1、激光测厚仪是利用激光的反射原理，根据光切法测量和观察机械制造中零件加工表面的微观几何形状来测量产品的厚度，是一种非接触式的动态测量仪器。它可直接输出数字信号与工业计算机相连接，并迅速处理数据并输出偏差值到各种工业设备。2、X射线测厚仪利用X射线穿透被测材料时，X射线的强度的变化与材料的厚度相关的特性，沧州欧谱从而测定材料的厚度，是一种非接触式的动态计量仪器。它以PLC和工业计算机为和新，采集计算数据并输出目标偏差值给轧机厚度控制系统，达到要求的轧制厚度。主要应用行业:有色金属的板带箔加工、冶金行业的板带加工。3、纸张测厚仪:适用于4mm以下的各种薄膜、纸张、纸板以及其他片状材料厚度的测量。4、薄膜测厚仪:用于测定薄膜、薄片等材料的厚度，测量范围宽、测量精度高，具有数据输出、任意位置置零、公英制转换、自动断电等特点。5、涂层测厚仪:用于测量铁及非铁金属基体上涂层的厚度.6、超声波测厚仪:超声波测厚仪是根据超声波脉冲反射原理来进行厚度测量的，当探头发射的超声波脉冲通过被测物体到达材料分界面时，脉冲被反射回探头，通过精确测量超声波在材料中传播的时间来确定被测材料的厚度。只需按下一个按钮，您在不到一秒钟的同时测量厚度和折射率。Filmetrics F50膜厚仪技术支持
FSM膜厚仪简单介绍：FSM128厚度以及TSV和翘曲变形测试设备:美国FrontierSemiconductor(FSM)成立于1988年，总部位于圣何塞，多年来为半导体行业等高新行业提供各式精密的测量设备，客户遍布全世界,主要产品包括:光学测量设备:三维轮廓仪、拉曼光谱、薄膜应力测量设备、红外干涉厚度测量设备、电学测量设备:高温四探针测量设备、非接触式片电阻及漏电流测量设备、金属污染分析、等效氧化层厚度分析(EOT)。请访问我们的中文官网了解更多的信息。干涉膜厚仪实验室应用F30-UV测厚范围：3nm-40µm；波长：190-1100nm。
不管您参与对显示器的基础研究还是制造，Thetametrisis都能够提供您所需要的...测量液晶层-聚酰亚胺、硬涂层、液晶、间隙测量有机发光二极管层-发光、电注入、缓冲垫、封装对于空白样品，我们建议使用FR-Scanner系列仪器。对于图案片，Thetametrisis的FR-Scanner用于测量薄膜厚度已经找到了显示器应用广范使用。测量范例此案例中，我们成功地测量了蓝宝石和硼硅玻璃基底上铟锡氧化物薄膜厚度，可以很容易地在380纳米到1700纳米内同时测量透射率和反射率以确定厚度，折射率，消光系数。由于ITO薄膜在各种基底上不同寻常的的扩散，这个扩展的波长范围是必要的。
生物医疗设备涂层应用生物医疗器械应用中的涂层生物医疗器械的制造和准备方面会用到许多类型的涂层。有些涂层是为了保护设备免受腐蚀，而其他的则是为了预防组织损伤、敢染或者是排异反应。药物传输涂层也变得日益普通。其它生物医学器械，如血管成型球囊，具有读立的隔膜，必须具有均匀和固定的厚度才能正常工作。这些涂层厚度的测量方法各不相同，但有一件事是确定的。使用普通方法(例如，在涂层前后称某一部分的重量)，无法检测到会导致器械故障的涂层不完全覆盖或涂层的不均匀性。F20-XT膜厚范围：0.2µm - 450µm；波长：1440-1690nm。
FSM413SPANDFSM413C2C红外干涉测量设备适用于所有可让红外线通过的材料：硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度厚度变化(TTV)沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度不同半导体材料的厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...FSM413SP半自动机台人工取放芯片Wafer厚度3D图形FSM413C2CFullyautomatic全自动机台人工取放芯片可适配Cassette、SMIFPOD、FOUP.重复性: 0.1 μm (1 sigma)单探头* ；0.8 μm (1 sigma)双探头*。导电氧化物膜厚仪有哪些品牌
F50-NIR测厚范围：100nm-250µm；波长：950-1700nm。Filmetrics F50膜厚仪技术支持
电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学，半导体，以及其它数十个行业, 而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。常见的电介质有:二氧化硅 – ZUI简单的材料之一, 主要是因为它在大部分光谱上的无吸收性 (k=0)， 而且非常接近化学计量 (就是说，硅：氧非常接近 1:2)。 受热生长的二氧化硅对光谱反应规范，通常被用来做厚度和折射率标准。 Filmetrics能测量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 对此薄膜的测量比很多电介质困难，因为硅：氮比率通常不是3：4, 而且折射率一般要与薄膜厚度同时测量。 更麻烦的是，氧常常渗入薄膜，生成一定程度的氮氧化硅，增大测量难度。 但是幸运的是，我们的系统能在几秒钟内 “一键” 测量氮化硅薄膜完整特征!Filmetrics F50膜厚仪技术支持
