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    术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。如图1所示为一种半导体晶圆表面缺陷的快速检测系统图，包括入射光源101，耦合物镜102，***透镜103，***104，第二透镜105，***滤光片106，***偏振片107，柱面镜108，第三透镜109，***相机110，第四透镜111，第二偏振片112，第二滤光片113，偏振分光棱镜114，平面单晶115，二向色镜116，自聚焦控制系统117，显微物镜118，暗场照明119，移频照明120，样品121，样品台122，第二相机123，第五透镜124，第三滤光片125和反射镜126。自聚焦模块通过闭环反馈能够实现对样品表面的实时锁焦，样品台通过机械控制部件能够实现对被检测晶圆位置的精确扫描移动。相机110用于共焦扫描像的采集，相机123用于暗场照明，pl模式照明和移频照明远场像的采集。如图2所示为一种实施实例示意图，包括光源输入端201，光源载具202，被检测圆形波导203。浙江12英寸半导体晶圆代工。东莞半导体晶圆供应商

    在步骤10010中，将超声波或兆声波装置置于晶圆的上表面附近。在步骤10020中，将清洗液，可以是化学液或掺了气体的水喷射到晶圆表面以填满晶圆和声波装置之间的间隙。在步骤10030中，卡盘携带晶圆开始旋转以进行清洗工艺。在步骤10040中，频率为f1以及功率水平为p1的电源被应用于声波装置。在步骤10050中，当频率保持在f1时，电源的功率水平在气泡内气体和/或蒸汽的温度达到内爆温度ti之前，或在时间τ1达到由公式(11)计算的τi之前，降低到p2。在步骤10060中，气泡内气体和/或蒸汽温度降至接近室温t0或持续时间达到τ2后，电源的功率水平恢复到p1。在步骤10070中，检查晶圆的清洁度，如果晶圆尚未清洁到所需程度，则重复步骤10010-10060。或者，可能不需要在每个周期内检查清洁度，取而代之的是，使用的周期数可能是预先用样品晶圆通过经验确定。图11a至图11b揭示了根据本发明的另一个实施例的声波晶圆清洗工艺。本实施例中的声波晶圆清洗工艺与图10a-10c所示的实施例中的相类似，差异*存在于步骤10050中。图11a-11b所示的晶圆清洗工艺在时间段τ2内使频率降至f2，以此来代替保持频率在f1。功率水平p2应该***地低于p1，**好是小5或10倍。广东半导体晶圆片国外半导体晶圆产品品质怎么样？

    在气泡内的气体和/或蒸汽温度降至室温t0或达到时间段τ2后(在时间段τ2内，设置电源输出为零)，电源输出恢复至频率f1及功率水平p1。在步骤15270中，检查晶圆的清洁度，如果晶圆尚未清洁到所需程度，则重复步骤15210-15260。或者，可能不需要在每个周期内检查清洁度，取而代之的是，使用的周期数可能是预先用样品晶圆通过经验确定。参考图15d所示，气泡内气体和/或蒸汽的温度不需要冷却至室温t0，但是**好使温度冷却至远低于内爆温度ti。此外，在步骤15250中，只要气泡膨胀力不破坏或损坏图案结构15034，气泡的尺寸可以略大于图案结构15034的间距w。参考图15d所示，步骤15240的持续时间可以从图7e所示的过程中经验地获得为τ1。在一些实施例中，图7至图14所示的晶圆清洗工艺可以与图15所示的晶圆清洗工艺相结合。图16a-16c揭示了根据本发明的一个实施例的晶圆清洗工艺。该晶圆清洗工艺与图7a-7e所示的相类似，除了图7d所示的步骤7050。在气泡内的气体和/或蒸汽的温度达到内爆温度ti之前或者在τ1达到根据公式(11)计算出的τi之前，设置电源输出为图16a所示的正的直流值或是图16b和图16c所示的负的直流值。结果，气泡内的气体和/或蒸汽温度开始降低。

