IGBT模块动态、静态测试系统是IGBT模块研发和制造过程中重要的测试系统，行业初期由瑞士LEMSYS（Teradyne于2019年完成对LEMSYS的收购）、意大利CREA等国外品牌占据主要市场份额。随着光伏、新能源汽车等场景对IGBT模块需求的快速增长，加之贸易环境等因素，功率半导体行业整体进入了快速国产化的黄金年代。特别是下游客户对其封装后成品的测试要求较高，随着IGBT模块的自主可控、国产化进程加速，国产测试系统产品需求也逐渐迫切，但是该领域的测试系统还处于国产化初期的客户验证阶段，预计2022年将开启全方面国产化进程。IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是具有高电流、高电压、高效率的半导体电源控制元件。真空灌胶自动线批发
下面是一张IGBT实物图，可以看出主要的物料有IGBT芯片，二极管，五金件，键合丝，陶瓷基板，外壳等。IGBT模块生产工艺流程如下所示：IGBT模块工艺流程简介：（1）贴晶圆：使用晶圆贴片机将切合的IGBT晶圆和锡片贴装到DBC基板上；IGBT晶圆，上面被分割成一颗颗的正是IGBT芯片。贴片设备会将晶圆上的IGBT芯片自动取下来，放置到固定的衬板上，形成IGBT模块的电路；（2）真空回流焊（一次）：根据客户需求，将贴好晶圆的DBC基板送入回流炉中，在炉内进行加热熔化（一次回流炉使用电加热，工作温度245℃，持续工作7分钟左右）， 以气态的甲酸与锡片金属表面的氧化物生成甲酸金属盐，并在高温下裂解还原金属，以此达到焊接目的，需向炉内注入氮气作为保护气以保证焊接质量。甲酸焊接过程化学反应机理如下：HCOOH+MO→M+H2O+CO2。黑龙江高精度外壳组装兼容设备IGBT是功率半导体的一种，它是电子电力装置和系统中的“CPU”、高效节能减排的主力军。
IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。 因此使用中要注意以下几点：1. 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸;2. 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块;3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。
IGBT的结构，IGBT的结构主要由三部分组成：金属氧化物半导体氧化层(MOS)，双极型晶体管(BJT)和绝缘层。(1)金属氧化物半导体氧化层(MOS)：它是IGBT的主要，它由一个可以通过控制电路来控制的金属氧化物半导体氧化层组成。它可以控制晶体管的可控参数，如电流和电压。(2)双极型晶体管(BJT)：它是IGBT的主要，它由两个双极型晶体管构成，它们可以产生高功率。(3)绝缘层：它是IGBT的基础，它由一层绝缘层构成，它可以保护IGBT元件免受外界环境的侵蚀和损坏。IGBT在变压器、换流器、电抗器、电容器、调速器、变流器等电力转换设备中普遍使用。
IGBT模块工艺流程简介：（1）检测：使用检测设备对焊接口进行平面和立体成像检测，不合格的产品经人工维修合格后进入下一工序；X射线检测，用来检查IGBT模块内部的焊接效果，有无空洞等缺陷，（2）晶圆键合、一体针上锡：使用键合机利用键合线连接一体针与DBC基板的上铜层、DBC基板与底板，该过程需使用二次焊组装机设备利用焊锡丝进行焊点预上锡。引线键合环节，机器人通过图像识别技术定位，然后使用超声波引线键合技术将芯片与芯片之间的电路自动连接完整。IGBT具有良好的控制特性，其输入电压范围较宽，可实现电压控制调节，可以有效抑制电压波动。江西高精度工业模块自动组装线
当双极型晶体管的电流控制发挥作用时，它会进一步控制电流的流动，从而使IGBT的效率更高。真空灌胶自动线批发
焊层失效，上述温度梯度也存在于焊接层和相邻组件中，因此会导致剪切应力。焊接层失效的主要表现形式是裂纹、空洞和分层。在开关循环中，作为弹性塑料材料的焊接层会出现非弹性应变，较终导致焊接层的裂纹、裂纹的发展和焊接材料的分层。空洞是由焊接材料的晶体边界空洞和回流焊工艺引起的，这是一种不可避免的现象。随着功率循环，焊接层受到热应力，空洞也会增加。焊接层失效后，热阻进一步增加，导致温度梯度增加，形成正反馈，较终导致焊接层完全失效。真空灌胶自动线批发
