IGBT模块究竟如何工作？在电控模块中，IGBT模块是逆变器的较主要部件，总结其工作原理：通过非通即断的半导体特性，不考虑过渡过程和寄生效应，我们将单个IGBT芯片看做一个理想的开关。我们在模块内部搭建起若干个IGBT芯片单元的并串联结构，当直流电通过模块时，通过不同开关组合的快速开断，来改变电流的流出方向和频率，从而输出得到我们想要的交流电。IGBT模块结构和汽车IGBT模块应用。上面提到了IGBT模块在电驱系统中的作用，下面我们展开来具体看看IGBT模块的结构。IGBT的损耗一般比MOSFET要低，可以达到1W-15MW之间。北京IGBT自动化设备
IGBT模块工作如下：1.一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75%左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿;2. 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合;3. 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方;4. 保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物;5. 装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。6. 检测IGBT模块的的办法。专业真空灌胶自动线工作原理由于其高效率、低损耗和可靠性，IGBT在电动汽车控制、动力转换和充电系统等方面有着重要的应用。
焊层失效，上述温度梯度也存在于焊接层和相邻组件中，因此会导致剪切应力。焊接层失效的主要表现形式是裂纹、空洞和分层。在开关循环中，作为弹性塑料材料的焊接层会出现非弹性应变，较终导致焊接层的裂纹、裂纹的发展和焊接材料的分层。空洞是由焊接材料的晶体边界空洞和回流焊工艺引起的，这是一种不可避免的现象。随着功率循环，焊接层受到热应力，空洞也会增加。焊接层失效后，热阻进一步增加，导致温度梯度增加，形成正反馈，较终导致焊接层完全失效。
IGBT模块动态、静态测试系统是IGBT模块研发和制造过程中重要的测试系统，行业初期由瑞士LEMSYS（Teradyne于2019年完成对LEMSYS的收购）、意大利CREA等国外品牌占据主要市场份额。随着光伏、新能源汽车等场景对IGBT模块需求的快速增长，加之贸易环境等因素，功率半导体行业整体进入了快速国产化的黄金年代。特别是下游客户对其封装后成品的测试要求较高，随着IGBT模块的自主可控、国产化进程加速，国产测试系统产品需求也逐渐迫切，但是该领域的测试系统还处于国产化初期的客户验证阶段，预计2022年将开启全方面国产化进程。IGBT在发电机控制、高压开关控制、可调节比例控制等电力控制领域有普遍的应用。
DBC阶段测试。将IGBT芯片从wafer上取下来，焊在DBC上，再进行一次绑线，将芯片的G、C、E极与DBC上预留的绑线位通过金属线连接起来，此时的IGBT状态，我们可称之为DBC阶段。如果在DBC阶段就对IGBT进行测试筛选，将性能不良的芯片筛选出来，那么封装成IGBT模块以后，模块的不良率会较大程度上降低。而DBC阶段的IGBT成本较大程度上低于IGBT模块，比如一个450A的62mm模块，内部分为上下两个桥臂，有2个IGBT单元，每个IGBT又是由2个IGBT芯片并联而成（通过DBC的形式并联，每颗芯片焊在一块DBC上），那么一个模块里面就相当于有4块DBC。IGBT可以用于电力调节，提供电力调节和监控系统。山东一体化共晶真空炉
IGBT可以用于电力变换器，用于电力转换和调节。北京IGBT自动化设备
将芯片焊接到DBC基板上，然后将DBC基板焊接到铜基板上，然后通过厚铝线键合工艺实现芯片与外端子之间的电连接，然后在外壳上安装密封剂，然后倒入硅胶，实现模块内的IGBT密封、防潮、抗震和绝缘。IGBT模块由MOSFET和BJT组成，容易发生静电穿透和过电应力损坏。该装置的安装表面暴露在空气中，容易氧化，影响后续的安装和使用。IGBT模块的封闭性使其难以进行过程检测。内部缺陷只能通过无损检测进行，必须采用特殊的检测方法进行筛选和保护。北京IGBT自动化设备
