电子式压力开关,它的工作的原理是:使用指针压力传感器测量介质压力,而后把被测得的压力转换为数字信号送到可编程逻辑器件PLC控制其上下限压力,当压力达到预设定的压力时输出电压驱动电机或者其他可控制器件。这种压力开关具有较多缺点,由于使用指针式压力传感器,导致度不高,可观性差;整个压力开关造价高,可操控性繁琐。新技术的电子式压力开关,采用高精度压力传感器及温度补偿技术,结合微处理技术和先进的模数转换器而设计生产的。这种压力开关内置精密压力传感器,通过高精度仪表放大器放大压力信号,通过高速MCU采集并处理数据,采用LCD或LED实时数显压力,继电器信号输出,上下限控制点可以自由设定,稳定可靠,精度高。缺点是价格极高。机械式压力开关和电子式压力开关各有优势,它们共同推动着压力测量的向前发展。中宣仪表建议用户根据自身情况按需选择。压力传感控制器在液压系统中主要是来完成力的闭环控制。吉林防爆压力控制器收购价格
EXD504/7D防爆压力控制器,防爆标志ExedⅡCT4~T5
控制器采用无泄漏活塞式的传感器用于非腐蚀性气体、液体介质,设定值调节规模0.3~40Mpa。
主要技术指标
可用于腐蚀性介质,也空气、气体、水、液压油、润滑油、轻燃油等。
作业粘度:<1╳10-3m2/s
防爆等级:ExedIICT4~T6
外壳防护等级:IP54(DIN40050)
环境温度:-5~40℃
介质温度:0~90℃
接口方向:压力接口垂直向下
抗振性能:Max:20m/s2
重复性误差:≤1.5%
触点容量DC250V0.25A(阻性)60Wmax
DC250V5A(阻性)1250VAmax
AC250V5A(阻性)1250Wmax
安徽二位式压力控制器出厂价控制器分电子式压力控制器和机械式压力控制器。
早在1930年,出现了首台压力传感器,一直到现在传感器技术持续不断的发展,新研制或生产的压力传感器必须对它的技术性能进行大面积检测,以此来保证它的测量值的准确。目前,校准的基本方法是采用压力控制器,压力控制器提供一个稳定的已知的压力输入给待校准的压力传感器,同时得到压力传感器的输出量后,再处理和比较压力传感器输入量与输出量,从而获得一系列表征两者对应关系的曲线,从而得到压力传感器件性能指标的实测结果。在生产过程中对压力传感器进行校准,其实质是用压力控制器或者校准器内的高精度的压力传感器对低精度的压力传感器进行比对,定值。
电容式压力传感器是一种利用电容作为敏感元件,将被测压力转换成电容值改变的压力传感器。这种压力传感器一般采用圆形金属薄膜或镀金属薄膜作为电容器的一个电极,当薄膜感受压力而变形时,薄膜与固定电极之间形成的电容量发生变化,通过测量电路即可输出与电压成一定关系的电信号。电容式压力传感器属于极距变化型电容式传感器,可分为单电容式压力传感器和差动电容式压力传感器。单电容式压力传感器由圆形薄膜与固定电极构成。薄膜在压力的作用下变形,从而改变电容器的容量,其灵敏度大致与薄膜的面积和压力成正比而与薄膜的张力和薄膜到固定电极的距离成反比。另一种型式的固定电极取凹形球面状,膜片为周边固定的张紧平面,膜片可用塑料镀金属层的方法制成。这种型式适于测量低压,并有较高过载能力。还可以采用带活塞动极膜片制成测量高压的单电容式压力传感器。这种型式可减小膜片的直接受压面积,以便采用较薄的膜片提高灵敏度。它还与各种补偿和保护部以及放大电路整体封装在一起,以便提高抗干扰能力。这种传感器适于测量动态高压和对飞行器进行遥测。单电容式压力传感器还有传声器式(即话筒式)和听诊器式等型式。上海自动化供应D500/18D压力控制器,欢迎来电咨询!
压力开关松开锁紧器,将产品旋入压力校验台的螺纹接口上,注意用扳手夹持传感器的平面部分,防止开关壳体与传感器发生相对转动;打开盖板,将电缆穿过电缆接口接入端子板中,电缆另一头接上万用表;将压力加至;顺时针旋动设定值调节螺杆,使设定值由大变小,直至开关触点在;旋紧锁紧器,调节压力校验台的压力,使压力在,检验压力上升时,触点的切换值是否是,此值即为要设定的上切换值,其对应的下切换值应是(左右),即为(左右)。在制冷系统中会用到很多压力控制器,并由触点的通断对压力进行控制。吉林差压控制器要多少钱
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压阻压力传感器是指利用单晶硅材料的压阻效应和集成电路技术制成的传感器。单晶硅材料在受到力的作用后,电阻率发生变化,通过测量电路就可得到正比于力变化的电信号输出。它又称为扩散硅压阻压力传感器,它不同于粘贴式应变计需通过弹性敏感元件间接感受外力,而是直接通过硅膜片感受被测压力的。压阻压力传感器主要基于压阻效应(Piezoresistiveeffect)。压阻效应是用来描述材料在受到机械式应力下所产生的电阻变化。不同于压电效应,压阻效应只产生阻抗变化,并不会产生电荷。大多数金属材料与半导体材料都被发现具有压阻效应。其中半导体材料中的压阻效应远大于金属。由于硅是现今集成电路的主要原料,以硅制作而成的压阻性元件的应用就变得非常有意义。硅的电阻变化不单是来自与应力有关的几何形变,而且也来自材料本身与应力相关的电阻,这使得其程度因子大于金属数百倍之多。N型硅的电阻变化主要是由于其三个导带谷对的位移所造成不同迁移率的导带谷间的载子重新分布,进而使得电子在不同流动方向上的迁移率发生改变。其次是由于来自与导带谷形状的改变相关的等效质量(effectivemass)的变化。在P型硅中,此现象变得更复杂,而且也导致等效质量改变及电洞转换。吉林防爆压力控制器收购价格
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