QDIP可视为QWIP红外热像仪的衍生品,将QWIP中的量子阱替代为量子点,便产生了QDIP｡对于QDIP而言,由于对电子波函数进行了三维量子阱约束,因而其暗电流比QWIP低,工作温度比QWIP高｡但QDIP对量子点异质结材料的质量要求很高,制作难度大｡在QDIP里,除使用标准的量子点异质结构外,还常用一种量子阱中量子点(dot-in-a-well, DWELL)异质结构｡QDIPFPA探测器也是第三代IR成像系统的成员之一｡一般而言,PC探测器的响应速度比PV慢,但QWIP PC探测器的响应速度与其它PV探测器相当,所以大规模QWIP FPA探测器也被研制了出来｡与HgCdTe—样,QWIP FPA探测器也是第三代IR成像系统的重要成员,这类探测器在民用与天文等领域都有着大量的使用案例｡红外热像仪自动报警，发现目标设备温度异常自动报警，存储设备工作状态热图，提示工作人员具**置。OPTPI450红外热像仪电话
红外热像仪的使用人们经常询问红外热像仪在特定情况下的使用情况以及该技术在特定环境或应用中的有效性。我们来看看问题。为什么红外热像仪在夜间表现更好？红外热像仪通常在夜间表现更好，但这与周围环境的亮度无关。由于夜间的环境温度（重要的是未加热物体和环境中心的温度）比白天低很多，热成像传感器可以以更高的对比度显示温暖的区域。即使在凉爽的日子里，太阳的热量也会被建筑物、道路、植被、建筑材料等吸收。白天，各种物体都会在环境温度下吸收热量。使用热像仪传感器进行检测时，这些物体与其他待检测的温暖物体之间的差异不是很明显。testo 875-2i红外热像仪操作热灵敏度，是指一台红外热像仪分辨细小温差的能力。
由于大尺寸HgCdTe FPA探测器的制作成本居高不下,QWIP FPA探测器被寄予厚望,因而发展迅速｡在LWIR波段,目前QWIP FPA探测器的性能足以与**的HgCdTe相媲美｡QWIP也存在一些缺点:因存在与子带间跃迁相关的基本限制,QWIP需要的工作温度较低(一般低于液氮温度)，QWIP的量子效率普遍很低｡一般而言,PC探测器的响应速度比PV慢,但QWIP PC探测器的响应速度与其它PV红外热像仪相当,所以大规模QWIP FPA探测器也被研制了出来｡与HgCdTe—样,QWIP FPA探测器也是第三代IR成像系统的重要成员,这类探测器在民用与天文等领域都有着大量的使用案例｡
当无保温层油罐及其他罐体受到热辐射时，由于罐内物质热容量比空罐大会产生温度差，用红外热像仪可以很方便判断储液罐液位。也可以对槽罐车、火场中的液化气钢瓶进行检测，判断危险源是否有危险。石油、化工等特殊灾害现场，因存放大量易燃物储罐，使其成为高危的灾害救援场所。这类企业火灾中，储罐温度和液位的数据采集对指挥员决策显得尤为重要。肉眼是不能直接看见石油化工产品及原料在储罐内的具体液位。但是，这些液体在罐内储存时，因储存的可燃液体热容量较空罐区域大，会出现一定的温度差。红外热像仪无需光线即可生成图像，能够在设备过热或隔热层。
热电堆又叫温差电堆，它利用热电偶串联实现探测功能，是较为古老的一种IR探测器。以前，热电堆都是基于金属材料制备的，具有响应速度慢、探测率低、成本高等致命劣势，不受业内人士的待见。随着近代半导体技术的迅猛发展，半导体材料也被应用到了热电堆的制作中。半导体材料普遍比金属材料的塞贝克(Seebeck)系数高，而且半导体的微加工技术保证了器件的微型化程度，降低其热容量，因此热电堆的性能得到了**地优化。互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的引入，让红外热像仪热电堆芯片电路技术实现了批量生产。红外热像仪就像咱们用手机拍照，画面内能拍下多少东西，和许多因素有关。PYROLINE 320N compact+红外热像仪代理商
使用红外热像仪，可随时检测出远程监控站中设备故障与安全隐患，由此带来的净效应即可靠性提升，成本下降。OPTPI450红外热像仪电话
nGaAs是由两种Ⅲ-Ⅴ族半导体材料组成的三元系半导体化合物，它的带隙随组分比例的变化而变化。基于此材料制备的IR探测器，其响应截止波长可达到3μm以上，响应范围完全覆盖NIR波段，是该波段探测器团体里**重要的成员。在该体系下，其他化合物性能如下图所示：与其它的常用IR探测器相比，InGaAs探测器的兴起较晚，在上世纪80年代才开始走进人类的视野。近年来，得益于NIR成像的强势崛起，InGaAs的发展势头也十分迅猛。在实际生产中，一般将InGaAs材料生长在磷化铟(InP)衬底上，红外热像仪两者的晶格失配度也会随InGaAs组分的变化而变化。OPTPI450红外热像仪电话
