高压压力控制器用于控制高压压力或者说排气压力，在风冷式冷凝器风量不足或断风时，水冷式冷凝器水量不足或水温过高，甚至断水时，或其它原因致使高压压力超过压力控制器调定值时，控制器跳开，断开接触器的电路，使压缩机停机，保护系统，高压控制器的调定压力以制冷剂的种类及压缩机的性能有关。低压压力控制器，用于控制低压压力或者吸气压力。当系统缺少制冷剂，或者遇堵塞、忘开阀门，或者热负荷过低及其它原因导致低压过低时，控制器起跳，断开接触器的电路，使压缩机停机保护压缩机不在过低压力下运转，提高系统运行的经济性。控制器咨询报价哪家好？推荐咨询：上海中和自动化仪表有限公司！陕西小切换差压型压力控制器厂家报价
压力控制器D500/18D
本控制器选用膜片式传感器，可用于空气、气体等中性气体和水，液压油、轻燃油、润滑油及其他对压力传感器材料无腐蚀效果的液体介质。控制器的设定值可调，调理范围－0.1～1.6MPa。
首要技术指标
作业粘度：<1╳10-3m2/s
外壳防护等级：IP65（DIN40050）
环境温度：-25～55℃
介质温度：-25～80℃
接口方向：压力接口笔直向下
抗振性能：Max：150m/s2
重复性差错：≤1.5%
触点容量DC250V0.2A（阻性）1250VAmax
AC
250V3A（阻性） 湖北二位式压力控制器什么价格高压压力控制器和低压压力控制器的作用原理相同。
D501/7D防爆压力控制器防爆标志ExedⅡCT4～T6膜片式传感器用于中性气体、液体介质。设定值调理范围-0…2.5MPa
本压力控制器的下列零件契合
微动开关——防爆标志ExdⅡCT6（隔爆型）
接线端子——防爆标志ExeⅡT6
防爆外壳——防爆等级eⅡ（增安型）
本产品国家仪器仪表防爆安全监督查验站查验合格，合格证编号为GYB081516X
主要技术指标
可用于空气、气体、水、液压油、润滑油、轻燃油等工作粘度：<1×10-3m2/s
外壳防护等级：IP54
（DIN40050）
环境温度：-5～40℃
介质温度：0～90℃
接口方向：压力接口垂直向下
抗振功能：Max：40m/s2
重复性差错：≤1.5%
触点容量:DC250V0.25A（阻性）60Wmax
AC250V5A（阻性）1250VAmax
电容式压力传感器是一种利用电容作为敏感元件，将被测压力转换成电容值改变的压力传感器。这种压力传感器一般采用圆形金属薄膜或镀金属薄膜作为电容器的一个电极，当薄膜感受压力而变形时，薄膜与固定电极之间形成的电容量发生变化，通过测量电路即可输出与电压成一定关系的电信号。电容式压力传感器属于极距变化型电容式传感器，可分为单电容式压力传感器和差动电容式压力传感器。差动电容式压力传感器的受压膜片电极位于两个固定电极之间，构成两个电容器。在压力的作用下一个电容器的容量增大而另一个则相应减小，测量结果由差动式电路输出。它的固定电极是在凹曲的玻璃表面上镀金属层而制成。过载时膜片受到凹面的保护而不致破裂。差动电容式压力传感器比单电容式的灵敏度高、线性度好，但加工较困难（特别是难以保证对称性），而且不能实现对被测气体或液体的隔离，因此不宜于工作在有腐蚀性或杂质的流体中。压力控制器是在数字压力计的基础上，利用继电器输出信号，进行上下限控制。
压力开关是一种简单的压力控制装置，当被测压力达到额定值时，压力开关可发出警报或控制信号。是当系统内压力高于或低于额定的安全压力时，感应器内膜片瞬时发生移动，通过连接导杆推动开关接头接通或断开，当压力降至或升额定的恢复值时，膜片瞬复位，开关自动复位，或者简单的说是当被测压力超过额定值时，弹性元件的自由端产生位移，直接或经过比较后推动开关元件，改变开关元件的通断状态，达到控制被测压力的目的。压力开关采用的弹性元件有单圈弹簧管、膜片、膜盒及波纹管等。开关元件有磁性开关、**开关、微动开关等。小切换差压型压力控制器哪家好？推荐咨询：上海中和自动化仪表有限公司！浙江温度控制器价格
压力传感控制器是工业实践中常用的一种传感器。陕西小切换差压型压力控制器厂家报价
压阻压力传感器是指利用单晶硅材料的压阻效应和集成电路技术制成的传感器。单晶硅材料在受到力的作用后，电阻率发生变化，通过测量电路就可得到正比于力变化的电信号输出。它又称为扩散硅压阻压力传感器，它不同于粘贴式应变计需通过弹性敏感元件间接感受外力，而是直接通过硅膜片感受被测压力的。压阻压力传感器主要基于压阻效应（Piezoresistiveeffect）。压阻效应是用来描述材料在受到机械式应力下所产生的电阻变化。不同于压电效应，压阻效应只产生阻抗变化，并不会产生电荷。大多数金属材料与半导体材料都被发现具有压阻效应。其中半导体材料中的压阻效应远大于金属。由于硅是现今集成电路的主要原料，以硅制作而成的压阻性元件的应用就变得非常有意义。硅的电阻变化不单是来自与应力有关的几何形变，而且也来自材料本身与应力相关的电阻，这使得其程度因子大于金属数百倍之多。N型硅的电阻变化主要是由于其三个导带谷对的位移所造成不同迁移率的导带谷间的载子重新分布，进而使得电子在不同流动方向上的迁移率发生改变。其次是由于来自与导带谷形状的改变相关的等效质量(effectivemass)的变化。在P型硅中，此现象变得更复杂，而且也导致等效质量改变及电洞转换。陕西小切换差压型压力控制器厂家报价
