EVG ® 850 LT 的LowTemp™等离子激/活模块
2种标准工艺气体：N 2和O 2以及2种其他工艺气体：高纯度气体（99.999％），稀有气体（Ar，He，Ne等）和形成气体（N 2，Ar含量**/高为4％的气体）2）
通用质量流量控制器：**多可对4种工艺气体进行自校准，可对配方进行编程，流速**/高可达到20.000 sccm
真空系统：9x10 -2 mbar（标准）和9x10 -3 mbar（涡轮泵选件），高频RF发生器和匹配单元
清洁站
清洁方式：冲洗（标准），超音速喷嘴，超音速面积传感器，喷嘴，刷子（可选）
腔室：由PP或PFA制成
清洁介质：去离子水（标准），NH 4 OH和H 2 O 2（**/大）。2％浓度（可选）
旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成
旋转：**/高3000 rpm（5 s）
清洁臂：**多5条介质线（1个超音速系统使用2条线）
可选功能
ISO 3 mini-environment（根据ISO 14644）
LowTemp™等离子活化室
红外检查站 EVG键合机可以使用适合每个通用键合室的**卡盘来处理各种尺寸晶圆和键合工艺。图像传感器键合机优惠价格
临时键合系统
临时键合是为薄晶圆或超薄晶圆提供机械支撑的必不可少的过程，这对于3D IC，功率器件和FoWLP晶圆以及处理易碎基板（例如化合物半导体）非常重要。借助于中间临时键合粘合剂将器件晶片键合到载体晶片上，从而可以通过附加的机械支撑来处理通常易碎的器件晶片。在关键工艺之后，将晶片堆叠剥离。EVG出色的键合技术在其临时键合设备中得到了体现，该设备自2001年以来一直由该公司提供。包含型号：EVG805解键合系统；EVG820涂敷系统；EVG850TB临时键合系统；EVG850DB自动解键合系统。 西藏熔融键合键合机EVG键合机软件是基于Windows的图形用户界面的设计，注重用户友好性，可轻松引导操作员完成每个流程步骤。
键合对准机系统
1985年，随着世界上第/一个双面对准系统的发明，EVG革新了MEMS技术，并通过分离对准和键合工艺在对准晶圆键合方面树立了全球行业标准。这种分离导致晶圆键合设备具有更高的灵活性和通用性。EVG的键合对准系统提供了**/高的精度，灵活性和易用性以及模块化升级功能，并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。EVG键对准器的精度可满足**苛刻的对准过程。包含以下的型号：EVG610 BA键合对准系统；EVG620 BA键合对准系统；EVG6200 BA键合对准系统；Smart View NT键合对准系统；
Smart View ® NT自动键合对准系统，用于通用对准。
全自动键合对准系统，采用微米级面对面晶圆对准的专有方法进行通用对准
特色
技术数据
用于通用对准的Smart View NT自动键合对准系统提供了微米级面对面晶圆级对准的专有方法。这种对准技术对于在**技术的多个晶圆堆叠中达到所需的精度至关重要。Smart View技术可以与GEMINI晶圆键合系统结合使用，以在随后的全自动平台上进行永/久键合。
特征
适合于自动化和集成EVG键合系统（EVG560®，GEMINI ® 200和300mm配置）
用于3D互连，晶圆级封装和大批量MEMS器件的晶圆堆叠 根据键合机型号和加热器尺寸，EVG500系列键合机可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圆。
Co mBond自动化的高真空晶圆键合系统，高真空晶圆键合平台促进“任何物上的任何东西”的共价键合特色技术数据，EVGCo mBond高真空晶圆键合平台标志着EVG独特的晶圆键合设备和技术产品组合中的一个新里程碑，可满足市场对更复杂的集成工艺的需求Co mBond支持的应用领域包括先进的工程衬底，堆叠的太阳能电池和功率器件到**MEMS封装，高性能逻辑和“beyondCMOS”器件Co mBond系统的模块化集群设计提供了高度灵活的平台，可以针对研发和高通量，大批量制造环境中的各种苛刻的客户需求量身定制Co mBond促进了具有不同晶格常数和热膨胀系数（CTE）的异质材料的键合，并通过其独特的氧化物去除工艺促进了导电键界面的形成Co mBond高真空技术还可以实现铝等金属的低温键合，这些金属在周围环境中会迅速重新氧化。对于所有材料组合，都可以实现无空隙和无颗粒的键合界面以及出色的键合强度。 在不需重新配置硬件的情况下，EVG键合机可以在真空下执行SOI / SDB（硅的直接键合）预键合。广东SOI键合机
EVG®500系列UV键合模块-适用于GEMINI支持UV固化的粘合剂键合。图像传感器键合机优惠价格
BONDSCALE与EVG的行业基准GEMINI FB XT自动熔融系统一起出售，每个平台针对不同的应用。虽然BONDSCALE将主要专注于工程化的基板键合和层转移处理，但GEMINI FB XT将支持要求更高对准精度的应用，例如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明的CMOS图像传感器堆叠以及管芯分区。
特征
在单个平台上的200 mm和300
mm基板上的全自动熔融/分子晶圆键合应用
通过等离子活化的直接晶圆键合，可实现不同材料，高质量工程衬底以及薄硅层转移应用的异质集成
支持逻辑缩放，3D集成（例如M3），3D VLSI（包括背面电源分配），N＆P堆栈，内存逻辑，集群功能堆栈以及超越CMOS的采用的层转移工艺和工程衬底
BONDSCALE™自动化生产熔融系统的技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
200、300毫米
**/高 数量或过程模块
8
通量
每小时**多40个晶圆
处理系统
4个装载口
特征
多达八个预处理模块，例如清洁模块，LowTemp™等离子活化模块，对准验证模块和解键合模块
XT框架概念通过EFEM（设备前端模块）实现**/高吞吐量
光学边缘对准模块：Xmax / Ymax = 18 µm 3σ 图像传感器键合机优惠价格
岱美仪器技术服务（上海）有限公司成立于2002-02-07 00:00:00，注册资本：100-200万元。该公司贸易型的公司。是一家其他有限责任公司企业，随着市场的发展和生产的需求，与多家企业合作研究，在原有产品的基础上经过不断改进，追求新型，在强化内部管理，完善结构调整的同时，优良的质量、合理的价格、完善的服务，在业界受到***好评。公司目前拥有***员工11~50人人，具有[ "半导体工艺设备", "半导体测量设备", "光刻机 键合机", "膜厚测量仪" ]等多项业务。岱美中国顺应时代发展和市场需求，通过**技术，力图保证高规格高质量的[ "半导体工艺设备", "半导体测量设备", "光刻机 键合机", "膜厚测量仪" ]。
