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光刻机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG610,EVG620NT,EVG®6200NT,IQ Aligner,HERCULES
  • 是否定制
光刻机企业商机

我们的研发实力:EVG已经与研究机构合作超过35年,让我们深入了解他们的独特需求。我们专业的研发工具提供zhuo越的技术和*大的灵活性,使大学、研究机构和技术开发合作伙伴能够参与多个研究项目和应用项目。此外,研发设备与EVG的合心技术平台无缝集成,这些平台涵盖从研发到小规模和大批量生产的整个制造链。研发和权面生产系统之间的软件和程序兼容性使研究人员能够将其流程迁移到批量生产环境。以客户的需求为导向,研发才具有价值,也是我们不断前进的动力来源。IQ Aligner NT 光刻机系统使用零辅助桥接工具-双基片,支持200mm和300mm尺寸的晶圆。辽宁光刻机竞争力怎么样

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IQAligner®■晶圆规格高达200mm/300mm■某一时间内(弟一次印刷/对准)>90wph/80wph■顶/底部对准精度达到±0.5µm/±1.0µm■接近过程100/%无触点■可选Ergoload磁盘,SMIF或者FOUP■经准的跳动补偿,实现ZUI佳的重叠对准■手动装载晶圆的功能■IR对准能力–透射或者反射IQAligner®NT■零辅助桥接工具-双基片,支持200mm和300mm规格■无以伦比的吞吐量(弟一次印刷/对准)>200wph/160wph■顶/底部对准精度达到±250nm/±500nm■接近过程100/%无触点■暗场对准能力/全场青除掩模(FCMM)■经准的跳动补偿,实现ZUI佳的重叠对准■智能过程控制和性能分析框架软件平台官方光刻机应用光刻机在集成电路制造中有重要的作用,能实现高分辨率、高精度图案转移,是微纳米器件制造关键工艺设备。

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EVG的掩模对准系统含有:EVG610;EVG620NT半自动/全自动掩模对准系统;EVG6200NT半自动/全自动掩模对准系统;IQAligner自动掩模对准系统;IQAlignerNT自动掩模对准系统;【EVG®610掩模对准系统】EVG®610是一个紧凑的和多用途R&d系统,可以处理小基板片和高达200毫米的晶片。EVG®610技术数据:EVG610支持多种标准光刻工艺,例如真空,硬,软和接近曝光模式,并可选择背面对准功能。此外,该系统还提供其他功能,包括键合对准和纳米压印光刻(NIL)。EVG610提供快速的处理和重新安装工具,可满足用户需求的变化,转换时间不到几分钟。其先进的多用户概念可以适应从初学者到**级别的所有需求,因此使其非常适合大学和研发应用。

IQAligner®NT曝光设定:硬接触/软接触/接近模式/柔性模式楔形补偿:全自动软件控制;非接触式IQAligner®NT曝光选项:间隔曝光/洪水曝光先进的对准功能:自动对准暗场对准功能/完整的明场掩模移动(FCMM)大间隙对准跳动控制对准IQAligner®NT系统控制:操作系统:Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR实时远程访问,诊断和故障排除如果您需要确认准确的产品的信息,请联系我们。如果需要键合机,请看官网信息。EVG在要求苛刻的应用中积累了多年光刻胶旋涂和喷涂的经验。

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掩模对准系统:EVG的发明,例如1985年世界上较早的拥有底面对准功能的系统,开创了顶面和双面光刻,对准晶圆键合和纳米压印光刻的先例,并设定了行业标准。EVG通过不断开发掩模对准器产品来增强这些核欣光刻技术,从而在这些领域做出了贡献。EVG的掩模对准系统可容纳尺寸蕞大,尺寸和形状以及厚度蕞大为300mm的晶片和基板,旨在为高级应用提供先进的自动化程度和研发灵活性的复杂解决方案。EVG的掩模对准器和工艺能力已经过现场验证,并已安装在全球的生产设施中,以支持众多应用,包括高级封装,化合物半导体,功率器件,LED,传感器和MEMS制造。IQ Aligner光刻机支持的晶圆尺寸高达200 mm / 300 mm。重庆光刻机研发可以用吗

EVG100光刻胶处理系统可以处理多种尺寸的基板,直径从2寸到300mm。辽宁光刻机竞争力怎么样

EVG®610特征:晶圆/基板尺寸从小到200mm/8顶侧和底侧对准能力高精度对准台自动楔形补偿序列电动和程序控制的曝光间隙支持蕞新的UV-LED技术蕞小化系统占地面积和设施要求分步流程指导远程技术支持多用户的概念(无限数量的用户帐户和程序,可分配的访问权限,不同的用户界面语言)便捷处理和转换重组台式或带防震花岗岩台的单机版EVG®610附加功能:键对准红外对准纳米压印光刻(NIL)EVG®610技术数据:对准方式上侧对准:≤±0.5µm底面要求:≤±2,0µm红外校准:≤±2,0µm/具体取决于基板材料键对准:≤±2,0µmNIL对准:≤±2,0µm辽宁光刻机竞争力怎么样

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