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膜厚仪基本参数
  • 产地
  • 美国
  • 品牌
  • Frontier Semiconductor (FSM)
  • 型号
  • FSM 413EC, FSM 413MOT,FSM 413SA DP FSM 413C2C, FSM
  • 是否定制
膜厚仪企业商机

F3-CS:快速厚度测量可选配FILMeasure厚度测量软件使厚度测量就像在平台上放置你的样品一樣容易,软件內建所有常见的电介质和半导体层(包括C,N和HT型聚对二甲苯)的光学常数(n和k),厚度结果會及時的以直覺的测量结果显示对于進階使用者,可以進一步以F3-CS测量折射率,F3-CS可在任何运行WindowsXP到Windows864位作業系統的计算机上运行,USB电缆則提供电源和通信功能.包含的内容:USB供电之光谱仪/光源装置FILMeasure8软件內置样品平台BK7参考材料四万小时光源寿命额外的好处:应用工程师可立刻提供帮助(周一-周五)网上的“手把手”支持(需要连接互联网)。可选粗糙度: 20 — 1000Å (RMS)。半导体膜厚仪出厂价

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FSM360拉曼光谱系统FSM紫外光和可见光拉曼系统,型号360FSM拉曼的应用l局部应力;l局部化学成分l局部损伤紫外光可测试的深度优袖的薄膜(SOI或Si-SiGe)或者厚样的近表面局部应力可见光可测试的深度良好的厚样以及多层样品的局部应力系统测试应力的精度小于15mpa(0.03cm-1)全自动的200mm和300mm硅片检查自动检验和聚焦的能力。以上的信息比较有限,如果您有更加详细的技术问题,请联系我们的技术人员为您解答。或者访问我们的官网了解更多信息。有机发光膜厚仪生产国F50-s980测厚范围:4µm-1mm;波长:960-1000nm。

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测量有机发光显示器有机发光显示器(OLEDs)有机发光显示器正迅速从实验室转向大规模生产。明亮,超薄,动态的特性使它们成为从手机到电视显示屏的手选。组成显示屏的多层薄膜的精密测量非常重要,但不能用传统接触型的轮廓仪,因为它会破坏显示屏表面。我们的F20-UV,F40-UV,和F10-RT-UV将提供廉价,可靠,非侵入测量原型装置和全像素化显示屏。我们的光谱仪还可以测量大气敏感材料的化学变化。测量透明导电氧化膜不论是铟锡氧化物,氧化锌,还是聚合物(3,4-乙烯基),我们独有的ITO光学模型,加上可见/近红外仪器,可以测得厚度和光学常数,费用和操作难度瑾是光谱椭偏仪的一小部分。

铟锡氧化物与透明导电氧化物液晶显示器,有机发光二极管变异体,以及绝大多数平面显示器技术都依靠透明导电氧化物(TCO)来传输电流,并作每个发光元素的阳极。和任何薄膜工艺一样,了解组成显示器各层物质的厚度至关重要。对于液晶显示器而言,就需要有测量聚酰亚胺和液晶层厚度的方法,对有机发光二极管而言,则需要测量发光、电注入和封装层的厚度。在测量任何多个层次的时候,诸如光谱反射率和椭偏仪之类的光学技术需要测量或建模估算每一个层次的厚度和光学常数(反射率和k值)。不幸的是,使得氧化铟锡和其他透明导电氧化物在显示器有用的特性,同样使这些薄膜层难以测量和建模,从而使测量在它们之上的任何物质变得困难。Filmetrics的氧化铟锡解决方案Filmetrics已经开发出简便易行而经济有效的方法,利用光谱反射率精确测量氧化铟锡。将新型的氧化铟锡模式和F20-EXR,很宽的400-1700nm波长相结合,从而实现氧化铟锡可靠的“一键”分析。氧化铟锡层的特性一旦得到确定,剩余显示层分析的关键就解决了。Filmetrics F60-t 系列就像我们的 F50产品一样测绘薄膜厚度和折射率,但它增加了许多用于生产环境的功能。

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生物医疗器械应用中的涂层生物医疗器械的制造和准备方面会用到许多类型的涂层。有些涂层是为了保护设备免受腐蚀,而其他的则是为了预防组织损伤、感然或者是排异反应。 药物传输涂层也变得日益普通。其它生物医学器械,如血管成型球囊,具有独力的隔膜,必须具有均匀和固定的厚度才能正常工作。测量范例:支架是塑料或金属制成的插入血管防止收缩的小管。很多时候,这些支架用聚合物或药物涂层处理,以提高功能和耐腐蚀。F40配上20倍物镜(25微米光斑),我们能够测量沿不锈钢支架外径这些涂层的厚度。这个功能强大的仪器提供医疗器械行业快速可靠,非破坏性,无需样品准备的厚度测量。F20-XT膜厚范围:0.2µm - 450µm;波长:1440-1690nm。半导体膜厚仪国内代理

F40-UV范围:4nm-40µm,波长:190-1100nm。半导体膜厚仪出厂价

集成电路故障分析故障分析(FA)技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装)和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度,并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。FilmetricsF3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量,另外可选配模组来延伸蕞小测量厚度至0.1微米,同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。测量范例現在我們使用我們的F3-s1550系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具备特殊光學設計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度半导体膜厚仪出厂价

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