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  • 多定位闸阀ALUMINUM GATE VALVE,闸阀
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闸阀基本参数
  • 品牌
  • 微泰
  • 型号
  • ZF001
  • 材质
  • 不锈钢,铝合金,合金钢
  • 驱动方式
  • 气动,手动,电子
  • 连接形式
  • 法兰
  • 压力环境
  • 高压,低压
  • 工作温度区间
  • ≤ 200 °C
  • 适用介质
  • 水,蒸汽,氮气,空气
  • 外形
  • 中型
  • 流动方向
  • 双向
  • 类型(通道位置)
  • 二通式,直动式,直通式,先导式
  • 加工定制
  • 密封形式
  • 软密封型
  • 压力环境类型
  • 超高压阀(PN>100.0MPa),真空阀(PN<0.1MPa)
  • 标准
  • 日标,美标
闸阀企业商机

微泰,超高压闸阀应用于• Evaporation• Sputtering(溅射)• Diamond growth by MW-PACVD(通过MW-PACVD生长金刚石)• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷对卷)• Coating(涂层)• 蚀刻• Diffusion•CVD等设备上。期特点是*陶瓷球机构产生的低颗粒*使用维修配件工具包易于维护*应用:研发和工业中的UHV隔离。高压闸阀规格如下:驱动方式:手动或气动、法兰尺寸:1.5英寸~ 12英寸、法兰类型:CF、连接方式:焊接波纹管(AM350或STS316L)、阀门密封:氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封:铜垫圈、响应时间:≤ 2 sec、操作压力范围:1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar,8˝ ~ 14˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar 、开始时的压差:≤ 30 mbar、闸门的差动压力:1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 14˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率:< 1×10 -10 Mbar/秒、初次维护前可用次数:200,000次、阀体温度≤ 200 °、CTemperature for Actuator≤ 150 °C、烤炉温度≤ 200 °C、材料:阀体(不锈钢304或316L)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置:任意、操作压力(N2):4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。控制系统闸阀是自动控制到用户指定的值,通过控制器和步进电机保持一致的真空压力。多定位闸阀ALUMINUM GATE VALVE

闸阀

微泰,高压闸阀应用于• Evaporation(蒸发)• Sputtering(溅射)• Diamond growth by MW-PACVD(通过MW-PACVD生长金刚石)• PECV• PVD• Coating(涂层)• Etch(蚀刻)• Diffusion(扩散)•CVD(化学气相沉积)等设备上。可替代VAT闸阀。其特点是*陶瓷球机构产生的低颗粒*使用维修配件工具包易于维护*应用:隔离泵。高压闸阀规格如下:驱动方式:手动或气动、法兰尺寸:1.5英寸~ 14英寸、法兰类型:CF、连接方式:焊接波纹管、阀门密封:氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封:氟橡胶O型圈、响应时间:≤ 2 sec、操作压力范围:1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar,8˝ ~ 14˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差:≤ 30 mbar、闸门的差动压力:1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 14˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率:< 1×10 -10 Mbar/秒、维护前可用次数:250,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 80 °C、烤炉温度≤ 150 °C、材料:阀体(不锈钢304或316L)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置:任意、操作压力(N2):4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩,上海安宇泰环保科技有限公司。定制闸阀法兰闸阀为了避免在颗粒敏感应用中产生颗粒,滑动闸门机构的设计旨在避免阀壳处的摩擦。

多定位闸阀ALUMINUM GATE VALVE,闸阀

微泰半导体闸阀的特点:已向中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备,设备厂批量供货,已得到品质认可,已完成对半导体Utility设备和批量生产设备的验证。1,采用陶瓷球机构,抗冲击和震动,保证使用25万次,检修方便,较低维护成本。2,无Particle(颗粒)产生,采用陶瓷球无腐蚀和颗粒产。3,屏蔽保护:屏蔽式保护功能,闸阀阀体与挡板之间的距离小于1mm,可防止粉末侵入阀内,寿命为半永久性。4,保护环:Protecrion Ring通过流速上升设计防止粉末凝固,并通过打磨(研磨)工艺防止粉末堆积。微泰半导体闸阀应用于• Evaporation(蒸发)• Sputtering(溅射)• Diamond growth by MW-PACVD(通过MW-PACVD生长金刚石)• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷对卷)• Coating(涂层)• Etch(蚀刻)• Diffusion(扩散)•CVD(化学气相沉积)等设备上。可替代HVA闸阀、VAT闸阀。上海安宇泰环保科技有限公司。

