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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

晶圆级封装在封装方式上与传统制造不同。该技术不是将电路分开然后在继续进行测试之前应用封装和引线,而是用于集成多个步骤。在晶片切割之前,将封装的顶部和底部以及焊锡引线应用于每个集成电路。测试通常也发生在晶片切割之前。像许多其他常见的组件封装类型一样,用晶圆级封装制造的集成电路是一种表面安装技术。通过熔化附着在元件上的焊球,将表面安装器件直接应用于电路板的表面。晶圆级组件通常可以与其他表面贴装设备类似地使用。例如,它们通常可以在卷带机上购买,以用于称为拾取和放置机器的自动化组件放置系统。 针对高级封装,MEMS,3D集成等不同市场需求,EVG优化了用于对准的多个键合模块。山西键合机现场服务

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一旦将晶片粘合在一起,就必须测试粘合表面,看该工艺是否成功。通常,将批处理过程中产生的一部分产量留给破坏性和非破坏性测试方法使用。破坏性测试方法用于测试成品的整体剪切强度。非破坏性方法用于评估粘合过程中是否出现了裂纹或异常,从而有助于确保成品没有缺陷。EVGroup(EVG)是制造半导体,微机电系统(MEMS),化合物半导体,功率器件和纳米技术器件的设备和工艺解决方案的lingxian供应商。主要产品包括晶圆键合,薄晶圆加工,光刻/纳米压印光刻(NIL)和计量设备,以及光刻胶涂布机,清洁剂和检查系统。成立于1980年的EVGroup服务于复杂的全球客户和合作伙伴网络,并为其提供支持。有关EVG的更多信息,请访问"键合机"。 河南键合机学校会用吗晶圆键合系统EVG501适用于学术界和工业研究。

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EVG®301单晶圆清洗系统,属于研发型单晶圆清洗系统。技术数据 EVG301半自动化单晶片清洗系统采用一个清洗站,该清洗站使用标准的去离子水冲洗以及超音速,毛刷和稀释化学药品作为附加清洗选项来清洗晶片。EVG301具有手动加载和预对准功能,是一种多功能的研发型系统,适用于灵活的清洁程序和300mm的能力。EVG301系统可与EVG的晶圆对准和键合系统结合使用,以消除晶圆键合之前的任何颗粒。旋转夹头可用于不同的晶圆和基板尺寸,从而可以轻松设置不同的工艺。

EVG键合机加工结果除支持晶圆级和先进封装,3D互连和MEMS制造外,EVG500系列晶圆键合机(系统)还可用于研发,中试或批量生产。它们通过在高真空,精确控制的准确的真空,温度或高压条件下键合来满足各种苛刻的应用。该系列拥有多种键合方法,包括阳极,热压缩,玻璃料,环氧树脂,UV和熔融键合。EVG500系列基于独特的模块化键合室设计,可实现从研发到大批量生产的简单技术转换。 模块设计 各种键合对准(对位)系统配置为各种MEMS和IC应用提供了多种优势。使用直接(实时)或间接对准方法可以支持大量不同的对准技术。以上应用工艺也让MEMS器件,RF滤波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS图像传感器)的生产迅速增长。

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EVG®810LT技术数据晶圆直径(基板尺寸)50-200、100-300毫米LowTemp™等离子活化室工艺气体:2种标准工艺气体(N2和O2)通用质量流量控制器:自校准(高达20.000sccm)真空系统:9x10-2mbar腔室的打开/关闭:自动化腔室的加载/卸载:手动(将晶圆/基板放置在加载销上)可选功能:卡盘适用于不同的晶圆尺寸无金属离子活化混合气体的其他工艺气体带有涡轮泵的高真空系统:9x10-3mbar基本压力符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统Si:Si/Si,Si/Si(热氧化,Si(热氧化)/Si(热氧化)TEOS/TEOS(热氧化)绝缘体锗(GeOI)的Si/GeSi/Si3N4玻璃(无碱浮法):硅/玻璃,玻璃/玻璃化合物半导体:GaAs,GaP,InP聚合物:PMMA,环烯烃聚合物用户可以使用上述和其他材料的“ZUI佳已知方法”配方(可根据要求提供完整列表)EVG键合机键合工艺可在真空或受控气体条件下进行。西藏SUSS键合机

晶圆键合系统EVG501可以用于学术界和工业研究。山西键合机现场服务

EVG®850LTSOI和直接晶圆键合的自动化生产键合系统 用途:自动化生产键合系统,适用于多种熔融/分子晶圆键合应用 特色 技术数据 晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成的一项关键技术。借助用于机械对准SOI的EVG850LT自动化生产键合系统以及具有LowTemp™等离子活化的直接晶圆键合,熔融了熔融的所有基本步骤-从清洁,等离子活化和对准到预键合和IR检查。因此,经过实践检验的行业标准EVG850 LT确保了高达300mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量,高产量生产工艺。山西键合机现场服务

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