集成电路故障分析故障分析(FA)技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装)和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。FilmetricsF3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量，另外可选配模组来延伸蕞小测量厚度至0.1微米，同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。测量范例現在我們使用我們的F3-s1550系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具备特殊光學設計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度F20-XT膜厚范围：0.2µm - 450µm；波长：1440-1690nm。官方授权膜厚仪用途是什么
FSM膜厚仪简单介绍：FSM128厚度以及TSV和翘曲变形测试设备:美国FrontierSemiconductor(FSM)成立于1988年，总部位于圣何塞，多年来为半导体行业等高新行业提供各式精密的测量设备，客户遍布全世界,主要产品包括:光学测量设备:三维轮廓仪、拉曼光谱、薄膜应力测量设备、红外干涉厚度测量设备、电学测量设备:高温四探针测量设备、非接触式片电阻及漏电流测量设备、金属污染分析、等效氧化层厚度分析(EOT)。请访问我们的中文官网了解更多的信息。半导体膜厚仪要多少钱F30-UV测厚范围：3nm-40µm；波长：190-1100nm。
技术介绍：红外干涉测量技术,非接触式测量。采用Michaelson干涉方法，红外波段的激光能更好的穿透被测物体，准确的得到测试结果。产品简介：FSM413EC红外干涉测量设备适用于所有可让红外线通过的材料：硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度硅片厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度。
技术介绍：红外干涉测量技术,非接触式测量。采用Michaelson干涉方法，红外波段的激光能更好的穿透被测物体，准确的得到测试结果。产品简介：FSM413EC红外干涉测量设备适用于所有可让红外线通过的材料：硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度硅片厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...F40测量范围；20nm-40µm;波长：400-850nm。
厚度测量产品：我们的膜厚测量产品可适用于各种应用。我们大部分的产品皆備有库存以便快速交货。请浏览本公司网页产品资讯或联系我们的应用工程师针对您的厚度测量需求提供立即协助。单点厚度测量：一键搞定的薄膜厚度和折射率台式测量系统。测量1nm到13mm的单层薄膜或多层薄膜堆。大多数产品都有库存而且可立即出货。F20全世界销量蕞hao的薄膜测量系统。有各种不同附件和波长覆盖范围。微米(显微)级别光斑尺寸厚度测量当测量斑点只有1微米（µm）时，需要用公司自己的显微镜或者用岱美提供的整个系统。F20-EXR测厚范围：15nm - 250µm；波长：380-1700nm。半导体膜厚仪要多少钱
F50-NIR测厚范围：100nm-250µm；波长：950-1700nm。官方授权膜厚仪用途是什么
测量复杂的有机材料典型的有机发光显示膜包括几层： 空穴注入层，空穴传输层，以及重组/发光层。所有这些层都有不寻常有机分子（小分子和/或聚合物）。虽然有机分子高度反常色散，测量这些物质的光谱反射充满挑战，但对Filmetrics却不尽然。我们的材料数据库覆盖整个OLED的开发历史，能够处理随着有机分子而来的高折射散射和多种紫外光谱特征。软基底上的薄膜有机发光显示器具有真正柔性显示的潜力，要求测量像PET（聚乙烯）塑料这样有高双折射的基准，这对托偏仪测量是个严重的挑战： 或者模拟额外的复杂光学，或者打磨PET背面。 而这些对我们非偏振反射光谱来说都不需要，极大地节约了人员培训和测量时间。操作箱中测量有机发光显示器材料对水和氧极度敏感。 很多科研小组都要求在控制的干燥氮气操作箱中测量。 而我们体积小，模块化，光纤设计的仪器提供非密封、实时“操作箱”测量。官方授权膜厚仪用途是什么
