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(2)InSb探测器(PC&PV)InSb属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,它是**早应用于IR探测技术的材料之一,其生长技术已发展得非常成熟｡在液氮温度下,InSb带隙所对应的波长稍稍大于5μm,此时InSb探测器的响应范围完美覆盖MIR波段,且探测率能在整个MIR波段维持很高的水平,因此InSb探测器在MIR波段探测方面有着举足轻重的地位｡下图是InSb半导体材料及完成后的芯片。随着红外热像仪工作温度的上升,InSb探测器的量子效率可维持不变,直至160K才开始逐渐衰减｡InSb FPA探测器被广泛应用到了***与天文领域,美国RVS(Raytheon Vision Systems)是这类探测器比较大且**出色的制造商｡红外热像仪帮助农民监测作物健康，通过分析作物温度分布来诊断病虫害。红外热像仪代理商

红外热像仪可以用于安全检查和故障排查。由于红外热像仪可以检测和显示物体的热分布情况，因此在以下情况下特别有用：安全检查：红外热像仪可以用于检测电气设备、机械设备、管道等的异常热点，以及可能存在的火灾隐患。通过及早发现和解决这些问题，可以避免潜在的安全风险。故障排查：红外热像仪可以用于检测设备或系统的故障点，如电路板上的热点、电机的过热、管道的漏水等。通过快速定位和识别故障点，可以提高故障排查的效率和准确性。建筑热效应评估：红外热像仪可以用于评估建筑物的热效应，如检测建筑物的热桥、热漏风等问题。通过分析和改善这些热效应问题，可以提高建筑物的能源效率和舒适性。热工程应用：红外热像仪可以用于热工程领域的应用，如热工试验、热流场分析等。通过观察和分析物体的热分布情况，可以获得有关热传导、热辐射等方面的信息。testo 885红外热像仪供应商红外热像仪可以检测物体发出的红外线，并且转化成物体表面的温度。

红外热像仪光子探测器的探测机理是光电效应，依据工作模式的不同，它又可进一步分为光电导(photoconductive,PC)探测器、光伏(photovoltaic,PV)探测器、光电子发射(photoemissive,PE)探测器、光电磁(photoelectromagnetic,PEM)探测器和丹倍(Dember)探测器等子类型，其中前两个子类型探测器的发展**强劲、应用*****。常见的IR光子探测器有InGaAs探测器、InSb探测器、HgCdTe探测器、QWIP、QDIP、T2SLS探测器、铅盐探测器以及非本征探测器(主要指BIB探测器)等，不同材料体系工作波长及响应率范围如下图所示：

nGaAs是由两种Ⅲ-Ⅴ族半导体材料组成的三元系半导体化合物，它的带隙随组分比例的变化而变化。基于此材料制备的IR探测器，其响应截止波长可达到3μm以上，响应范围完全覆盖NIR波段，是该波段探测器团体里**重要的成员。在该体系下，其他化合物性能如下图所示：与其它的常用IR探测器相比，InGaAs探测器的兴起较晚，在上世纪80年代才开始走进人类的视野。近年来，得益于NIR成像的强势崛起，InGaAs的发展势头也十分迅猛。在实际生产中，一般将InGaAs材料生长在磷化铟(InP)衬底上，红外热像仪两者的晶格失配度也会随InGaAs组分的变化而变化。红外热像仪是否可以用于建筑和房屋检测？

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1、设备或部件的输出参数设备的输出与输入的关系以及输出变量之间的关系都可以反映设备的运行状态。2、设备零部件的损伤量变形量、磨损量、裂纹以及腐蚀情况等都是判断设备技术状态的特征参量。3、红外热像仪运转中的二次效应参数主要是设备在运行过程中产生的振动、噪声、温度、电量等。设备或部件的输出参数和零部件的损伤量都是故障的直接特征参量。而二次效应参数是间接特征参量。使用间接特征参量进行故障诊断的优点是，可以在设备运行中并且无需拆卸的条件下进行。不足之处是间接特征参量与故障之间的关系不是完全确定的。红外热像仪代理商