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光刻机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG610,EVG620NT,EVG®6200NT,IQ Aligner,HERCULES
  • 是否定制
光刻机企业商机

HERCULES光刻轨道系统技术数据:对准方式:上侧对准:≤±0.5µm;底侧对准:≤±1,0µm;红外校准:≤±2,0µm/具体取决于基材先进的对准功能:手动对准;自动对准;动态对准。对准偏移校正:自动交叉校正/手动交叉校正;大间隙对准。工业自动化功能:盒式磁带/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄,弯曲,翘曲,边缘晶圆处理曝光源:汞光源/紫外线LED光源曝光设定:真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式楔形补偿:全自动软件控制;非接触式曝光选项:间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光系统控制操作系统:Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR实时远程访问,诊断和故障排除IQ Aligner NT 光刻机系统使用零辅助桥接工具-双基片,支持200mm和300mm尺寸的晶圆。福建实验室光刻机

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光刻机软件支持基于Windows的图形用户界面的设计,注重用户友好性,并可轻松引导操作员完成每个流程步骤。多语言支持,单个用户帐户设置和集成错误记录/报告和恢复,可以简化用户的日常操作。所有EVG系统都可以远程通信。因此,我们的服务包括通过安全连接,电话或电子邮件,对包括经过现场验证的,实时远程诊断和排除故障。EVG经验丰富的工艺工程师随时准备为您提供支持,这得益于我们分散的全球支持机构,包括三大洲的洁净室空间:欧洲(HQ),亚洲(日本)和北美(美国).晶圆片光刻机可以试用吗EVG620 NT / EVG6200 NT可从手动到自动的基片处理,能够实现现场升级。

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EVG®620NT掩模对准系统(半自动/自动)特色:EVG®620NT提供国家的本领域掩模对准技术在蕞小化的占位面积,支持高达150毫米晶圆尺寸。技术数据:EVG620NT以其多功能性和可靠性而著称,在蕞小的占位面积上结合了先进的对准功能和蕞优化的总体拥有成本,提供了蕞先近的掩模对准技术。它是光学双面光刻的理想工具,可提供半自动或自动配置以及可选的全覆盖Gen2解决方案,以满足大批量生产要求和制造标准。拥有操作员友好型软件,蕞短的掩模和工具更换时间以及高/效的全球服务和支持,使它成为任何制造环境的理想解决方案。

EVG®620NT掩模对准系统(半自动/自动)特色:EVG®620NT提供国家的本领域掩模对准技术在ZUI小化的占位面积,支持高达150毫米晶圆尺寸。技术数据:EVG620NT以其多功能性和可靠性而著称,在ZUI小的占位面积上结合了先进的对准功能和ZUI优化的总体拥有成本,提供了ZUI先进的掩模对准技术。它是光学双面光刻的理想工具,可提供半自动或自动配置以及可选的全覆盖Gen2解决方案,以满足大批量生产要求和制造标准。拥有操作员友好型软件,ZUI短的掩模和工具更换时间以及高/效的全球服务和支持,使它成为任何制造环境的理想解决方案。HERCULES对准精度:上侧对准:≤±0.5µm;底侧对准:≤±1,0µm;红外校准:≤±2,0µm/具体取决于基材。

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我们可以根据您的需求提供进行优化的多用途系统。我们的掩模对准系统设计用于从掩模对准到键合对准的快速简便转换。此外,可以使用用于压印光刻的可选工具集,例如UV-纳米压印光刻,热压印或微接触印刷。所有系统均支持原位对准验证软件,以提高手动操作系统的对准精度和可重复性。EVG620NT/EVG6200NT可从手动到自动基片处理,实现现场升级。此外,所有掩模对准器都支持EVG专有的NIL技术。如果您需要纳米压印设备,请访问我们的官网,或者直接联系我们。HERCULES的桥接工具系统可对多种尺寸的晶圆进行易碎,薄或翘曲的晶圆处理。福建实验室光刻机

光刻机在集成电路制造中有重要的作用,能实现高分辨率、高精度图案转移,是微纳米器件制造关键工艺设备。福建实验室光刻机

光刻机处理结果:EVG在光刻技术方面的合心竞争力在于其掩模对准系统(EVG6xx和IQAligner系列)以及高度集成的涂层平台(EVG1xx系列)的高吞吐量的接近和接触曝光能力。EVG所有光刻设备平台均为300mm,可完全集成到HERCULES光刻轨道系统中,并辅以其用于从上到下侧对准验证的计量工具。高级封装:在EVG®IQAligner®上结合NanoSpray™曝光的涂层TSV底部开口;在EVG的IQAlignerNT®上进行撞击40μm厚抗蚀剂;负侧壁,带有金属兼容的剥离抗蚀剂涂层;金属垫在结构的中间;用于LIGA结构的高纵横比结构,用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蚀剂的结果;西门子星状测试图暴露在EVG®6200NT上,展示了膏分辨率的厚抗蚀剂图形处理能力;MEMS结构在20μm厚的抗蚀剂图形化的结果。福建实验室光刻机

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