美国**高空区域防御系统(Theatre High Altitude Area Defense, THAAD)即萨德系统,其拦截导弹的IR导引头就采用了RVS生产的AE194 InSb FPA探测器。RVS生产的小型InSb FPA探测器还大量地应用到了美国第四代空-空导弹的制导系统中。由美国SBRC(Santa Barbara Research Center)主持、美国国家光学天文台(National Optical Astronomy Observatories, NOAO)和美国海军天文台(U.S.Naval Observatory, USNO)协同参与的ALADDIN(advanced large area detector development in lnSb)计划,其研制的1024x1024像元规模的InSb FPA探测器应用到了天文观测中。作为ALADDIN的升级产品,ORION将InSb FPA的像元规模提升至2Kx2K,该计划在RVS、NOAO和USNO的共同努力下也已经顺利完成,其红外热像仪产品在美国天文事业的发展中发挥着重要作用。***款手持式红外热像系统诞生起,科学家们就前赴后继地致力于研发更加便携、好用的热像仪器。testo 869红外热像仪口碑好
nGaAs是由两种Ⅲ-Ⅴ族半导体材料组成的三元系半导体化合物,它的带隙随组分比例的变化而变化。基于此材料制备的IR探测器,其响应截止波长可达到3μm以上,响应范围完全覆盖NIR波段,是该波段探测器团体里**重要的成员。在该体系下,其他化合物性能如下图所示:与其它的常用IR探测器相比,InGaAs探测器的兴起较晚,在上世纪80年代才开始走进人类的视野。近年来,得益于NIR成像的强势崛起,InGaAs的发展势头也十分迅猛。在实际生产中,一般将InGaAs材料生长在磷化铟(InP)衬底上,红外热像仪两者的晶格失配度也会随InGaAs组分的变化而变化。OPTPI450红外热像仪推荐厂家红外热像仪的测量精度如何?
红外热像仪光子探测器的探测机理是光电效应,依据工作模式的不同,它又可进一步分为光电导(photoconductive,PC)探测器、光伏(photovoltaic,PV)探测器、光电子发射(photoemissive,PE)探测器、光电磁(photoelectromagnetic,PEM)探测器和丹倍(Dember)探测器等子类型,其中前两个子类型探测器的发展**强劲、应用*****。常见的IR光子探测器有InGaAs探测器、InSb探测器、HgCdTe探测器、QWIP、QDIP、T2SLS探测器、铅盐探测器以及非本征探测器(主要指BIB探测器)等,不同材料体系工作波长及响应率范围如下图所示:
但这样也会使量子效率降低;为维持高量子效率,需提高摻杂浓度,而如此一来又会导致暗电流激增,严重破坏探测器性能。BIB探测器是解决以上困境的比较好解。BIB探测器是传统非本征探测器在结构上的一种巧妙升级,即在吸收层与一侧电极之间引入一层高纯度的本征基底材料作为阻挡层来抑制暗电流,这样可以保证在吸收层掺杂浓度**增加的同时,暗电流也能维持在很低的水平。不仅如此,掺杂浓度的增加也拓宽了探测器的响应范围。关于红外热像仪芯片材料体系介绍就到这儿,对半导体感兴趣的同学,欢迎阅读其他文章!红外热像仪的价格范围是多少?
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