电压钳的缺点∶电压钳技术目前主要用于巨火细胞的全细胞电流研究，特别在分子克隆的卵母细胞表达电流的鉴定中发挥其它技术不能替代的作用。但也有其致命的弱点1、微电极需刺破细胞膜进入细胞，以致造成细胞浆流失，破坏了细胞生理功能的完整性;2、不能测定单一通道电流。因为电压钳制的膜面积很大，包含着大量随机开放和关闭着的通道，而且背景噪音大，往往掩盖了单一通道的电流。3、对体积小的细胞（如哺乳类***元，直径在10-30μm之间）进行电压钳实验，技术上有更大的困难。由于电极需插入细胞，不得不将微电极的前列做得很细，如此细的前列致使电极阻抗很大，常常是60～-8OMΩ或120～150MΩ（取决于不同的充灌液）。这样大的电极阻抗不利于作细胞内电流钳或电压钳记录时在短时间（μs）内向细胞内注入电流，达到钳制膜电压或膜电流之目的。再者，在小细胞上插入的两根电极可产生电容而降低测量电压电极的反应能力。玻璃微电极的应用使的电生理研究进行了重命性的变化。进口多通道膜片钳离子通道
光遗传学调控技术是近几年正在迅速发展的一项整合了光学、基因操作技术、电生理等多学科交叉的生物技术。NatureMethods杂志将此技术评为"Methodoftheyear2010"[19]；美国麻省理工学院科技评述（MITTechnologyReview，2010）在其总结性文章"Theyearinbiomedicine"中指出：光遗传学调控技术现已经迅速成为生命科学，特别是神经和心脏研究领域中热门的研究方向之一。目前这一技术正在被全球几百家从事心脏学、神经科学和神经工程研究的实验室使用，帮助科学家们深入理解大脑的功能，进而为深刻认识神经、精神疾病、心血管疾病的发病机理并研发针对疾病干预和的新技术。美国全细胞膜片钳脑片准确、稳定、高效，膜片钳技术让您的研究更上一层楼！
膜片钳放大器的工作模式；(1)电压钳制模式:在钳制细胞膜电位的基础上改变膜电位，记录离子通道电流的变化，如通道电流；EPSC；IPSC等电流信号它是膜片钳的基本工作模式。(2)屯留钳向细胞注入刺激电流，记录膜电位对刺激电流的响应。记录的是动作电位，EPSP；IPSP等电压信号膜片钳技术实现膜电位固定的关键是在玻璃微电极前沿与细胞膜之间形成高阻(10GΩ)密封，使与电极前开口相连的细胞膜与周围环境电隔离，通过施加指令电压来钳制膜电位。
膜片钳技术（patch clamp techniques）是采用钳制电压或电流的方法对生物膜上离子通道的电活动进行记录的微电极技术。1989年，Blanton将脑片电生理记录与细胞的膜片钳记录结合起来，建立了脑片膜片钳记录技术（patch clamp on invitro brains lices），这为在细胞水平研究反射中枢系统离子通道或受体在神经环路中的生理和药理学作用及其机制提供了可能性。离体的脑组织能够在一定的温度、酸度和渗透压、通氧状态等条件下存活并保持良好的生理状态。与急性分离的或培养的神经元相比，离体脑片中的神经元更接近生理状态：基本保持了在体情况下的细胞形态，神经细胞之间及神经细胞与非神经细胞之间的很多固有联系，以及较为正常完整的突触回路、受体分布、递质释放及其信息传递等功能。早期的研究多使用双电极电压钳技术作细胞内电活动的记录。
1980年，Sigworth、Hamill、Neher等在记录电极内施加负压吸引，得到了10~100GΩ的高阻封接（gigaseal），降低记录噪声，实现了单根电极既钳制膜电位又记录单通道电流。获1991年Nobel奖。1955年，Hodgkin和Keens应用电压钳（Voltageclap）在研究神经轴突膜对钾离子通透性时发现放射性钾跨轴突膜的运动很像是通过许多狭窄空洞的运动，并提出了"通道"的概念。1963年，描述电压门控动力学的Hodgkin-Hx上模型（简称H-H模型）荣获谱贝尔医学/生理学奖。1976年，Neher和Sakmann建立膜片钳（Patchclamp）按术。1983年10月，《Single-ChannelRecording》一书问世，奠定了膜片钳技术的里程碑。1991年，Neher和Sakmann的膜片铺技术荣获诺贝尔医学/生理学奖。在细胞膜的电学模型中，膜电容和膜电导构成了一个并联回路。美国全自动膜片钳厂家
Neher将膜片钳技术与Fura 2 荧光测钙技术结合。进口多通道膜片钳离子通道
把膜电位钳位电压调到-80--100mV，再用钳位放大器的控制键把全细胞瞬态充电电流调定至零位（EPC-10的控制键称为C-slow和C-series;Axopatch200标为全细胞电容和系列电阻）。写下细胞的电容值Cc和未补整的系列电阻值Rs，用于消除全细胞瞬态电流，计算钳位的固定时间（即RsCc），然启根据欧姆定律从测定脉冲电流的振幅算出细胞的电阻RC。缓慢调节Rs旋钮注意测定脉冲反应的变化，逐渐增加补整的比例。如果RS补整非常接近振荡的阈值，RS或Cc的微细变化都会达到震荡的阈值，产生电压的振荡而使细胞受损。因此应当在RS补整水平写不稳定阈值之间留有10%-20%的余地为安全。准备资料收集和脉冲序列的测定。进口多通道膜片钳离子通道
