3D激光干涉仪仪器

穿心式电流互感器其本身结构不设一次绕组，载流（负荷电流）导线由L1至L2穿过由硅钢片擀卷制成的圆形（或其他形状）铁心起一次绕组作用。二次绕组直接均匀地缠绕在圆形铁心上，与仪表、继电器、变送器等电流线圈的二次负荷串联形成闭合回路，由于穿心式电流互感器不设一次绕组，其变比根据一次绕组穿过互感器铁心中的匝数确定，穿心匝数越多，变比越小；反之，穿心匝数越少，变比越大，额定电流比I1/n：式中I1——穿心一匝时一次额定电流；n——穿心匝数。     传感器头适用于极端环境：  低温和高温（比较高450°C），UHV兼容性，  强辐射（高达10MGy）和高磁场。3D激光干涉仪仪器

外观检查规定

1.表盘上或外壳上至少应有下述标志符号：A.仪表名称或被测之量的标志符号；B.型号；C.系别符号；D.准确度等级；E.厂名或厂标；F.制造标准号；G.制造年月或出厂编号；H.电流种类或相数，三相仪表中测量机构的元件数量；I.正常工作位置；J.互感器的变比(指与互感器联用的仪表)；K.定值导线值(或符号)和分流器额定电压降值(对低量限电压表的要求)。

2.仪表的端钮和转换开关上应有用途标志；

3.从外表看，零部件完整，无松动，无裂缝，无明显残缺或污损。当倾斜或轻摇仪表时，内部无撞击声；

4.向左右两方向旋动机械调零器，指示器应转动灵活，左右对称； 3D激光干涉仪仪器低电子噪声和良好的光学稳定性。

光电效应分为：外光电效应和内光电效应。内光电效应是被光激发所产生的载流子（自由电子或空穴）仍在物质内部运动，使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象。外光电效应是被光激发产生的电子逸出物质表面，形成真空中的电子的现象。外光电效应在光的作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象叫做外光电效应。外光电效应的一些实验规律a．只当照射物体的光频率不小于某个确定值时，物体才能发出光电子，这个频率叫做极限频率(或叫做截止频率)，相应的波长λ0叫做极限波长。不同物质的极限频率和相应的极限波长 是不同的。

体型半导体应变片这种半导体应变片是将单晶硅锭切片、研磨、腐蚀压焊引线，结尾粘贴在锌酚醛树脂或聚酰亚胺的衬底上制成的。体型半导体应变片可分为6种。①普通型：它适合于一般应力测量；②温度自动补偿型：它能使温度引起的导致应变电阻变化的各种因素自动抵消，只适用于特定的试件材料；③灵敏度补偿型：通过选择适当的衬底材料（例如不锈钢），并采用稳流电路，使温度引起的灵敏度变化极小；④高输出（高电阻）型：它的阻值很高（2～10千欧）,可接成电桥以高电压供电而获得高输出电压，因而可不经放大而直接接入指示仪表。⑤超线性型：它在比较宽的应力范围内，呈现较宽的应变线性区域，适用于大应变范围的场合；⑥P-N组合温度补偿型：它选用配对的P型和N型两种转换元件作为电桥的相邻两臂，从而使温度特性和非线性特性有较大改善。        超长距离测量，齿轮传动间隙测量！

扩散型半导体应变片这种应变片是将P型杂质扩散到一个高电阻N型硅基底上，形成一层极薄的P型导电层，然后用超声波或热压焊法焊接引线而制成（图2）。它的优点是稳定性好，机械滞后和蠕变小，电阻温度系数也比一般体型半导体应变片小一个数量级。缺点是由于存在P-N结，当温度升高时，绝缘电阻大为下降。半导体应变片是将单晶硅锭切片、研磨、腐蚀压焊引线，结尾粘贴在锌酚醛树脂或聚酰亚胺的衬底上制成的。是一种利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件。新型固态压阻式传感器中的敏感元件硅梁和硅杯等就是用扩散法制成的。在环境条件下悬臂的共振频率，不施加压电致动器的任何振荡。3D激光干涉仪仪器

晶圆表面测量可以在各种各样的目标上进行测量。3D激光干涉仪仪器

(3)非接触测头以及各种扫描探针显微镜。航空航天行业对此已经提出迫切要求，这是今后坐标测量机发展的关键技术。目前接触式测头已完全被国外所垄断，非接触测头还没有发展成熟，我们有参与竞争的机遇。以前较多采用的激光三角法原理受到很多限制，难以有突破性进展，但可在原理创新上下功夫。应该突破0.1～0.5μm分辨率。(5)新器件，新材料。过去，科研评价体系存在偏重于整机和系统，忽视材料和器件的趋向。新的突破点可能出现在新光源、新型高频探测器。目前探测器的响应频率只有10的9次方，而光频高达10的14次方，目前干涉仪实际上是起着混频器的作用，适应探测器的不足(如果探测器的响应果真能超过光频，干涉仪也就没有用了)。如果探测器的性能得到显著提高，对于通讯也是很大的突破。       3D激光干涉仪仪器