热电堆又叫温差电堆，它利用热电偶串联实现探测功能，是较为古老的一种IR探测器。以前，热电堆都是基于金属材料制备的，具有响应速度慢、探测率低、成本高等致命劣势，不受业内人士的待见。随着近代半导体技术的迅猛发展，半导体材料也被应用到了热电堆的制作中。半导体材料普遍比金属材料的塞贝克(Seebeck)系数高，而且半导体的微加工技术保证了器件的微型化程度，降低其热容量，因此热电堆的性能得到了**地优化。互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的引入，让红外热像仪热电堆芯片电路技术实现了批量生产。可以分为手持式红外测温仪、红外热像仪、红外热电视。红外热像仪高性价比
红外热像仪作为一种非接触式的温度测量设备，具有其独特的优点：隐蔽性好：由于红外热像仪进行的是非接触式检测与识别，因此它在使用时不易被发现，保证了操作者的安全性和有效性。不受电磁干扰：红外热像仪利用的是热红外线，这使得它在工作时不会受到电磁干扰，能远距离精确跟踪热目标。全天候监控：红外热像仪可以实现24小时全天候监控，无论是白天还是夜晚，都可以进行有效的温度测量。探测能力强：红外热像仪的探测能力强，作用距离远，可以在敌方防卫武器射程之外实施观察。高温红外热像仪吹扫器TMT数字式医用红外热像仪在体检应用可以覆盖以下几个方面。
nGaAs是由两种Ⅲ-Ⅴ族半导体材料组成的三元系半导体化合物，它的带隙随组分比例的变化而变化。基于此材料制备的IR探测器，其响应截止波长可达到3μm以上，响应范围完全覆盖NIR波段，是该波段探测器团体里**重要的成员。在该体系下，其他化合物性能如下图所示：与其它的常用IR探测器相比，InGaAs探测器的兴起较晚，在上世纪80年代才开始走进人类的视野。近年来，得益于NIR成像的强势崛起，InGaAs的发展势头也十分迅猛。在实际生产中，一般将InGaAs材料生长在磷化铟(InP)衬底上，红外热像仪两者的晶格失配度也会随InGaAs组分的变化而变化。
红外热像仪的分辨率对图像质量有很大的影响。分辨率是指红外热像仪能够捕捉到的图像中细节的数量和清晰度。较高的分辨率意味着红外热像仪能够捕捉到更多的细节，并且图像更加清晰和精确。如果红外热像仪的分辨率较低，图像中的细节会模糊或丢失，导致无法准确识别物体或场景。例如，在安防监控中，如果红外热像仪的分辨率不够高，可能无法清晰地辨别人员或车辆的特征，从而影响监控的效果。另外，分辨率还会影响红外热像仪的测温精度。较高的分辨率可以提供更准确的温度测量结果，因为它能够更好地捕捉到物体表面的微小温度变化。红外热像仪的价格范围是多少？
红外热像仪光子探测器的探测机理是光电效应，依据工作模式的不同，它又可进一步分为光电导(photoconductive,PC)探测器、光伏(photovoltaic,PV)探测器、光电子发射(photoemissive,PE)探测器、光电磁(photoelectromagnetic,PEM)探测器和丹倍(Dember)探测器等子类型，其中前两个子类型探测器的发展**强劲、应用*****。常见的IR光子探测器有InGaAs探测器、InSb探测器、HgCdTe探测器、QWIP、QDIP、T2SLS探测器、铅盐探测器以及非本征探测器(主要指BIB探测器)等，不同材料体系工作波长及响应率范围如下图所示：红外热像仪的测量精度如何？Optris红外热像仪技术参数
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(2)InSb探测器(PC&PV)InSb属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,它是**早应用于IR探测技术的材料之一,其生长技术已发展得非常成熟｡在液氮温度下,InSb带隙所对应的波长稍稍大于5μm,此时InSb探测器的响应范围完美覆盖MIR波段,且探测率能在整个MIR波段维持很高的水平,因此InSb探测器在MIR波段探测方面有着举足轻重的地位｡下图是InSb半导体材料及完成后的芯片。随着红外热像仪工作温度的上升,InSb探测器的量子效率可维持不变,直至160K才开始逐渐衰减｡InSb FPA探测器被广泛应用到了***与天文领域,美国RVS(Raytheon Vision Systems)是这类探测器比较大且**出色的制造商｡红外热像仪高性价比
