Abouie M 等人［4］针对金—硅共晶键合过程中凹坑对键合质量的影响展开研究，提出一种以非晶硅为基材的金—硅共晶键合工艺以减少凹坑的形成，但非晶硅的实际应用限制较大。康兴华等人［5］加工了简单的多层硅—硅结构，但不涉及对准问题，实际应用的价值较小。陈颖慧等人［6］以金— 硅共晶键合技术对 MEMS 器件进行了圆片级封装［6］，其键合强度可以达到 36 MPa，但键合面积以及键合密封性不太理想，不适用一些敏感器件的封装处理。袁星等人［7]对带有微结构的硅—硅直接键合进行了研究，但其硅片不涉及光刻、深刻蚀、清洗等对硅片表面质量影响较大的工艺，故其键合工艺限制较大。EVG的GEMINI FB XT集成熔融键合系统，扩展了现有标准，并拥有更高的生产率，更高的对准和涂敷精度。半导体键合机供应商
SmartView®NT自动键合对准系统，用于通用对准。全自动键合对准系统，采用微米级面对面晶圆对准的专有方法进行通用对准。用于通用对准的SmartViewNT自动键合对准系统提供了微米级面对面晶圆级对准的专有方法。这种对准技术对于在lingxian技术的多个晶圆堆叠中达到所需的精度至关重要。SmartView技术可以与GEMINI晶圆键合系统结合使用，以在随后的全自动平台上进行长久键合。特征：适合于自动化和集成EVG键合系统（EVG560®，GEMINI®200和300mm配置）。用于3D互连，晶圆级封装和大批量MEMS器件的晶圆堆叠。芯片键合机美元价格EVG键合机可使用适合每个通用键合室的砖用卡盘来处理各种尺寸晶圆和键合工艺。
GEMINI ® FB自动化生产晶圆键合系统 集成平台可实现高精度对准和熔融 特色 技术数据 半导体器件的垂直堆叠已经成为使器件密度和性能不断提高的日益可行的方法。晶圆间键合是实现3D堆叠设备的重要工艺步骤。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系统扩展了当前标准，并结合了更高的生产率，更高的对准度和覆盖精度，适用于诸如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。该系统具有新的Smart View NT3键合对准器，该键合对准器是专门为<50 nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。
EVG®301特征使用1MHz的超音速喷嘴或区域传感器（可选）进行高/效清洁单面清洁刷（选件）用于晶圆清洗的稀释化学品防止从背面到正面的交叉污染完全由软件控制的清洁过程选件带有红外检查的预键合台非SEMI标准基材的工具技术数据晶圆直径（基板尺寸）：200和100-300毫米清洁系统开室，旋转器和清洁臂腔室：由PP或PFA制成（可选）清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选）旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成旋转：蕞高3000rpm（5秒内）超音速喷嘴频率：1MHz（3MHz选件）输出功率：30-60W去离子水流量：蕞高1.5升/分钟有效清洁区域：Ø4.0mm材质：聚四氟乙烯EVG 晶圆键合机上的键合过程是怎么样的呢？
EVG®320自动化单晶圆清洗系统用途：自动单晶片清洗系统，可有效去除颗粒EVG320自动化单晶圆清洗系统可在处理站之间自动处理晶圆和基板。机械手处理系统可确保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自动预对准和装载晶圆。除了使用去离子水冲洗外，配置选项还包括兆频，刷子和稀释的化学药品清洗。特征多达四个清洁站全自动盒带间或FOUP到FOUP处理可进行双面清洁的边缘处理（可选）使用1MHz的超音速喷嘴或区域传感器（可选）进行高/效清洁先进的远程诊断防止从背面到正面的交叉污染完全由软件控制的清洁过程EVG键合机的键合室配有通用键合盖，可快速排空，快速加热和冷却。BONDSCALE键合机可以免税吗
EVG键合机软件，支持多语言，集成错误记录/报告和恢复和单个用户帐户设置，这样可以简化用户常规操作。半导体键合机供应商
EVG®301单晶圆清洗系统，属于研发型单晶圆清洗系统。 技术数据 EVG301半自动化单晶片清洗系统采用一个清洗站，该清洗站使用标准的去离子水冲洗以及超音速，毛刷和稀释化学药品作为附加清洗选项来清洗晶片。EVG301具有手动加载和预对准功能，是一种多功能的研发型系统，适用于灵活的清洁程序和300mm的能力。EVG301系统可与EVG的晶圆对准和键合系统结合使用，以消除晶圆键合之前的任何颗粒。旋转夹头可用于不同的晶圆和基板尺寸，从而可以轻松设置不同的工艺。半导体键合机供应商
