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DDR3测试基本参数
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DDR3测试企业商机

DDR3: DDR3釆用SSTL_15接口,I/O 口工作电压为1.5V;时钟信号频率为400〜 800MHz;数据信号速率为800〜1600Mbps,通过差分选通信号双沿釆样;地址/命令/控制信 号在1T模式下速率为400〜800Mbps,在2T模式下速率为200〜400Mbps;数据和选通信号 仍然使用点对点或树形拓扑,时钟/地址/命令/控制信号则改用Fly-by的拓扑布线;数据和选 通信号有动态ODT功能;使用Write Leveling功能调整时钟和选通信号间因不同拓扑引起的 延时偏移,以满足时序要求。DDR3一致性测试和DDR3速度测试之间有什么区别?浙江DDR3测试HDMI测试

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高速DDRx总线系统设计

首先简要介绍DDRx的发展历程,通过几代DDR的性能及信号完整性相关参数的 对比,使我们对DDRx总线有了比较所有的认识。随后介绍DDRx接口使用的SSTL电平, 以及新一代DDR4使用的POD电平,这能帮助我们在今后的设计中更好地理解端接匹配、拓 扑等相关问题。接下来回顾一下源同步时钟系统,并推导源同步时钟系统的时序计算方法。 结果使用Cadence的系统仿真工具SystemSI,通过实例进行DDRx的信号完整性仿真和时序 分析。 浙江DDR3测试HDMI测试是否可以通过重新插拔DDR3内存模块解决一致性问题?

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DDR4: DDR4釆用POD12接口,I/O 口工作电压为1.2V;时钟信号频率为800〜1600MHz; 数据信号速率为1600〜3200Mbps;数据命令和控制信号速率为800〜1600Mbps。DDR4的时 钟、地址、命令和控制信号使用Fly-by拓扑走线;数据和选通信号依旧使用点对点或树形拓 扑,并支持动态ODT功能;也支持Write Leveling功能。

综上所述,DDR1和DDR2的数据和地址等信号都釆用对称的树形拓扑;DDR3和DDR4的数据信号也延用点对点或树形拓扑。升级到DDR2后,为了改进信号质量,在芯片内为所有数据和选通信号设计了片上终端电阻ODT(OnDieTermination),并为优化时序提供了差分的选通信号。DDR3速率更快,时序裕量更小,选通信号只釆用差分信号。

至此,DDR3控制器端各信号间的总线关系创建完毕。单击OK按钮,在弹出的提示窗 口中选择Copy,这会将以上总线设置信息作为SystemSI能识别的注释,连同原始IBIS文件 保存为一个新的IBIS文件。如果不希望生成新的IBIS文件,则也可以选择Updateo

设置合适的 OnDie Parasitics 和 Package Parasiticso 在本例中。nDie Parasitics 选择 None, Package Parasitics使用Pin RLC封装模型。单击OK按钮保存并退出控制器端的设置。

On-Die Parasitics在仿真非理想电源地时影响很大,特别是On-Die Capacitor,需要根据 实际情况正确设定。因为实际的IBIS模型和模板自带的IBIS模型管脚不同,所以退出控制器 设置窗口后,Controller和PCB模块间的连接线会显示红叉,表明这两个模块间连接有问题, 暂时不管,等所有模型设置完成后再重新连接。 DDR3内存的一致性测试是否会降低内存模块的寿命?

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时序要求:DDR系统中的内存控制器需要遵循DDR规范中定义的时序要求来管理和控制内存模块的操作。时序要求包括初始时序、数据传输时序、刷新时序等,确保内存模块能够按照规范工作,并实现稳定的数据传输和操作。容量与组织:DDR系统中的内存模块可以有不同的容量和组织方式。内存模块的容量可以根据规范支持不同的大小,如1GB、2GB、4GB等。内存模块通常由多个内存芯片组成,每个内存芯片被称为一个芯粒(die),多个芯粒可以组成密集的内存模块。兼容性:DDR技术考虑了兼容性问题,以确保DDR内存模块能够与兼容DDR接口的主板和控制器正常配合。例如,保留向后兼容性,允许支持DDR接口的控制器在较低速度的DDR模式下工作。DDR3内存有哪些常见的容量大小?浙江DDR3测试HDMI测试

进行DDR3一致性测试时如何准备备用内存模块?浙江DDR3测试HDMI测试


DDR 规范解读

为了读者能够更好地理解 DDR 系统设计过程,以及将实际的设计需求和 DDR 规范中的主要性能指标相结合,我们以一个实际的设计分析实例来说明,如何在一个 DDR 系统设计中,解读并使用 DDR 规范中的参数,应用到实际的系统设计中。是某项目中,对 DDR 系统的功能模块细化框图。在这个系统中,对 DDR 的设计需求如下。

DDR 模块功能框图· 整个 DDR 功能模块由四个 512MB 的 DDR 芯片组成,选用 Micron 的 DDR 存储芯片 MT46V64M8BN-75。每个 DDR 芯片是 8 位数据宽度,构成 32 位宽的 2GBDDR 存储单元,地址空间为 Add<13..0>,分四个 Bank,寻址信号为 BA<1..0>。


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