广西激光粒度分析仪报价

CMP(化学机械抛光)工艺中磨料颗粒的高精度粒径表征随着半导体工业飞速发展，电子器件尺寸缩小，要求晶片表面平整度达到纳米级。CMP工艺作为芯片制造业不可或缺的一个部分，其对于磨料的颗粒粒度表征要求十分重要。CMP过程中使用的磨料颗粒典型尺寸范围是10-200nm，其颗粒表征要求精确地确定纳米级颗粒的尺寸，因此高分辨率纳米粒度分析仪是磨料颗粒表征的完美解决方案。磨料对CMP工艺起着至关重要的作用！欢迎选用CPS纳米粒度分析仪为您完美解决磨料颗粒问题！驰光机电科技有限公司不断完善自我，满足客户需求。广西激光粒度分析仪报价

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而CMP工艺离不开研磨料的发展，那么对于磨料的颗粒粒度表征就显得尤为重要了。CMP就是用化学腐蚀和机械力对加工过程中的硅晶圆或其它衬底材料进行平滑处理。将硅片固定在抛光头的较下面，将抛光垫放置在研磨盘上，抛光时，旋转的抛光头以一定的压力压在旋转的抛光垫上，由亚微米或纳米磨粒和化学溶液组成的研磨液在硅片表面和抛光垫之间流动，然后研磨液在抛光垫的传输和离心力的作用下，均匀分布其上，在硅片和抛光垫之间形成一层研磨液液体薄膜。

而化学机械抛光（Chemical mechanical polishing，CMP）是集成电路芯片的一个关键制程，国内抛光所用关键材料CMP抛光垫，几乎全部依赖进口。CMP典型的抛光浆料都是纳米级发烟硅石(5Vol%，170-230nm)、高纯硅胶(9Vol%，6-80nm)、氧化铈(6Vol%，200-240nm)或氧化铝颗粒，它们的粒度或粒度分布必须小心地进行控制以免在抛光面上产生刮痕。CMP浆料的分散稳定性和保存期也是必须被认真考虑的重要环节。这种纳米浆料的使用浓度一般在(5-30W%)，容易聚集。随着贮存时间延长，它的粒度可能增大从而导致损害的产生。驰光机电科技以诚信为根本，以质量服务求生存。

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