晶圆加工是半导体制造过程中的重要环节，主要包括以下几个步骤：切片（Wire Saw Slicing）：由于硅的硬度非常大，所以在本工序里，采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。研磨（Lapping）：研磨的目的在于去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损，使晶片表面达到所要求的光洁度。外径研磨（Surface Grinding & Shaping）：由于在晶棒成长过程中，其外径尺寸和圆度均有一定偏差，其外园柱面也凹凸不平，所以必须对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。蚀刻（Etching）：利用化学反应或物理方法，将晶圆表面不需要的部分移除。检测与测试：对加工完成的晶圆进行检测和测试，以确保其质量和性能符合要求。高速晶圆 ID 读码器 - WID120，MTBA/MTBF 增加 MTTR 减少。高速晶圆读码器直销
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晶圆ID在半导体制造中起到了防止混淆与误用的重要作用。在生产过程中，每个晶圆都有一个身份ID，与晶圆的生产批次、生产厂家、生产日期等信息相关联。通过读取和识别晶圆ID，制造商可以确保每个个晶圆在生产过程中的准确识别和区分，避免混淆和误用的情况发生。首先，晶圆ID可以防止不同批次或不同生产厂家之间的混淆。在半导体制造中，不同批次或不同生产厂家的晶圆可能存在差异，如果混淆使用可能会导致产品质量问题。通过读取晶圆ID，制造商可以准确识别晶圆的批次和生产厂家，确保生产过程中使用正确的晶圆，避免产品的不一致性和质量问题。其次，晶圆ID还可以防止晶圆之间的误用。在生产过程中，晶圆可能会被用于不同的产品或不同的生产环节。通过读取和记录晶圆ID，制造商可以确保每个晶圆被正确地用于预期的产品和生产环节。这有助于避免生产过程中的错误和浪费，提高生产效率和产品质量。
晶圆加工的工序包括以下步骤：融化（Melt Down）：将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点1420°C以上，使其完全融化。颈部成长（Neck Growth）：待硅融浆的温度稳定之后，将〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定尺寸（一般约6mm左右），维持此直径并拉长100-200mm，以消除晶种内的晶粒排列取向差异。晶体成长（Body Growth）：不断调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，直到晶棒长度达到预定值。尾部成长（Tail Growth）：当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐渐变小，以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生，使晶棒与液面完全分离。至此即得到一根完整的晶棒。研磨（Lapping）：研磨的目的在于去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损，使晶片表面达到所要求的光洁度。切割硅片：将硅片切割成晶圆的过程。切割硅片需要使用切割机器，将硅片切割成圆形。切割硅片的精度非常高，一般要求误差在几微米以内。研磨硅片：将硅片表面进行研磨的过程。研磨硅片需要使用研磨机器，将硅片表面进行研磨，使其表面光滑平整。研磨硅片的精度也非常高，一般要求误差在几微米以内。WID120，创新科技，晶圆ID读取新时代！
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