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀,多定位闸阀。多定位闸阀是一种利用压缩空气或氮气控制闸阀位置的阀门。它在阀门的顶部有一个内置控制器,可以在本地和远程模式下操作。它还具有紧急关闭功能,以应对泵停止或CDA压缩干空气丢失的情况。其特点之一是能够远程检查阀门状态,并可用于具有不同法兰类型的各种工艺。多定位闸阀具有可隔离的闸阀,以滑动方式操作,适用于需要压力控制的所有加工领域。采用手动调节控制装置控制,用户可直接控制闸门的开启和关闭,以调节压力。微泰半导体多定位闸阀被广泛应用于 Evaporation(蒸发)、Sputtering(溅射)、Diamond growth by MW-PACVD(通过 MW-PACVD 生长金刚石)、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷对卷)、Coating(涂层)、Etch(蚀刻)、Diffusion(扩散)、CVD(化学气相沉积)等设备上,可替代 HVA 闸阀、VA T闸阀。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。该闸阀由上海安宇泰环保科技有限公司提供。微泰,高压闸阀应用于• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷对卷)•CVD(化学气相沉积)等设备上。

多定位闸阀ALUMINUM GATE VALVE,闸阀

微泰,铝闸阀应用于• Evaporation(蒸发)• Sputtering(溅射)• Diamond growth by MW-PACVD(通过MW-PACVD生长金刚石)• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷对卷)• Coating(涂层)• Etch(蚀刻)• Diffusion(扩散)•CVD(化学气相沉积)等设备上。期特点是*不论什么工艺的设备都可以使用*由半永久性陶瓷球和弹簧组成*应用:隔离泵。铝闸阀规格如下:驱动方式:手动、法兰尺寸:1.5英寸~ 10英寸、阀体:AL6061 (Anodizing)、机械装置:AL6061 (Anodizing)、阀门:O型圈(VITON)、真空密封:O型圈(VITON)、响应时间≤ 3 sec、驱动器:气缸、操作泄漏率< 1×10-10 mbar ℓ/sec、压力范围:< 1×10-10 mbar ℓ/sec、开始时的压差:≤ 30 mbar、初次维护前可用次数100,000次、阀体温度≤ 120 °执行机构温度≤ 60 °C、安装位置:任意、操作压力(N2):4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。可替代VAT阀门。控制系统和蝶阀使用步进电机操作,而多定位闸阀使用气动控制操作。定制闸阀法兰闸阀

闸阀按闸板结构形式分为单闸板和双闸板两种。多定位闸阀ALUMINUM GATE VALVE

微泰,控制系统闸阀应用于• Evaporation(蒸发)• Sputtering(溅射)• Diamond growth by MW-PACVD(通过MW-PACVD生长金刚石)• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷对卷)• Coating(涂层)• Etch(蚀刻)• Diffusion(扩散)•CVD(化学气相沉积)等设备上。可替代VAT闸阀。其特点是• 主体材质:不锈钢• 紧凑型设计• 带步进电机的集成压力控制器• 应用:需要压力控制和隔离的地方。控制系统闸阀规格如下:法兰尺寸(ID):1.5英寸~ 10英寸、材料:阀体(STS304)/机构STS304、STS420、馈通:旋转馈通、执行器:步进电机、氦泄漏率1X10-9 mbar.l/sec、压力范围:1×10-8 mbar to 1.4 bar、闸门上的压差≤1.4bar、维护前可用次数:100,000次、阀体温度≤ 150 °、控制器≤35°C、安装位置:任意、接口RS232、RS485、Devicenet、Profibus、EtherCat。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩,上海安宇泰环保科技有限公司。多定位闸阀ALUMINUM GATE VALVE

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