),结合SiO₂钝化层抑制表面漏电,使噪声水平降低至传统探测器的1/8~1/100‌。而传统Si探测器因界面态密度高,在同等偏压下漏电流可达数十nA,需依赖低温(如液氮冷却)抑制热噪声,限制其便携性‌。‌探测效率 ≥25%(探-源距近处,@450mm2探测器,241Am)。鹿城区真空腔室低本底Alpha谱仪销售

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PIPS探测器α谱仪采用模块化样品盘系统样品盘采用插入式设计,直径覆盖13mm至51mm范围,可适配不同尺寸的PIPS硅探测器及样品载体‌。该结构通过精密机械加工实现快速定位安装,配合腔体内部导轨系统,可在不破坏真空环境的前提下完成样品更换,***提升测试效率‌。样品盘表面经特殊抛光处理,确保与探测器平面紧密贴合,减少因接触不良导致的测量误差,同时支持多任务队列连续测试功能‌。并可根据客户需求进行定制,在行业内适用性强。防城港国产低本底Alpha谱仪适配进口探测器软件集成了常用谱分析功能,包括自动寻峰、核素识别、能量刻度、效率刻度及活度计算等。

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RLA 200系列α谱仪采用模块化设计,**硬件由真空测量腔室、PIPS探测单元、数字信号处理单元及控制单元构成。其真空腔室通过0-26.7kPa可调真空度设计,有效减少空气对α粒子的散射干扰,配合PIPS探测器(有效面积可选300-1200mm²)实现高灵敏度测量‌。数字化多道系统支持256-8192道可选,通过自动稳谱和死时间校正功能保障长期稳定性‌。该仪器还集成程控偏压调节(0-200V,步进0.5V)和漏电流监测模块(0-5000nA),可实时跟踪探测器工作状态‌。

‌高分辨率能量刻度校正‌在8K多道分析模式下,通过加载17阶多项式非线性校正算法,对5.15-5.20MeV能量区间进行局部线性优化,使双峰间距分辨率(FWHM)提升至12-15keV,峰谷比>3:1,满足同位素丰度分析误差<±1.5%的要求‌13。‌关键参数验证‌:²³⁹Pu(5.156MeV)与²⁴⁰Pu(5.168MeV)峰位间隔校准精度达±0.3道(等效±0.6keV)‌14双峰分离度(R=ΔE/FWHM)≥1.5,确保峰面积积分误差<1%‌34‌干扰峰抑制技术‌采用“峰面积+康普顿边缘拟合”联合算法,对²²²Rn(4.785MeV)等干扰峰进行动态扣除:‌本底建模‌:基于蒙特卡罗模拟生成康普顿散射本底曲线,与实测谱叠加后迭代拟合,干扰峰抑制效率>98%‌能量窗优化‌:在5.10-5.25MeV区间设置动态能量窗,结合自适应阈值剔除低能拖尾信号‌使用谱图显示控件,支持不同样品谱快速切换。

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PIPS探测器α谱仪真空系统维护**要点一、分子泵与机械泵协同维护‌分子泵润滑管理‌分子泵需每2000小时更换**润滑油(推荐PFPE全氟聚醚类),换油前需停机冷却至室温,采用新油冲洗泵体残留杂质,避免不同品牌油品混用‌38。同步清洗进气口滤网(超声波+异丙醇处理),确保油路无颗粒物堵塞‌。‌性能验证‌:换油后需空载运行30分钟,检测极限真空度是否恢复至<5×10⁻⁴Pa,若未达标需排查密封或轴承磨损‌。‌机械泵油监控‌机械泵油更换周期为3个月或累计运行3000小时,油位需维持观察窗80%刻度线以上。旧油排放后需用100-200mL新油冲洗泵腔,同步更换油雾过滤器(截留粒径≤0.1μm)‌。可用于测量环境介质中的α放射性核素浓度。防城港国产低本底Alpha谱仪价格

能否与其他设备(如γ谱仪)联用以提高数据可靠性?鹿城区真空腔室低本底Alpha谱仪销售

PIPS探测器与Si半导体探测器的**差异分析‌一、工艺结构与材料特性‌PIPS探测器采用钝化离子注入平面硅工艺,通过光刻技术定义几何形状,所有结构边缘埋置于内部,无需环氧封边剂,***提升机械稳定性与抗环境干扰能力‌。其死层厚度≤50nm(传统Si探测器为100~300nm),通过离子注入形成超薄入射窗(≤50nm),有效减少α粒子在死层的能量损失‌。相较之下,传统Si半导体探测器(如金硅面垒型或扩散结型)依赖表面金属沉积或高温扩散工艺,死层厚度较大且边缘需环氧保护,易因湿度或温度变化引发性能劣化‌。‌鹿城区真空腔室低本底Alpha谱仪销售

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