二、装置构成1、GIS罐体：2个**气室，全真模拟GIS母线、壳体及盆式绝缘子；2、无局放电源：工频升压装置，自身局放量不超过0.5pC；3、放电模型：内置前列放电、气隙放电、悬浮放电、颗粒放电及盆式绝缘子沿面放电共5种模型，可模拟GIS内部前述5种单一缺陷和不同组合缺陷；4、耦合电容：支持脉冲电流法检测，满足GB/T7354及IEC60270要求；5、内置特高频传感器：支持特高频法局部放电带电检测，频率范围0.3-2GHz；6、内置摄像头：可实时观察罐体内部放电模型动作情况；7、根据实际需要，可增配示波器或频谱分析仪等；8、其他：盆式绝缘子浇筑口处支持外置特高频传感器局放检测;9、GZFZ-G系列GIS局部放电检测教研装置的相关结构示意如下图1、图2所示：为什么要进行局部放电重症监护？低压局部放电基本理论
GZPD-2300系列分布式GIS耐压同步局部放电监测与定位系统基于声电联合检测技术，综合采用特高频、超声波检测技术分析诊断，利用信号强度及信号时延进行快速、精确定位。由于在GIS内部放电或击穿时会产生特高频和超声波信号，由于特高频信号传送距离远，先利用特高频信号特征实现大致定位，再利用超声波的信号特征实现精确定位；采用特高频定位时将两个以上特高频传感器安装在非密封的盆式绝缘子上，根据特高频信号幅度的大小，实现粗略的定位；超声波信号会就近传至GIS外壳并沿外壳传播，只需在GIS壳体上安装超声波传感器即可对该信号进行检测。由于在GIS壳体不同位置所检测到的声波信号的传播时间及信号强度均有所差异，故可根据信号的传播时间差及信号幅度的大小，准确判断放电信号的部位，并且还可通过敲击GIS外壳的方法，进一步验证定位的准确性。带电局部放电测试什么GZPD系列手持式多功能局部放电监测仪遵循标准。
了解局部放电 (PD) 测试。在尝试测量或测试PD之前，让我们首先了解我们在寻找什么！局部放电——什么、何地、何时？局部放电是发生在电气设备绝缘层内的微小电火花。这种放电穿过介电材料并连接外壳内的通电导体。重要的是要注意，PD活动可以发生在电介质内的任何地方，其中材料的击穿强度不再足以抵消系统中产生的电场强度。击穿强度表示绝缘的健康状况。由于介电材料的裂缝、空洞、污染和其他问题，它往往会变弱，这些问题是老化、磨损或暴露于天气因素的理想迹象。如果不及时检测和修复，这些通常发生在2,000V或以上电压下的放电能够完全侵蚀绝缘并导致意外中断。大多数中压/高压设备的破坏性故障是局部放电活动的结果。
GZPD-234系列便携式局部放电监测系统构成如左下图所示，主要包括下列4类组件：Ø感知单元：高频脉冲电流传感器、特高频传感器、暂态对地电压传感器、超声波传感器、射频传感器，以及特高频、暂态地电波、超声波三合一的传感器；Ø同步单元：支持线圈同步及无线同步；Ø监测主机：具备信号放大、滤波、A/D转换功能，支持多通道同步的实时采集；Ø操控、分析单元：系统软件及笔记本电脑（或一体机的内置工控电脑），具备信号采集及智能分析功能，支持脉冲波形、波形频谱、PRPD图谱、等效时频图谱(TF-Map)、放电基本参数显示，可实现地图筛选、分组筛选、放电类型识别、自动保存等功能。什么是离线局放测试？
工频同步线圈带宽为10Hz~20kHz，比较高灵敏度及**小输出阻抗分别为1mV/A和100kΩ，并可根据电缆运行电流大小选取20A、200A或2000A量程。采集主机支持3通道电流脉冲信号及单通道工频同步信号同步采集，内置积分、滤波、放大、A/D转换等信号调理电路，采样频率为100MS/s，采样精度为12位，可确保准确监测局部放电脉冲电流信号并抑制噪音干扰。分布式局部放电监测系统采用WIFI、3G/4G等无线方式实时传输采集数据，可有效降低现场监测的人力成本，具有传输方式灵活、距离远、稳定可靠的优点。同时，物理空间上采用分布式组网，支持32个数据采集点同时监测与分析，可完成15km高压电缆线路交接试验及在线监测（疑似问题电缆的绝缘状态诊断）。局部放电测试——适用性。GIS局部放电监测诊断
GZPD-4D系列分布式局部放电监测与评价系统相关标准。低压局部放电基本理论
5.2应用案例5.2.1220kV高压电缆耐压试验同步局放监测案例山东省济南市220kV美铁线43#塔至济西牵引站新立门型架构工程投运前，客户决定采用我司的GZPD-4D/3型分布式局部放电监测与评价系统对两回路电缆进行交接试验，终端接头处施加216kV交流电压，分别对两条回路的三相电缆施加逐步增加至216kV的电压，并保持一个小时。过程中通过趋势图看出兰渡线A相有较大放电信号，放电幅值达到12000pC，并且部分放电信号超出系统量程，频次分别为1000、800以上，确定该电缆附件在耐压试验中有强烈的放电现场，后经解剖发现是厂家制作过程中将受潮的配件用在了接头中，导致问题；更换接头后，局放信号消失。低压局部放电基本理论
