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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

EVG501晶圆键合机,先进封装,TSV,微流控加工。基本功能:用于学术和工业研究的多功能手动晶圆键合系统。适用于:微流体芯片,半导体器件处理,MEMS制造,TSV制作,晶圆先进封装等。一、简介:EVG501是一种高度灵活的晶圆键合系统,可处理从单芯片到150mm(200mm键合室的情况下为200mm)的基片。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺,如阳极,玻璃料,焊料,共晶,瞬态液相和直接键合。易于操作的键合室和工具设计,让用户能快速,轻松地重新装配不同的晶圆尺寸和工艺,转换时间小于5分钟。这种多功能性适合大学,研发机构或小批量生产。键合室的基本设计在EVG的HVM(量产)工具上是相同的,例如GEMINI,键合程序很容易转移,这样可以轻松扩大生产量。二、特征:带有150mm或200mm加热器的键合室独特的压力和温度均匀性与EVG的机械和光学对准器兼容灵活的设计和研究配置从单芯片到晶圆各种工艺(共晶,焊料,TLP,直接键合)可选涡轮泵(<1E-5mbar)可升级阳极键合开放式腔室设计,便于转换和维护试生产需求:同类产品中比较低拥有成本开放式腔室设计,便于转换和维护ZUI小占地面积的200mm键合系统程序与EVGHVM键合系统完全兼容。三、参数:ZUI大键合力:20kN,加热器尺寸:150mm。EVG键合可选功能:阳极,UV固化,650℃加热器。山西EVG510键合机

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EVG&reg;501键合机特征:独特的压力和温度均匀性;兼容EVG机械和光学对准器;灵活的研究设计和配置;从单芯片到晶圆;各种工艺(共晶,焊料,TLP,直接键合);可选的涡轮泵(<1E-5mbar);可升级用于阳极键合;开室设计,易于转换和维护;兼容试生产,适合于学校、研究所等;开室设计,易于转换和维护;200mm键合系统的ZUI小占地面积:0.8平方米;程序与EVG的大批量生产键合系统完全兼容。EVG&reg;501键合机技术数据ZUI大接触力为20kN加热器尺寸150毫米200毫米ZUI小基板尺寸单芯片100毫米真空标准:0.1毫巴可选:1E-5mbar 山西EVG510键合机EVG键合机可配置为黏合剂,阳极,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬态液相)和金属扩散/热压缩工艺。

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EVG®850TB 自动化临时键合系统 全自动将临时晶圆晶圆键合到刚性载体上特色技术数据 全自动的临时键合系统可在一个自动化工具中实现整个临时键合过程-从临时键合剂的施加,烘焙,将设备晶圆与载体晶圆的对准和键合开始。与所有EVG的全自动工具一样,设备布局是模块化的,这意味着可以根据特定过程对吞吐量进行优化。可选的在线计量模块允许通过反馈回路进行全过程监控和参数优化。 由于EVG的开放平台,因此可以使用不同类型的临时键合粘合剂,例如旋涂热塑性塑料,热固性材料或胶带。

封装技术对微机电系统 (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影响巨大,已成为 MEMS技术发展和实用化的关键技术[1]。实现封装的技术手段很多,其中较关键的工艺步骤就是键合工艺。随着 MEMS 技术的发展,越来越多的器件封装需要用到表面带有微结构的硅片键合,然而MEMS器件封装一般采用硅—硅直接键合( silicon directly bonding,SDB)  技术[2]。由于表面有微结构的硅片界面已经受到极大的损伤,其平整度和光滑度远远达不到SDB的要求,要进行复杂的抛光处理,这DADA加大了工艺的复杂性和降低了器件的成品率[3]。 晶圆级涂层、封装,工程衬底知造,晶圆级3D集成和晶圆减薄等用于制造工程衬底,如SOI(绝缘体上硅)。

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EVGroup开发了MLE™(无掩模曝光)技术,通过消除与掩模相关的困难和成本,满足了HVM世界中设计灵活性和蕞小开发周期的关键要求。MLE™解决了多功能(但缓慢)的开发设备与快速(但不灵活)的生产之间的干扰。它提供了可扩展的解决方案,可同时进行裸片和晶圆级设计,支持现有材料和新材料,并以高可靠性提供高速适应性,并具有多级冗余功能,以提高产量和降低拥有成本(CoO)。EVG的MLE™无掩模曝光光刻技术不仅满足先进封装中后端光刻的关键要求,而且还满足MEMS,生物医学和印刷电路板制造的要求。 EVG键合机软件是基于Windows的图形用户界面的设计,注重用户友好性,可轻松引导操作员完成每个流程步骤。辽宁键合机国内代理

EVG键合机使用直接(实时)或间接对准方法,能够支持大量不同的对准技术。山西EVG510键合机

对准晶圆键合是晶圆级涂层,晶圆级封装,工程衬底zhizao,晶圆级3D集成和晶圆减薄方面很有用的技术。反过来,这些工艺也让MEMS器件,RF滤波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS图像传感器)的生产迅速增长。这些工艺也能用于制造工程衬底,例如SOI(绝缘体上硅)。 主流键合工艺为:黏合剂,阳极,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬态液相)和金属扩散/热压缩。采用哪种键合工艺取决于应用。EVG500系列可灵活配置选择以上的所有工艺。 键合机厂家EVG拥有超过25年的晶圆键合机制造经验,拥有累计2000多年晶圆键合经验的员工。同时,EVG的GEMINI是使用晶圆键合的HVM的行业标准。 山西EVG510键合机

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