EVG ® 805解键合系统
用途：薄晶圆解键合
特色
技术数据
EVG805是半自动系统，用于剥离临时键合和加工过的晶圆叠层，该叠层由器件晶圆，载体晶圆和中间临时键合胶组成。该工具支持热剥离或机械剥离。可以将薄晶圆卸载到单个基板载体上，以在工具之间安全可靠地运输。
特征
开放式胶粘剂平台
解键合选项：
热滑解键合
解键合
机械解键合
程序控制系统
实时监控和记录所有相关过程参数
薄晶圆处理的独特功能
多种卡盘设计，可支撑**/大300 mm的晶圆/基板和载体
高形貌的晶圆处理
技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
晶片**/大300 mm
高达12英寸的薄膜
组态
1个解键合模块
选件
紫外线辅助解键合
高形貌的晶圆处理
不同基板尺寸的桥接能力 EVG的键合机设备占据了半自动和全自动晶圆键合机的主要市场份额，并且安装的机台已经超过1500套。广西键合机原理
EVG ® 620 BA键合机选件
自动对准
红外对准，用于内部基板键对准
NanoAlign ®包增强加工能力
可与系统机架一起使用
掩模对准器的升级可能性
技术数据
常规系统配置
桌面
系统机架：可选
隔振：被动
对准方法
背面对准：±2 µm 3σ
透明对准：±1 µm 3σ
红外校准：选件
对准阶段
精密千分尺：手动
可选：电动千分尺
楔形补偿：自动
基板/晶圆参数
尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米
厚度：0.1-10毫米
**/高堆叠高度：10毫米
自动对准
可选的
处理系统
标准：3个卡带站
可选：**多5个站 江西键合机现场服务对于无夹层键合工艺，材料和表面特征利于键合，但为了与夹层结合，键合材料沉积和组成决定了键合线的材质。
EVG ® 301技术数据
晶圆直径（基板尺寸）：200和100-300毫米
清洁系统
开室，旋转器和清洁臂
腔室：由PP或PFA制成（可选）
清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选）
旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成
旋转：**/高3000 rpm（5秒内）
超音速喷嘴
频率：1 MHz（3 MHz选件）
输出功率：30-60 W
去离子水流量：**/高1.5升/分钟
有效清洁区域：Ø4.0 mm
材质：聚四氟乙烯
兆声区域传感器
频率：1 MHz（3 MHz选件）
输出功率：**/大 2.5 W /cm²有效面积（**/大输出200 W）
去离子水流量：**/高1.5升/分钟
有效的清洁区域：三角形，确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性
材质：不锈钢和蓝宝石
刷子
材质：PVA
可编程参数：刷子和晶圆速度（rpm）
可调参数（刷压缩，介质分配）
EVG ® 810 LT技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
50-200、100-300毫米
LowTemp™等离子活化室
工艺气体：2种标准工艺气体（N 2和O 2）
通用质量流量控制器：自校准（高达20.000 sccm）
真空系统：9x10 -2 mbar
腔室的打开/关闭：自动化
腔室的加载/卸载：手动（将晶圆/基板放置在加载销上）
可选功能
卡盘适用于不同的晶圆尺寸
无金属离子活化
混合气体的其他工艺气体
带有涡轮泵的高真空系统：9x10 -3 mbar基本压力
符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统
Si：Si / Si，Si / Si（热氧化，Si（热氧化）/
Si（热氧化）
TEOS / TEOS（热氧化）
绝缘体锗（GeOI）的Si / Ge
Si/Si3N4
玻璃（无碱浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃
化合物半导体：GaAs，GaP，InP
聚合物：PMMA，环烯烃聚合物
用户可以使用上述和其他材料的“**/佳已知方法”配方（可根据要求提供完整列表）
EVG 晶圆键合机上的键合过程是怎么样的呢？
BONDSCALE™自动化生产熔融系统
启用3D集成以获得更多收益
特色
技术数据
EVG BONDSCALE™自动化生产熔融系统旨在满足广/泛的熔融/分子晶圆键合应用，包括工程化的基板制造和使用层转移处理的3D集成方法，例如单片3D（M3D）。借助BONDSCALE，EVG将晶片键合应用于前端半导体处理中，并帮助解决内部设备和系统路线图（IRDS）中确定的“超摩尔”逻辑器件扩展的长期挑战。结合增强的边缘对准技术，与现有的熔融键合平台相比，BONDSCALE**提高了晶圆键合生产率，并降低了拥有成本（CoO）。 EVG键合机的键合室配有通用键合盖，可快速排空，快速加热和冷却。吉林绝缘体上的硅键合机
键合机晶圆对准键合是晶圆级涂层，晶圆级封装，工程衬**造，晶圆级3D集成和晶圆减薄等应用很实用的技术。广西键合机原理
键合卡盘承载来自对准器对准的晶圆堆叠，以执行随后的键合过程。可以使用适合每个通用键合室的**卡盘来处理各种尺寸的晶圆和键合应用。
EVG®501 / EVG®510 / EVG®520 IS 是用于研发的键合机。
晶圆键合类型
■ 阳极键合
■ 黏合剂键合
■ 共熔键合
■ 瞬间液相键合
■ 热压键合
EVG键合机特征
■ 基底高达 200mm
■ 压力高达 100 kN
■ 温度高达 550°C
■ 真空气压低至 1·10-6 mbar
■ 可选：阳极，UV固化，650℃加热器
EVG键合机加工服务
EVG设备的晶圆加工服务包含如下：
■ 等离子活化直接键合
■ ComBond®
- 硅和化合物半导体的导电键合
■ 高真空对准键合
■ 临时键合和热、机械或者激光剖离
■ 混合键合
■ 黏合剂键合
■ 集体D2W键合 广西键合机原理
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