白光干涉的分析方法利用白光干涉感知空间位置的变化，从而得到被测物体的信息。它是在单色光相移干涉术的基础上发展而来的。单色光相移干涉术利用光路使参考光和被测表面的反射光发生干涉，再使用相移的方法调制相位，利用干涉场中光强的变化计算出其每个数据点的初始相位，但是这样得到的相位是位于（-π，+π]间，所以得到的是不连续的相位。因此，需要进行相位展开使其变为连续相位。再利用高度与相位的信息求出被测物体的表面形貌。单色光相移法具有测量速度快、测量分辨力高、对背景光强不敏感等优点。但是，由于单色光干涉无法确定干涉条纹的零级位置。因此，在相位解包裹中无法得到相位差的周期数，所以只能假定相位差不超过一个周期，相当于测试表面的相邻高度不能超过四分之一波长。这就限制了其测量的范围，使它只能测试连续结构或者光滑表面结构。白光干涉膜厚测量技术可以应用于纳米制造中的薄膜厚度测量。膜厚仪技术
自1986年E.Wolf证明了相关诱导光谱的变化以来，人们在理论和实验上展开了讨论和研究。结果表明，动态的光谱位移可以产生新的滤波器，应用于光学信号处理和加密领域。在论文中，我们提出的基于白光干涉光谱单峰值波长移动的解调方案，可以用于当光程差非常小导致其干涉光谱只有一个干涉峰时的信号解调，实现纳米薄膜厚度测量。在频域干涉中，当干涉光程差超过光源相干长度的时候，仍然可以观察到干涉条纹。出现这种现象的原因是白光光源的光谱可以看成是许多单色光的叠加，每一列单色光的相干长度都是无限的。当我们使用光谱仪来接收干涉光谱时，由于光谱仪光栅的分光作用，将宽光谱的白光变成了窄带光谱，从而使相干长度发生变化。原装膜厚仪以客为尊白光干涉膜厚测量技术可以通过对干涉图像的分析实现对薄膜的表面和内部结构的联合测量和分析。
利用包络线法计算薄膜的光学常数和厚度，但还存在很多不足，包络线法需要产生干涉波动，要求在测量波段内存在多个干涉极值点，且干涉极值点足够多，精度才高。理想的包络线是根据联合透射曲线的切点建立的，在没有正确方法建立包络线时，通常使用抛物线插值法建立，这样造成的误差较大。包络法对测量对象要求高，如果薄膜较薄或厚度不足情况下，会造成干涉条纹减少，干涉波峰个数较少，要利用干涉极值点建立包络线就越困难，且利用抛物线插值法拟合也很困难，从而降低该方法的准确度。其次，薄膜吸收的强弱也会影响该方法的准确度，对于吸收较强的薄膜，随干涉条纹减少，极大值与极小值包络线逐渐汇聚成一条曲线，该方法就不再适用。因此，包络法适用于膜层较厚且弱吸收的样品。
光纤白光干涉此次实验所设计的解调系统是通过检测干涉峰值的中心波长的移动实现的，所以光源中心波长的稳定性将对实验结果产生很大的影响。实验中我们所选用的光源是由INPHENIX公司生产的SLED光源，相对于一般的宽带光源具有输出功率高、覆盖光谱范围宽等特点。该光源采用+5V的直流供电，标定中心波长为1550nm，且其输出功率在一定范围内是可调的，驱动电流可以达到600mA。测量使用的是宽谱光源。光源的输出光功率和中心波长的稳定性是光源选取时需要重点考虑的参数。白光干涉膜厚测量技术可以实现对薄膜表面形貌的测量。
莫侯伊膜厚仪在半导体行业中具有重要的应用价值膜厚仪的测量原理主要基于光学干涉原理。当光波穿过薄膜时，会发生干涉现象，根据干涉条纹的变化可以推导出薄膜的厚度。利用这一原理，通过测量干涉条纹的间距或相位差来计算薄膜的厚度。膜厚仪通常包括光源、光路系统、检测器和数据处理系统等部件，能够实现对薄膜厚度的高精度测量。在半导体行业中，薄膜的具体测量方法主要包括椭偏仪法、X射线衍射法和原子力显微镜法等。椭偏仪法是一种常用的薄膜测量方法，它利用薄膜对椭偏光的旋转角度来计算薄膜的厚度。X射线衍射法则是通过测量衍射光的角度和强度来确定薄膜的厚度和结晶结构。原子力显微镜法则是通过探针与薄膜表面的相互作用来获取表面形貌和厚度信息。这些方法各有特点，可以根据具体的测量要求选择合适的方法进行薄膜厚度测量。薄膜的厚度对于半导体器件的性能和稳定性具有重要影响，因此膜厚仪的测量原理和具体测量方法在半导体行业中具有重要意义。随着半导体工艺的不断发展，对薄膜厚度的要求也越来越高，膜厚仪的研究和应用将继续成为半导体行业中的热点领域。该技术可以通过测量干涉曲线来计算薄膜的厚度。防水膜厚仪市场价格
白光干涉膜厚测量技术可以实现对薄膜的三维成像和分析。膜厚仪技术
对同一靶丸相同位置进行白光垂直扫描干涉，建立靶丸的垂直扫描干涉装置，通过控制光学轮廓仪的运动机构带动干涉物镜在垂直方向上的移动，从而测量到光线穿过靶丸后反射到参考镜与到达基底直接反射回参考镜的光线之间的光程差，显然，当一束平行光穿过靶丸后，偏离靶丸中心越远的光线，测量到的有效壁厚越大，其光程差也越大，但这并不表示靶丸壳层的厚度，存在误差，穿过靶丸中心的光线测得的光程差才对应靶丸的上、下壳层的厚度。膜厚仪技术
