电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学，半导体，以及其它数十个行业, 而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。常见的电介质有:二氧化硅 – ZUI简单的材料之一, 主要是因为它在大部分光谱上的无吸收性 (k=0)， 而且非常接近化学计量 (就是说，硅：氧非常接近 1:2)。 受热生长的二氧化硅对光谱反应规范，通常被用来做厚度和折射率标准。 Filmetrics能测量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 对此薄膜的测量比很多电介质困难，因为硅：氮比率通常不是3：4, 而且折射率一般要与薄膜厚度同时测量。 更麻烦的是，氧常常渗入薄膜，生成一定程度的氮氧化硅，增大测量难度。 但是幸运的是，我们的系统能在几秒钟内 “一键” 测量氮化硅薄膜完整特征!F30 系列是监控薄膜沉积，蕞强有力的工具。半导体薄膜膜厚仪美元报价
厚度测量产品：我们的膜厚测量产品可适用于各种应用。我们大部分的产品皆備有库存以便快速交货。请浏览本公司网页产品资讯或联系我们的应用工程师针对您的厚度测量需求提供立即协助。单点厚度测量：一键搞定的薄膜厚度和折射率台式测量系统。测量1nm到13mm的单层薄膜或多层薄膜堆。大多数产品都有库存而且可立即出货。F20全世界销量蕞hao的薄膜测量系统。有各种不同附件和波长覆盖范围。微米(显微)级别光斑尺寸厚度测量当测量斑点只有1微米（µm）时，需要用自己的显微镜或者用我们提供的整个系统。薄膜测试仪膜厚仪有谁在用当测量斑点只有1微米（µm）时，需要用您自己的显微镜或者用我们提供的整个系统。
滤光片整平光谱响应。ND#0.5衰减整平滤波器.單倍整平滤波器用于改善可見光光譜均勻度+ND#0.5衰减整平滤波器.ND#1衰减整平滤波器.單倍整平滤波器用于改善可見光光譜均勻度+ND#1衰减整平滤波器.ND#2衰减整平滤波器.單倍整平滤波器用于改善可見光光譜均勻度+ND#2衰减整平滤波器.420nm高通滤波器.420nm高通滤波器於滤波器架.515nm高通滤波器.515nm高通滤波器於滤波器架.520nm高通滤波器+ND1.520nm高通滤波器+ND#1十倍衰减整平滤波器.520nm高通滤波器+ND#2520nm高通滤波器+ND#2一百倍衰减整平滤波器.550nm高通滤波器550nm高通滤波器於滤波器架.
F40系列将您的显微镜变成薄膜测量工具F40产品系列用于测量小到1微米的光斑。对大多数显微镜而言，F40能简单地固定在c型转接器上，这样的转接器是显微镜行业标准配件。F40配备的集成彩色摄像机，能够对测量点进行准确监控。在1秒钟之内就能测定厚度和折射率。像我们所有的台式仪器一样，F40需要连接到您装有Windows计算机的USB端口上并在数分钟内完成设定。F40：20nm-40µm400-850nmF40-EXR：20nm-120µm400-1700nmF40-NIR：40nm-120µm950-1700nmF40-UV：4nm-40µm190-1100nmF40-UVX：4nm-120µm190-1700nmF50-XT测厚范围：0.2µm-450µm；波长：1440-1690nm。
FSM膜厚仪简单介绍：FSM128厚度以及TSV和翘曲变形测试设备:美国FrontierSemiconductor(FSM)成立于1988年，总部位于圣何塞，多年来为半导体行业等高新行业提供各式精密的测量设备，客户遍布全世界,主要产品包括:光学测量设备:三维轮廓仪、拉曼光谱、薄膜应力测量设备、红外干涉厚度测量设备、电学测量设备:高温四探针测量设备、非接触式片电阻及漏电流测量设备、金属污染分析、等效氧化层厚度分析(EOT)。请访问我们的中文官网了解更多的信息。基板材料: 如果薄膜位于粗糙基板 (大多数金属) 上的话，一般不能测量薄膜的折射率。薄膜测厚仪膜厚仪服务为先
F20-UV测厚范围：1nm - 40µm；波长：190-1100nm。半导体薄膜膜厚仪美元报价
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