    气穴振荡是一种混沌现象。空化气泡的产生及其破裂受到很多物理参数的影响。这些猛烈的气穴振荡例如不稳定的气穴振荡或微喷射将损伤这些图案结构(鳍结构、槽和通孔)。在传统的超声波或兆声波清洗过程中，只有当功率足够高，例如大于5-10瓦时，才会产生***的颗粒去除效率(“pre”)。然而，当功率大于约2瓦时，晶圆开始有明显的损伤。因此，很难找到功率窗口使得晶圆在被有效清洗时避免重大的损伤。因此，维持稳定或可控的气穴振荡是控制声波机械力低于损伤限度而仍然能够有效地去除图案结构中的杂质颗粒的关键。因此，提供一种系统和方法，用于控制在晶圆清洗过程中由超声波或兆声波设备产生的气泡气穴振荡，以便能够有效地去除细小的杂质颗粒，而不会损伤晶圆上的图案结构。技术实现要素：本发明提出一种清洗半导体晶圆的方法，包括在清洗过程中输送清洗液到半导体晶圆表面；在该清洗过程中通过声波换能器向清洗液传递声能，以在***预定时段以***预定设置及在第二预定时段以第二预定设置交替向声波换能器供电，其中，清洗液中的气泡气穴振荡在***预定时段内增大，在第二预定时段内减小，***预定时段和第二预定时段连续的一个接着一个，因此。怎么选择质量好的半导体晶圆？

    可以利用多重的内框结构，例如回字型的内框结构来加强结构强度。所谓的回字型，就是内框内还有内框的结构。在一实施例当中，多重的内框结构可以是同心的，以便简化设计。在另一实施例当中，多重的内框结构的框的宽度是相同的。在更一实施例当中，大内框结构与小内框结构的形状可以是相应的。举例来说，大内框结构与小内框结构的形状可以是相同的，但大小不同。框的宽度可以与内框结构的大小成比例。在一实施例当中，可以具有两个以上的多重内框结构。请参考图11b所示，其为根据本申请一实施例的半导体基板的结构的剖面1100的一示意图。图11b所示的实施例，为回字型的内框结构，就是内框内还有内框的多重内框结构。本申请所欲保护的技术特征在于，晶圆层的边框结构的内部至少具有一个或多重内框结构，用于加强该一个或多重内框结构内部的结构，本申请并不限定内框结构的个数。请参考图12所示，其为根据本申请一实施例的半导体基板的结构的剖面1200的一示意图。该结构的剖面1200可以是图10a所示结构1000的dd线剖面。本领域普通技术人员可以透过图12理解到，本申请并不限定该树酯层1040a与1040b外缘的形状，其可以是正方形、矩形、椭圆形、圆形。半导体晶圆信息汇总。河北半导体晶圆市价

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    结构500所包含的该金属层510的第四表面514并不是像该结构400所包含的该金属层310的第四表面314一样是平面。第四表面514的剖面相应于该金属层的第三表面513的剖面。该金属层510的第四表面514与该晶圆层320的***表面321的**短距离，要小于该金属层310的第四表面314与该晶圆层320的***表面321的**短距离。由于该结构500的金属层510的大部分比该结构400的金属层310的大部分较薄，因此可以节省金属本身的成本，也可以节省制作该金属层510的步骤的成本。请参考图5b所示，其为根据本申请一实施例的半导体基板的结构500的剖面示意图。图5b所示的实施例是图5a所示实施例的一种变形。和图5a的金属层510相比，图5b所示实施例的金属层510比较厚。图5b所示实施例的其余特征均与图5a所示实施例相同。请参考图6所示，为根据本申请一实施例的半导体基板的结构的剖面600的一示意图。该结构的剖面600可以是图3所示结构300的aa线剖面，也可以是图4所示结构400的aa线剖面，还可以是图5b所示结构500的bb线剖面。为了方便说明起见，图6所示的实施例是图3所示的结构300，因此使用了金属层310与晶圆层320的符号。但本领域普通技术人员可以理解到，剖面600可以适用于结构400或500。东莞半导体晶圆供应商

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