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闪烁体探测器是采用α闪烁物质和β闪烁物质复合闪烁体作为发光元件。由于α粒子的射程短，当粒子进入α闪烁物质时，将全部能量损失在ZnS(Ag)材料上，引起闪烁发光，光电倍增管产生α信号。β粒子由于穿透能力较强，β粒子穿过ZnS(Ag)材料进入β闪烁物质，产生闪烁光，进入光电倍增管产生β信号。PIPS探测器是半导体两端加反向电压，N区接正，P区接负，外加电场方向与内建电场方向相同，使耗尽层增厚，漂移运动增强。当带电粒子穿过时产生电子－空穴对，在高电场下分别向正负电极漂移，产生信号。信号幅度正比于电子空穴对数目，正比于入射粒子损失能量。
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