EV集团（EVG）是面向MEMS，纳米技术和半导体市场的晶圆键合机和光刻设备的LINGXIAN供应商，日前宣布已收到其制造设备和服务组合的多个订单，这些产品和服务旨在满足对晶圆的新兴需求，水平光学（WLO）和3D感应。市场lingxian的产品组合包括EVG®770自动UV-纳米压印光刻（UV-NIL）步进器，用于步进重复式主图章制造，用于晶圆级透镜成型和堆叠的IQAligner®UV压印系统以及EVG®40NT自动测量系统，用于对准验证。EVG的WLO解决方案由该公司的NILPhotonics®能力中心提供支持。使用ZUIXIN的压印光刻技术和键合对准技术在晶圆级制造微透镜，衍射光学元件和其他光学组件可带来诸多好处。这些措施包括通过高度并行的制造工艺降低拥有成本，以及通过堆叠使ZUI终器件的外形尺寸更小。EVG是纳米压印光刻和微成型领域的先驱和市场LINGDAOZHE，拥有全球ZUI大的工具安装基础。只有以客户的需求为导向，研发才具有价值，也是我们不断前进的动力。上海奥地利光刻机
EVG®610掩模对准系统■晶圆规格：100mm/150mm/200mm■顶/底部对准精度达到±0.5µm/±1.0µm■用于双面对准高/分辨率顶部和底部分裂场显微镜■软件，硬件，真空和接近式曝光■自动楔形补偿■键合对准和NIL可选■支持蕞新的UV-LED技术EVG®620NT/EVG®6200NT掩模对准系统（自动化和半自动化）■晶圆产品规格：150mm/200mm■接近式楔形错误补偿■多种规格晶圆转换时间少于5分钟■初次印刷高达180wph/自动对准模式为140wph■可选独力的抗震型花岗岩平台■动态对准实时补偿偏移■支持蕞新的UV-LED技术湖南EV Group光刻机可以在EVG105烘烤模块上执行软烘烤、曝光后烘烤和硬烘烤操作。
EVG的掩模对准系统含有：EVG610；EVG620NT半自动/全自动掩模对准系统；EVG6200NT半自动/全自动掩模对准系统；IQAligner自动掩模对准系统；IQAlignerNT自动掩模对准系统；【EVG®610掩模对准系统】EVG®610是一个紧凑的和多用途R＆d系统，可以处理小基板片和高达200毫米的晶片。EVG®610技术数据：EVG610支持多种标准光刻工艺，例如真空，硬，软和接近曝光模式，并可选择背面对准功能。此外，该系统还提供其他功能，包括键合对准和纳米压印光刻（NIL）。EVG610提供快速的处理和重新安装工具，可满足用户需求的变化，转换时间不到几分钟。其先进的多用户概念可以适应从初学者到**级别的所有需求，因此使其非常适合大学和研发应用。
IQAligner特征：晶圆/基板尺寸从小到200mm/8''由于外部晶圆楔形测量，实现了非接触式接近模式增强的振动隔离，有效减少误差各种对准功能提高了过程灵活性跳动控制对准功能，提高了效率多种晶圆尺寸的易碎，薄或翘曲的晶圆处理高地表形貌晶圆加工经验手动基板装载能力远程技术支持和SECS/GEM兼容性IQAligner附加功能：红外对准–透射和/或反射IQAligner技术数据：楔形补偿：全自动软件控制非接触式先进的对准功能：自动对准；大间隙对准；跳动控制对准；动态对准EVG100系列光刻胶处理系统为光刻胶涂层和显影建立了质量和灵活性方面的新的标准。
IQAligner®NT特征：零辅助桥接工具-双基板概念，支持200mm和300mm的生产灵活性吞吐量>200wph（手次打印）间端对准精度：顶侧对准低至250nm背面对准低至500nm宽带强度>120mW/cm²（300毫米晶圆）完整的明场掩模移动（FCMM）可实现灵活的图案定位并兼容暗场掩模对准非接触式原位掩膜到晶圆接近间隙验证超平坦和快速响应的温度控制晶片卡盘，出色的跳动补偿手动基板装载能力返工分拣晶圆管理和灵活的盒式系统远程技术支持和GEM300兼容性智能过程控制和数据分析功能[FrameworkSoftwarePlatform]用于过程和机器控制的集成分析功能设备和过程性能根踪功能并行/排队任务处理功能智能处理功能发生和警报分析智能维护管理和跟踪EVG的掩模对准目标是适用于高达300mm的不同的厚度，尺寸，形状的晶圆和基片。上海奥地利光刻机
EVG在1985年发明了世界上弟一个底部对准系统，对准晶圆键合和纳米压印光刻技术方面开创并建立了行业标准。上海奥地利光刻机
光刻机处理结果:EVG在光刻技术方面的合心竞争力在于其掩模对准系统（EVG6xx和IQAligner系列）以及高度集成的涂层平台（EVG1xx系列）的高吞吐量的接近和接触曝光能力。EVG的所有光刻设备平台均为300mm，可完全集成到HERCULES光刻轨道系统中，并辅以其用于从上到下侧对准验证的计量工具。高级封装：在EVG®IQAligner®上结合NanoSpray™曝光的涂层TSV底部开口；在EVG的IQAlignerNT®上进行撞击40μm厚抗蚀剂；负侧壁，带有金属兼容的剥离抗蚀剂涂层;金属垫在结构的中间；用于LIGA结构的高纵横比结构，用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蚀剂的结果；西门子星状测试图暴露在EVG®6200NT上，展示了高分辨率的厚抗蚀剂图形处理能力；MEMS结构在20μm厚的抗蚀剂图形化的结果。上海奥地利光刻机
