美国**高空区域防御系统(Theatre High Altitude Area Defense, THAAD)即萨德系统,其拦截导弹的IR导引头就采用了RVS生产的AE194 InSb FPA探测器。RVS生产的小型InSb FPA探测器还大量地应用到了美国第四代空-空导弹的制导系统中。由美国SBRC(Santa Barbara Research Center)主持、美国国家光学天文台(National Optical Astronomy Observatories, NOAO)和美国海军天文台(U.S.Naval Observatory, USNO)协同参与的ALADDIN(advanced large area detector development in lnSb)计划,其研制的1024x1024像元规模的InSb FPA探测器应用到了天文观测中。作为ALADDIN的升级产品,ORION将InSb FPA的像元规模提升至2Kx2K,该计划在RVS、NOAO和USNO的共同努力下也已经顺利完成,其红外热像仪产品在美国天文事业的发展中发挥着重要作用。采用红外热成像技术,能准确快速监测到发热源区域。上海红外热像仪现场测试

晶格失配度比较低时,红外热像仪InGaAs探测器的截止波长约为1.7μm,此时探测器所能达到的探测率是比较高的,接近于理论极限。由于在NIR波段表现出的优异性能,InGaAs探测器受到了来自包括美、法、德、日等多个国家的众多制造商的瞩目与重视,其中以美国TJT(Telddyne Judson Technologies)的成就**为突出。InGaAs探测器的响应波段刚好覆盖了夜空辉光的光谱带,有利于夜间观测目标物体的发射,因此在高空侦察方面有重要的应用价值,如美国U-2侦察机就装备了以InGaAs FPA探测器为**技术的SYERS Ⅱ照相机。testo 875-2i红外热像仪代理品牌可以分为手持式红外测温仪、红外热像仪、红外热电视。

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红外热像仪QWIP的基础结构是多量子阱结构,虽然该结构可以被许多Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料所实现,但基于GaAs/铝镓砷(AlGaAs)材料制作的QWIP是应用***、技术成熟、性能优异的QWIP。对于通过改变GaAs/AlGaAs材料中A1的原子百分比,可使相应的QWIP连续覆盖MIR、LWIR甚至VLWIR波段。GaAs/AlGaAs材料体系在Ⅲ-Ⅴ族半导体材料团体里能一枝独秀的**主要原因是,它与GaAs衬底在所有的A1组分条件下都能实现非常完美的晶格匹配,这一优势使该材料体系的生长技术既成熟又低廉,极大地推动了GaAs/AlGaAs QWIP的发展。一般而言,大家所谓的QWIP都特指GaAs/AlGaAs QWIP。红外热像仪是如何工作的?

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