Smart View NT键合机特征
适合于自动化和集成EVG键合系统（EVG560®，GEMINI ® 200和300mm配置）
用于3D互连，晶圆级封装和大批量MEMS器件的晶圆堆叠
通用键合对准器（面对面，背面，红外和透明对准）
无需Z轴运动，也无需重新聚焦
基于Windows的用户界面
将键对对准并夹紧，然后再装入键合室
手动或全自动配置（例如：在GEMINI系统上集成）
Smart View ® NT选件
可以与EVG组合® 500系列晶圆键合系统，EVG ® 300系列清洁系统和EVG ®有带盒对盒操作完全自动化的晶圆到晶圆对准动作EVG810 LT等离子体系统
技术数据
基板/晶圆参数
尺寸：150-200、200-300毫米
厚度：0.1-5毫米
**/高堆叠高度：10毫米
自动对准
标准
处理系统
3个纸盒站（**/大200毫米）或2个FOUP加载端口（300毫米） EVG的EVG®501 / EVG®510 / EVG®520 IS这几个型号用于研发的键合机。EVG805键合机美元报价
键合机特征
高真空，对准，共价键合
在高真空环境（<5·10 -8 mbar）中进行处理
原位亚微米面对面对准精度
高真空MEMS和光学器件封装原位表面和原生氧化物去除
优异的表面性能
导电键合
室温过程
多种材料组合，包括金属（铝）
无应力键合界面
高键合强度
用于HVM和R＆D的模块化系统
多达六个模块的灵活配置
基板尺寸**/大为200毫米
完全自动化
技术数据
真空度
处理：<7E-8 mbar
处理：<5E-8毫巴
集群配置
处理模块：**小 3个，**/大 6个
加载：手动，卡带，EFEM
可选的过程模块：
键合模块
ComBond ®激/活模块（CAM）
烘烤模块
真空对准模块（VAM）
晶圆直径
高达200毫米
天津3D IC键合机EVG501键合机：卓/越的压力和温度均匀性、高真空键合室、自动键合和数据记录。
EVG ® 301单晶圆清洗系统，属于研发型单晶圆清洗系统。
技术数据
EVG301半自动化单晶片清洗系统采用一个清洗站，该清洗站使用标准的去离子水冲洗以及超音速，毛刷和稀释化学药品作为附加清洗选项来清洗晶片。EVG301具有手动加载和预对准功能，是一种多功能的研发型系统，适用于灵活的清洁程序和300
mm的能力。EVG301系统可与EVG的晶圆对准和键合系统结合使用，以消除晶圆键合之前的任何颗粒。旋转夹头可用于不同的晶圆和基板尺寸，从而可以轻松设置不同的工艺。
EVG ® 810 LT
LowTemp™等离子激/活系统
适用于SOI，MEMS，化合物半导体和先进基板键合的低温等离子体活化系统
特色
技术数据
EVG810 LT LowTemp™等离子活化系统是具有手动操作的单腔**单元。处理室允许进行异位处理（晶圆被一一激/活并结合在等离子体激/活室外部）。
特征
表面等离子体活化，用于低温粘结（熔融/分子和中间层粘结）
晶圆键合机制中**快的动力学
无需湿工艺
低温退火（**/高400°C）下的**/高粘结强度
适用于SOI，MEMS，化合物半导体和高级基板键合
高度的材料兼容性（包括CMOS） EVG键合机软件是基于Windows的图形用户界面的设计，注重用户友好性，可轻松引导操作员完成每个流程步骤。
临时键合系统
临时键合是为薄晶圆或超薄晶圆提供机械支撑的必不可少的过程，这对于3D IC，功率器件和FoWLP晶圆以及处理易碎基板（例如化合物半导体）非常重要。借助于中间临时键合粘合剂将器件晶片键合到载体晶片上，从而可以通过附加的机械支撑来处理通常易碎的器件晶片。在关键工艺之后，将晶片堆叠剥离。EVG出色的键合技术在其临时键合设备中得到了体现，该设备自2001年以来一直由该公司提供。包含型号：EVG805解键合系统；EVG820涂敷系统；EVG850TB临时键合系统；EVG850DB自动解键合系统。 EVG键合机支持全系列晶圆键合工艺，这对于当今和未来的器件制造是至关重要。广西键合机有谁在用
EVG键合机的特征有：压力高达100 kN、基底高达200mm、温度高达550°C、真空气压低至1·10-6 mbar。EVG805键合机美元报价
EVG键合机加工结果
除支持晶圆级和先进封装，3D互连和MEMS制造外，EVG500系列晶圆键合机（系统）还可用于研发，中试或批量生产。它们通过在高真空，精确控制的精/准的真空，温度或高压条件下键合来满足各种苛刻的应用。该系列拥有多种键合方法，包括阳极，热压缩，玻璃料，环氧树脂，UV和熔融键合。EVG500系列基于独特的模块化键合室设计，可实现从研发到大批量生产的简单技术转换。
模块设计
各种键合对准（对位）系统配置为各种MEMS和IC应用提供了多种优势。使用直接（实时）或间接对准方法可以支持大量不同的对准技术。 EVG805键合机美元报价
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