炉相关图片
  • 佛山PECVD管式炉研究所**,炉
  • 佛山PECVD管式炉研究所**,炉
  • 佛山PECVD管式炉研究所**,炉
炉基本参数
  • 产地
  • 深圳
  • 品牌
  • 迪斯普
  • 型号
  • 齐全
  • 是否定制
炉企业商机

    多温区管式炉的保养:一、炉子使用或长时间不用后,要在120℃左右烘烤1小时,在300℃左右烘烤2小时后使用,以免造成炉膛开裂。炉温尽量不要超过额定温度,以免损坏加热元件及炉衬。禁止向炉膛内直接灌注各种液体及溶解金属,保持炉内的清洁。二、炉膛若采用刚玉炉管,依据刚玉材料的物理性质,各温区的升﹑降温速率不宜过快(≤5℃),严禁在炉管100℃以上取送物料。有利于炉管的热应力的均匀释放,以延长炉管的使用寿命。炉膛若采用石英管,当温度高于1000℃时,石英管的高温部分会出现不透明现象,这叫失透(又叫析晶性)是石英管的一个固有缺陷,属正常现象。三、管式炉在气氛条件下使用,气体在高温下会膨胀,导致管内压力变大,使用者应及时开启针阀,排出气体。    真空管式炉主要应用在哪些领域?日常比较常见的玻璃、LED的发光材料等,都是利用真空管式炉进行处理的。佛山PECVD管式炉研究所**

    立式管式炉的详细使用方法以及在使用的时候需要注意哪些?1、操作人员在使用立式管式炉之前,要具有相应的电气设备操作资格,并且还要熟悉立式管式炉随机的仪表说明书。用户开关板是给电炉送电的,这个之后程序表就有了电,然后根据温度仪表说明书来设定仪表,根据工艺的要求来编制加热程序,打开加热旋钮,让加热功率达到6千瓦。2、程序设定的温度不能高于电炉的参数温度;立式管式炉在工作的时候,不能打开炉门,在取出产品的时候,要等到炉温下降到100摄氏度以下才可以;立式管式炉在升温加热的时候,其加热功率不能超过6千瓦,否则的话会损坏加热元件。3、立式管式炉使用或长时间不用时,要在120℃左右烘烤1小时,在300℃左右烘烤2小时后使用,以免造成炉膛开裂,炉温不得超过额定温度,以免损坏加热元件及炉衬,禁止向炉膛内直接灌注各种液体及溶解金属,保持炉内的清洁。冷炉使用时,由于炉膛是冷的,须大量吸热,所以低温段升温速率不易过快,各温度段的升温速率差别不易太大,设置升温速率时应充分考虑所烧结材料的物理化学性质,以免出现喷料现象,污染炉膛。              山东箱式炉参考价管式炉的使用注意事项:定期检查温度控制系统的电器连接部分的接触是否良好。

箱式炉采用多晶陶瓷纤维精制炉膛,炉膛表面涂有高温氧化铝涂层,有效提高加热效率,延长使用寿命;以含钼电阻丝为加热元件,.高温度可达1200℃;双层壳体结构,先进的真空隔热技术,箱式炉炉膛,较大降低箱体表面温度;K型热电偶配以PID智能30段温控系统,箱式炉,并配有过温、断偶、过流保护等功能该炉具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点。主要供合金钢制品、各种金属机件正火、淬火、退火等热处理之用,或金刚石等切割刀片进行高温烧结用途。普遍用于陶瓷、冶金、电子、玻璃、化工、机械、耐火材料、新材料开发、特种材料、建材等领域的生产及实验。                       

提高管式炉热效率的目的是为了节能,而炼油装置管式炉的节能措施比一般工业炉要灵活得多,一个装置内常常不止一台管式炉,另外还有各种其他设备,它们之间在热能利用方面往往是可以互补的,这就有可能把管式炉同整个装置结合在一起,较全考虑和优化,以便采取综合节能措施。在测量时有一台微机助手的话,在数据处理方面,利用微软电子表格软件的计算和自动制图功能,那么测试管式炉的温场分布工作将会变的简单方便。对于新安装和使用一段时间的电阻炉以及修理后的管式炉,必须对其轴向温场分布进行测试,以便于其进行调整,确保热电偶的检定质量。管式炉具有抗干扰能力强,控制精度高,冲温值小的特点。

PECVD管式炉的主要特点:1.气体预热——增加前端气体预热区,沉积速度更快,成膜效果更好;2.AIO控制系统——加热控制、等离子射频控制、气体流量控制、真空系统控制集中于一个7英寸触摸屏进行统一集中调节和操控,协调控制——科探AIO控制系统;3.管内压力自动平衡——管内压力实时监测,自动平衡管内压力。4.智能气路通断——每路气体均可定时通断,省时省力;5.射频功率和开关定时控制——预先设定好功率的大小和打开与关闭的时间,自动运行;6.炉膛移动速度可调——根据实验要求,用户可设定炉膛左右移动的速度可距离;7.整机结构融为一体——移动方便,避免分散组装的困扰。使用真空管式炉的操作:升温和定温分别是以红灯和绿灯表示的,红灯表示恒温,绿灯则表示升温。箱式炉批发价

使用真空管式炉的操作:在检查接线正确之后,盖上控制器的外壳,把温度指示仪的指针调到所需要的工作温度。佛山PECVD管式炉研究所**

PECVD管式炉的具体工艺流程?硅烷与氨气反应生成SiN淀积在硅片表面形成减反射膜。利用高频电源辉光放电产生等离子体对化学气相沉积过程施加影响的技术。由于等离子体存在,促进气体分子的分解、化合、激发和电离,促进反应活性基团的生成,从而降低沉积温度。PECVD在200℃~500℃范围内成膜,远小于其它CVD在700℃~950℃范围内成膜。反应过程中有大量的氢离子注入到硅片中,使硅片中悬挂键饱和、缺陷失去活性,达到表面钝化和体钝化的目的。             佛山PECVD管式炉研究所**

与炉相关的文章
与炉相关的**
产品中心 更多+
信息来源于互联网 本站不为信息真实性负责