EVG®770的特征：微透镜用于晶片级光学器件的高效率制造主下降到纳米结构为SmartNIL®简单实施不同种类的大师可变抗蚀剂分配模式分配，压印和脱模过程中的实时图像用于压印和脱模的原位力控制可选的光学楔形误差补偿可选的自动盒带间处理EVG®770技术数据：晶圆直径（基板尺寸）：100至300毫米解析度：≤50nm（分辨率取决于模板和工艺）支持流程：柔软的UV-NIL曝光源：大功率LED（i线）>100mW/cm²对准：顶侧显微镜，用于实时重叠校准≤±500nm和精细校准≤±300nm手个印刷模具到模具的放置精度：≤1微米有效印记区域：长达50x50毫米自动分离：支持的前处理：涂层：液滴分配（可选）。EV Group能够提供混合和单片微透镜成型工艺。河北纳米压印芯片堆叠应用
EVG®7200LA特征：专有SmartNIL®技术，提供了无人能比的印迹形大面积经过验证的技术，具有出色的复制保真度和均匀性多次使用的聚合物工作印模技术可延长母版使用寿命并节省大量成本强大且精确可控的处理与所有市售的压印材料兼容EVG®7200LA技术数据：晶圆直径（基板尺寸）：直径200毫米（蕞大Gen3）（550x650毫米）解析度：40nm-10µm（分辨率取决于模板和工艺）支持流程：SmartNIL®曝光源：大功率窄带（>400mW/cm²）对准：可选的光学对准：≤±15µm自动分离：支持的迷你环境和气候控制：可选的工作印章制作：支持的河北纳米压印芯片堆叠应用EVGroup提供混合和单片微透镜成型工艺，能够轻松地适应各种材料组合，以用于工作印模和微透镜材料。
具体说来就是，MOSFET能够有效地产生电流流动，因为标准的半导体制造技术旺旺不能精确控制住掺杂的水平（硅中掺杂以带来或正或负的电荷），以确保跨各组件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一层二氧化硅（SiO2）衬底上，然后沉积一层金属或多晶硅制成的。然而这种方法可以不精确且难以完全掌控，掺杂有时会泄到别的不需要的地方，那样就创造出了所谓的“短沟道效应”区域，并导致性能下降。一个典型MOSFET不同层级的剖面图。不过威斯康星大学麦迪逊分校已经同全美多个合作伙伴携手（包括密歇根大学、德克萨斯大学、以及加州大学伯克利分校等），开发出了能够降低掺杂剂泄露以提升半导体品质的新技术。研究人员通过电子束光刻工艺在表面上形成定制形状和塑形，从而带来更加“物理可控”的生产过程。（来自网络。
SmartNIL是一项关键的启用技术，可用于显示器，生物技术和光子应用中的许多新创新。例如，SmartNIL提供了无人能比的全区域共形压印，以便满足面板基板上线栅偏振器的ZUI重要标准。SmartNIL还非常适合对具有复杂纳米结构的微流控芯片进行高精度图案化，以支持下一代药物研究和医学诊断设备的生产。此外，SmartNIL的ZUI新发展为制造具有ZUI高功能，ZUI小外形尺寸和大体积创新型光子结构提供了更多的自由度，这对于实现衍射光学元件（DOE）至关重要。特征：体积验证的压印技术，具有出色的复制保真度专有SmartNIL®技术，多使用聚合物印模技术经过生产验证的分辨率低至40nm或更小大面积全场压印总拥有成本ZUI低在地形上留下印记对准能力室温过程开放式材料平台EVG®770可用于连续重复的纳米压印光刻技术，可进行有效的母版制作。
EVG®7200LA大面积SmartNIL®UV纳米压印光刻系统用于大面积无人能比的共形纳米压印光刻。EVG7200大面积UV纳米压印系统使用EVG专有且经过量证明的SmartNIL技术，将纳米压印光刻（NIL）缩放为第三代（550mmx650mm）面板尺寸的基板。对于不能减小尺寸的显示器，线栅偏振器，生物技术和光子元件等应用，至关重要的是通过增加图案面积来提高基板利用率。NIL已被证明是能够在大面积上制造纳米图案的蕞经济有效的方法，因为它不受光学系统的限制，并且可以为蕞小的结构提供蕞佳的图案保真度。SmartNIL利用非常强大且可控的加工工艺，提供了低至40nm*的出色保形压印结果。凭借独特且经过验证的设备功能（包括无人能比的易用性）以及高水平的工艺专业知识，EVG通过将纳米压印提升到一个新的水平来满足行业需求。纳米压印是一种利用纳米技术进行压印的方法。河北纳米压印芯片堆叠应用
EVG提供不同的整面压印系统，大面积压印机，微透镜成型设备以及用于高 效母版制作的分步重复系统。河北纳米压印芯片堆叠应用
EVG®620NT特征：顶部和底部对准能力高精度对准台自动楔形补偿序列电动和程序控制的曝光间隙支持ZUI新的UV-LED技术ZUI小化系统占地面积和设施要求分步流程指导远程技术支持多用户概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）敏捷处理和转换工具台式或带防震花岗岩台的单机版EVG®620NT附加功能：键对准红外对准SmartNILµ接触印刷技术数据晶圆直径（基板尺寸）标准光刻：ZUI大150毫米的碎片柔软的UV-NIL：ZUI大150毫米的碎片SmartNIL®：在100毫米范围解析度：≤40nm（分辨率取决于模板和工艺）支持流程：软UV-NIL＆SmartNIL®曝光源：汞光源或紫外线LED光源对准：软NIL：≤±0.5µmSmartNIL®：≤±3微米自动分离：柔紫外线NIL：不支持；SmartNIL®：支持工作印章制作：柔软的UV-NIL：外部：SmartNIL®：支持河北纳米压印芯片堆叠应用
