衢州无尘埃破坏真空烘箱调试调整

常用PI/BCB/BPO胶的固化方法如下：1、在半导体芯片表面涂覆一层粘附剂；2、通过旋转方式在半导体芯片表面的粘附剂上涂覆一层液态PI/BCB/BPO胶，接着将涂覆好PI/BCB/BPO胶的半导体芯片放入固化炉中，并通入氮气保护；3、加热固化炉，使涂覆PI/BCB/BPO胶的半导体芯片达到一温度，稳定一段时间，使PI/BCB/BPO胶中的溶剂分布均匀4、再将加热固化炉升高到第二温度，稳定一段时间，使PI/BCB/BPO胶中的溶剂充分挥发；5、再将加热固化炉升高至第三温度，稳定一段时间，在半导体芯片表面形成低介电常数PI/BCB/BPO胶薄膜；6、将加热固化炉的温度降至一预定温度，关氮气，取出样品，完成固化工艺。真空箱应在相对湿度≤85%RH，周围无腐蚀性气体、无强烈震动源及强电磁场存在的环境中使用。衢州无尘埃破坏真空烘箱调试调整

互感器生产工艺流程：包扎→二次线圈绕制→二次线圈检测→一次线圈绕制→装模→真空浇注→加热固化→脱模→试验。其中：真空浇注：装入模具内的互感器半成品加热干燥达到工艺要求后，送入互感器用环氧真空浇注设备内，将配置好的环氧混合材料采用真空浇注的方式注入模具内，进行真空脱气处理，达到工艺要求的真空度后，破空取出模具送入电加热烘箱加热固化。脱模：电加热烘箱内的环氧混合料(环氧树脂和硅微粉)，在模具内经过加热固化成形后，将模具从烘箱内取出，打开模具，取出互感器产品。真空烘箱真空度≤133Pa，可有效进行真空脱处理，完成真空浇注工艺衢州无尘埃破坏真空烘箱调试调整真空箱应经常保持清洁。箱门玻璃切忌用有反应的化学溶液擦拭，应用松软棉布擦拭。

    BPO型高温胶固化作为压敏黏合剂可以用传统的高温胶带涂敷设备涂布于PET、铝箔等基材上以制作特殊性能的压敏黏粘带，具有良好的耐高温和耐化学性，也可应用于印刷线路板电镀工艺过程遮蔽、SMT制程、FPC、PCB板、喷砂、涂装、高温烤漆、镀金或电镀过程中遮蔽需保护部分，以及电子、电气等产品绝缘包扎固定等。在某些应用中，由于胶粘剂与背衬材料的结合度不够，就可能需要在涂布胶粘剂之前，先涂布一层底涂。底涂材料必须在使用前进行固化，固化条件取决于设备的性能、基材类型及所使用的配方。表面硫化周期：80－90℃*2min除溶剂，以确保在进入固化区硫化时粘合剂中没有溶剂存在；160-170℃*6min，通过热固化使其粘合力、内聚强度以及初粘力进一步加强。但完全硫化所需的确切条件取决于加热炉的长度、温度和效率，固化剂的类型以及所使用的底材的类型，同时必须在设备上进行试验来确定该条件。如果设备和基材允许使用更高的固化温度，则固化时间可以缩短。与低温固化相比，提高固化温度可以在更短时间内达到胶粘剂的内聚强度。

    与普通干燥箱相比，真空烘箱突出的优势为它的加热方式。真空烘箱是四面安装有紧贴真空室外箱壁金属板的功率相同的电热丝，所以在电热丝在进行加热时，热量通过真空室的不锈钢金属壁辐射到工作室内，保证了工作室内的温度辐射热量相同，从而使得烘干中的物料保持均匀性。随着时间的推移和设备的使用，真空烘箱在工作中也暴露了许多缺陷。真空烘箱的维修很麻烦，对于电热丝烧断的维修，只能先把真空烘箱的大门拆掉，然后取下硅胶密封条并拆掉真空室的固定螺丝，再拆掉真空烘箱后面的盖板，取出所有的保温岩棉，拆卸出真空室。这样繁琐的步骤结束后才能更换新的电热丝并重新安装真空烘箱设备。此外，真空烘箱的温度上升慢、下降慢问题，给干燥工作带来一定的局限性，且真空实验结束后，还容易使得实验人员被真空室的四周金属壁烫伤，因此真空烘箱的安全性和人性化设计需要进一步改进。检查真空泵管路及结合处有无松动现象。

操作流程1、将物料均匀放入真空干燥箱内样品架上，推入干燥箱内；2、关紧箱门，放气阀，箱门上有螺栓，可使箱门与硅胶密封条紧密结合；3、将真空泵与真空阀连接，开启真空阀，抽真空；4、依据真空泵的性能，抽到压力表为真空泵的极限值为准；5、抽完真空后，先将真空阀门关闭，如果真空阀门关不紧，请更换，然后再将真空泵电源关闭或移除。(防止倒吸现象产生)6、本所物料的干燥周期，每隔一段时间观察一下，历力表，温度表，和箱体内的变化，来处理。如果压力表指数下降，则可能存在漏气现象，可再进行抽气操作；7、干燥完成后，先将放气阀打开，放出里面气体，再进行打开真空干燥箱箱门，取出物料。真空泵要停止使用时，先关闭闸阀、压力表，然后停止电机。宁波双层钢化玻璃观察窗真空烘箱PID调节

工作室采用不锈钢板(或拉丝板)制成，确保产品经久耐用。衢州无尘埃破坏真空烘箱调试调整

    为获得平坦而均匀的光刻胶涂层并使光刻胶与晶片之间有良好的黏附性，通常在涂胶前对晶片进行预处理。预处理第一步常是脱水烘烤，在真空或干燥氮气的机台中，以150～200℃烘烤。工艺目的是除去晶片表面吸附的水分，在此温度下，晶片表面大约保留了一个单分子层的水。涂胶后，晶片须经过一次烘烤，称之软烘或前烘。工艺作用是除去胶中大部分溶剂并使胶的曝光特性固定。通常，软烘时间越短或温度越低会使得胶在显影剂中的溶解速率增加且感光度更高，但对比度会有降低。实际上软烘工艺需要通过优化对比度而保持可接受感光度的试凑法用实验确定，典型的软烘温度是90～100℃，时间从用热板的30秒到用烘箱的30分钟。在晶片显影后，为了后面的高能工艺，如离子注入和等离子体刻蚀，也须对晶片进行高温烘烤，称之后烘或硬烘。这一工艺目的在于：减少驻波效应；激发化学增强光刻胶PAG产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反应并移除基团使之能溶解于显影液。 衢州无尘埃破坏真空烘箱调试调整

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