湖州真空泵抽湿真空烘箱调试调整

    充氮洁净烘箱是一种新型可造就洁净的恒温环境的电热干燥箱，可满足电子、医疗卫生仪器、仪表，工厂，高等院校、科研部门等有关单位作净化烘箱的需要。充氮洁净烘箱采用不锈钢工作室，不锈钢管作加热，内胆周身做密闭氩弧焊接，保证箱体内部洁净度高，箱内充以氮气等惰性气体有效防止产品氧化，有助于保证产品质量!充氮洁净烘箱采用精确的控温系统-数显温控系统。安装在箱体的顶部。其特点具有读数清晰、调节方便、控温精度高、结构简单、安全可靠之优点。充氮洁净烘箱采用水平送风强鼓风循环系统，特殊风道设计，使箱内温度均匀，确保了温度的稳定性。充氮洁净烘箱拥有完善的安全保护措施，超温报警、欠相缺相保护、过电流保护、快速熔断器、接地保护等系统，该功能充分保护实验人员的安全！ 箱门可调节式松紧闭合。湖州真空泵抽湿真空烘箱调试调整

在真空条件下，溶剂沸点明显降低，箱内保持温度恒定。烘箱结构真空烘箱能在较低温度下获得较高的干燥速率，热量利用充足，主要合用于对热敏性物料和含有容剂及需回收溶剂物料的干燥。在干燥前可进行消毒办理，干燥过程中任何不纯物无混入，本干燥器属于静态真空干燥器，故干燥物料的形成不会破坏。加热方式有：蒸汽、热水、导热油、电热。真空烘箱专为干燥热敏性、易分解和易氧化物质而设计，能够向内部充入惰性气体，特别是一些成分复杂的物件也能进行快速干燥。舟山真空泵抽湿真空烘箱PID调节利用真空泵进行抽气抽湿，使工作室内形成真空状态，降低水的沸点，加快干燥的速度。

一般的电热（鼓风）干燥箱均设有温度均匀度参数：自然对流式的干燥箱为工作温度上限乘3%，强制对流式的干燥箱为工作温度上限乘2.5%。惟独电热真空干燥箱不设温度均匀度参数，这是因为真空干燥箱内依靠气体分子运动使工作室温度达到均匀的可能性几乎已经没有了。因此，从概念上我们就不能再把通常电热（鼓风）干燥箱所规定的温度均匀度定义用到真空干燥箱上来。在真空状态下设这个指标也是没有意义的。热辐射的量与距离的平方成反比。同一个物体，距离加热壁20cm处所接受的辐射热只是距离加热壁10cm处的1/4。差异很大。这种现象与冬天晒太阳时，晒到太阳的一面很暖和，晒不到太阳的一面比较冷是一个道理。由于真空干燥箱在结构上很难做到使工作室三维空间内的各点辐射热的均匀一致，同时也缺乏好的评估方法，这有可能是电热真空干燥箱标准中不设温度均匀度参数的原因。

    橡胶的种类随着室温硫化胶料的增加和高温硫化的出现，硫化温度趋向两个极端。从提高硫化效率来说，应当认为硫化温度越高越好，但实际上不能无限提高硫化温度。橡胶为高分子聚合物，高温会使橡胶分子链产生裂解反应，导致交联键断裂，即出现“硫化返原”现象，从而使硫化胶的物理机械性能下降。综合考虑各橡胶的耐热性和“硫化返原”现象，各种橡胶建议的硫化温度如下：NR比较好在140-150℃，比较高不超过160℃；顺丁橡胶、异戊橡胶和氯丁橡胶比较好在150-160℃，比较高不超过170℃丁苯橡胶、丁腈橡胶可采用150℃以上，但比较高不超过190℃；丁基橡胶、三元乙丙橡胶一般选用160-180℃，比较高不超过200℃；硅橡胶、氟橡胶一般采用二段加硫，一段温度可选170-180℃，二段硫化则选用200-230℃，按工艺要求可在4-24h范围内选择。 尽量控制真空泵的流量和扬程在标牌上注明的范围内。

    本实用新型的一种新型的真空烘箱，其创新点在于：包括箱体、盖板、底板、侧板、连接装置、进水管、出水管和导流管；所述箱体与所述盖板相匹配，且二者之间螺接形成一水平设置的中空长方体结构；在所述箱体的内底面还水平螺接设有底板，且在所述底板的上表面左右两端还竖直对称固定设有侧板；在两个所述侧板之间还呈矩阵依次间隔设有数个导流管，每一所述导流管均为水平设置的中空圆柱体结构，且其两端分别水平延伸出两个所述侧板；上下相邻两个所述导流管的两端之间分别错位通过连接装置密封连接，并形成数个竖直设置的蜿蜒状结构；在上面一层所述导流管的上方还水平间隔设有数个进水管，每一所述进水管均为中空的l形圆管结构，且其短边一端均竖直向上延伸出所述盖板，每一所述进水管的长边一端均依次水平延伸出两个所述侧板，并分别通过连接装置与上面一层对应位置所述导流管的一端密封连接；在下面一层所述导流管的下方还水平间隔设有数个出水管，每一所述出水管均为中空的l形圆管结构，且其短边一端均竖直向下延伸出所述箱体，每一所述出水管的长边一端均依次水平延伸出两个所述侧板，并分别通过连接装置与下面一层对应位置所述导流管的一端密封连接。干燥的物品如干燥后改变为重量轻，体积小（为小颗粒状），应在工作室内抽真空口加隔阻网。苏州内置泵体真空烘箱定制

真空箱外壳必须有效接地，以保证使用安全。湖州真空泵抽湿真空烘箱调试调整

    为获得平坦而均匀的光刻胶涂层并使光刻胶与晶片之间有良好的黏附性，通常在涂胶前对晶片进行预处理。预处理第一步常是脱水烘烤，在真空或干燥氮气的机台中，以150～200℃烘烤。工艺目的是除去晶片表面吸附的水分，在此温度下，晶片表面大约保留了一个单分子层的水。涂胶后，晶片须经过一次烘烤，称之软烘或前烘。工艺作用是除去胶中大部分溶剂并使胶的曝光特性固定。通常，软烘时间越短或温度越低会使得胶在显影剂中的溶解速率增加且感光度更高，但对比度会有降低。实际上软烘工艺需要通过优化对比度而保持可接受感光度的试凑法用实验确定，典型的软烘温度是90～100℃，时间从用热板的30秒到用烘箱的30分钟。在晶片显影后，为了后面的高能工艺，如离子注入和等离子体刻蚀，也须对晶片进行高温烘烤，称之后烘或硬烘。这一工艺目的在于：减少驻波效应；激发化学增强光刻胶PAG产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反应并移除基团使之能溶解于显影液。 湖州真空泵抽湿真空烘箱调试调整

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