晶圆加工的工序包括以下步骤：融化（Melt Down）：将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点1420°C以上，使其完全融化。颈部成长（Neck Growth）：待硅融浆的温度稳定之后，将〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定尺寸（一般约6mm左右），维持此直径并拉长100-200mm，以消除晶种内的晶粒排列取向差异。晶体成长（Body Growth）：不断调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，直到晶棒长度达到预定值。尾部成长（Tail Growth）：当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐渐变小，以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生，使晶棒与液面完全分离。至此即得到一根完整的晶棒。研磨（Lapping）：研磨的目的在于去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损，使晶片表面达到所要求的光洁度。切割硅片：将硅片切割成晶圆的过程。切割硅片需要使用切割机器，将硅片切割成圆形。切割硅片的精度非常高，一般要求误差在几微米以内。研磨硅片：将硅片表面进行研磨的过程。研磨硅片需要使用研磨机器，将硅片表面进行研磨，使其表面光滑平整。研磨硅片的精度也非常高，一般要求误差在几微米以内。高速晶圆 ID 读码器 - WID120，以太网、RS232 接口、触发输入。晶圆读码器型号
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