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2.PCB的叠层（stackup）和阻抗对于一块受PCB层数约束的基板（如4层板）来说，其所有的信号线只能走在TOP和BOTTOM层，中间的两层，其中一层为GND平面层，而另一层为VDD平面层，Vtt和Vref在VDD平面层布线。而当使用6层来走线时，设计一种拓扑结构变得更加容易，同时由于Power层和GND层的间距变小了，从而提高了电源完整性。互联通道的另一参数阻抗，在DDR2的设计时必须是恒定连续的，单端走线的阻抗匹配电阻50Ohms必须被用到所有的单端信号上，且做到阻抗匹配，而对于差分信号，100Ohms的终端阻抗匹配电阻必须被用到所有的差分信号终端，比如CLOCK和DQS信号。另外，所有的匹配电阻必须上拉到VTT，且保持50Ohms，ODT的设置也必须保持在50Ohms。在DDR3的设计时，单端信号的终端匹配电阻在40和60Ohms之间可选择的被设计到ADDR/CMD/CNTRL信号线上，这已经被证明有很多的优点。而且，上拉到VTT的终端匹配电阻根据SI仿真的结果的走线阻抗，电阻值可能需要做出不同的选择，通常其电阻值在30-70Ohms之间。而差分信号的阻抗匹配电阻始终在100Ohms。DDR3信号质量自动测试软件报告；测试服务DDR测试眼图测试

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内存条测试对内存条测试的要求是千差万别的。DDR内存条的制造商假定已经进行过芯片级半导体故障的测试，因而他们的测试也就集中在功能执行和组装错误方面。通过采用DDR双列直插内存条和小型双列直插内存条，可以有三种不同内存条测试仪方案：双循环DDR读取测试。这恐怕是简单的测试仪方案。大多数的测试仪公司一般对他们现有的SDR测试仪作一些很小的改动就将它们作为DDR测试仪推出。SDR测试仪的写方式是将同一数据写在连续排列的二个位上。在读取过程中，SDR测试仪能首先读DDR内存条的奇数位数据。然后，通过将数据锁存平移半个时钟周期，由第二循环读偶数位。这使得测试仪能完全访问DDR内存单元。该方法没有包括真正的突发测试，而且也不是真正的循环周期测试。

测试服务DDR测试眼图测试一种DDR4内存信号测试方法；

DDR5具备如下几个特点：·更高的数据速率·DDR5比较大数据速率为6400MT/s（百万次/秒），而DDR4为3200MT/s，DDR5的有效带宽约为DDR4的2倍。·更低的能耗·DDR5的工作电压为1.1V，低于DDR4的1.2V，能降低单位频宽的功耗达20％以上·更高的密度·DDR5将突发长度增加到BL16，约为DDR4的两倍，提高了命令/地址和数据总线效率。相同的读取或写入事务现在提供数据总线上两倍的数据，同时限制同一存储库内输入输出/阵列计时约束的风险。此外，DDR5使存储组数量翻倍，这是通过在任意给定时间打开更多页面来提高整体系统效率的关键因素。所有这些因素都意味着更快、更高效的内存以满足下一代计算的需求。

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DDR信号的要求是针对DDR颗粒的引脚上的，但是通常DDR芯片采用BGA封装，引脚无法直接测试到。即使采用了BGA转接板的方式，其测试到的信号与芯片引脚处的信号也仍然有一些差异。为了更好地得到芯片引脚处的信号质量，一种常用的方法是在示波器中对PCB走线和测试夹具的影响进行软件的去嵌入(De-embedding)操作。去嵌入操作需要事先知道整个链路上各部分的S参数模型文件(通常通过仿真或者实测得到),并根据实际测试点和期望观察到的点之间的传输函数，来计算期望位置处的信号波形，再对这个信号做进一步的波形参数测量和统计。图5.15展示了典型的DDR4和DDR5信号质量测试环境，以及在示波器中进行去嵌入操作的界面。 DDR的信号探测技术方法；

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由于DDR4的数据速率会达到3.2GT/s以上，DDR5的数据速率更高，所以对逻辑分析仪的要求也很高，需要状态采样时钟支持1.6GHz以上且在双采样模式下支持3.2Gbps以上的数据速率。图5.22是基于高速逻辑分析仪的DDR4/5协议测试系统。图中是通过DIMM条的适配器夹具把上百路信号引到逻辑分析仪，相应的适配器要经过严格测试，确保在其标称的速率下不会因为信号质量问题对协议测试结果造成影响。目前的逻辑分析仪可以支持4Gbps以上信号的采集和分析。 DDR3规范里关于信号建立；测试服务DDR测试眼图测试

DDR3关于信号建立保持是的定义；测试服务DDR测试眼图测试

trombone线的时延是受到其并行走线之间的耦合而影响，一种在不需要提高其间距的情况下，并且能降低耦合的程度的方法是采用sawtooth线。显然，sawtooth线比trombone线具有更好的效果。但是，依来看它需要更多的空间。由于各种可能造成时延不同的原因，所以，在实际的设计时，要借助于CAD工具进行严格的计算，从而控制走线的时延匹配。考虑到在图2中6层板上的过孔的因素，当一个地过孔靠近信号过孔放置时，则在时延方面的影响是必须要考虑的。先举个例子，在TOP层的微带线长度是150mils，BOTTOM层的微带线也是150mils，线宽都为4mils，且过孔的参数为：barreldiameter=”8mils”，paddiameter=”18mils”，anti-paddiameter=”26mils”。测试服务DDR测试眼图测试