荧光寿命成像基本参数
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荧光寿命成像企业商机

荧光寿命可以在频域或者时间域测量。时间域测量方法涉及用短光脉冲照射样品(比色皿、细胞或组织),然后随时间测量发射强度。FLT由衰减曲线的斜率确定。有几种荧光检测方法可用于寿命测量,其中时间相关单光子计数(TCSPC)可实现简单的数据收集和增强的定量光子计数。频域方法涉及高频率入射光的正弦调制。在该方法中,发射发生在与入射光相同的频率处,并且随着激发光兼有相位延迟和振幅的变化(解调)。寿命测量不需要波长比率探针来提供众多分析物的定量测定。寿命法通过使用光谱位移探针扩展了分析物浓度范围的灵敏度。寿命测量可用于没有直接探针的分析物。包括葡萄糖、抗原或基于荧光能量转移转导机制的任何亲和力或免疫测定。荧光寿命成像的发展很好地弥补了基于强度成像的问题,对生物医学检测有着重要的意义。上海分子荧光寿命成像

荧光寿命是荧光分子在激发态停留的时间,这个时间可以反映荧光分子的内在属性和所处的微环境,是一个很有用的工具。以往,荧光寿命的测量和计算是件非常复杂和耗时的工作,只有少数专业的科学家关注和使用该工具。传统的多色成像实验根据光谱差异来设计,会有串色等限制,而且需要多次采集图像,会造成样品的光损伤。通过荧光寿命来进行成像,只需要拍摄一次就完成图像采集,不但减少了成像时间,而且降低了激光对样品的损伤。荧光寿命成像使用简单,方便快捷,不需要进行参数调节。广州多色荧光寿命成像供货商荧光寿命成像在生物医学领域有广阔的应用前景。

荧光寿命成像分析:荧光寿命是用于几种生物测定的稳健参数。它有可能替代传统的测量技术,如吸收法、冷光法或荧光强度法3。荧光团物理化学环境的任何变化都会导致荧光寿命的改变。可通过各种机制来研发基于寿命的分析,例如简单的结合测定,涉及到两个组分的结合(一个被荧光标记)而引起FLT的变化。另一种机制是猝灭释放型测定,涉及大量过量存在的猝灭物质,其具有低而有限的荧光。一旦荧光化合物被释放(通过酶促反应或与互补DNA结合),系统的寿命就会改变。FLT可与FRET(荧光共振能量转移)分析结合用于能量转移效率测量。

荧光寿命成像技术有两种:时间域和频率域。(1)时域FLIM:需要脉冲光源,所以一般在双光子的系统上比较常见FLIM(荧光寿命成像Fluorescence Life-time imaging Microcopy简称FLIM),理由一是激光是脉冲的,二是买双光子的老师一般也搭配一个FLIM。(2)频域FLIM:需要一个相位调制的光源,有用LED调制的。荧光寿命成像FLIM的应用:1)细胞体自身荧光寿命分析;2)自身荧光相对荧光标记的有效区分;3)具有相同频谱性质的不同荧光标记的区分;4)活细胞内水介质的PH值测量;5)局部氧气浓度测量;6)活细胞内钙浓度测量;7)时间分辨Forster共振能量转移(FRET):纳米级尺度上的远程测量,环境敏感的FRET探针定量测量。荧光寿命检测经典方法为点对点的时间相关单光子计数(TCSPC)。

荧光寿命成像技术(Fluorescence Lifetime ImagingMicroscopy,FLIM)是一种在显微尺度下展现荧光寿命空间分布的技术,由于其不受样品浓度影响,具有其他荧光成像技术无法代替的优异性能,目前在生物医学工程、光电半导体材料等领域是一种重要的表征测量手段。荧光和荧光寿命:分子包含多个单能态S0、S1、S2…和三重态T1…,每个能态都包含多个精细的能级。正常情况下,大部分电子处在*低能态即基态S0 的*低能级上,当分子被光束照射,会吸收光子能量,电子被激发到更高的能态S1 或S2 上,在S2 能态上的电子只能存在很短暂的时间,便会通过内转换过程跃迁到S1 上,而S1 能态上的电子亦会在极短时间内跃迁到S1 的*低能级上,而这些电子会存在一段时间后通过震荡弛豫辐射跃迁到基态,这个过程会释放一个光子,即荧光。此外,亦会有电子跃迁至三重态T1 上,再由T1 跃迁至基态,我们称之为磷光。荧光寿命成像具有其它荧光显微镜所具有的高灵敏度、可检测人体生物样品等优点。广州多色荧光寿命成像供货商

荧光寿命成像提供了寿命分布的二维图形视图。上海分子荧光寿命成像

市场上荧光寿命的测量方式可分为时域法和频域法,两者在本质上是相通的,测量精度相近,频域技术是时域法的傅里叶变换的延伸。时域和频域技术在各种显微寿命成像平台中都有应用,时间相关单光子计数方法(TCSPC )是常见的时域技术,而新兴的数字频域技术(FastFLIM™ )则取代了传统的模拟频域技术,凭借其独恃的优势成为应用广的频域技术。荧光寿命成像主要通过TCSPC技术(Time-Correlated Single Photon Counting)实现。由于TCSPC系统,一个激光脉冲只采集一个光子信号,所以激光器的重复频率决定了系统的数据采集速度。重频越高,采集速度越快,数据信噪比越好。上海分子荧光寿命成像

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