GEMINI ® FB自动化生产晶圆键合系统
集成平台可实现高精度对准和熔融
特色
技术数据
半导体器件的垂直堆叠已经成为使器件密度和性能不断提高的日益可行的方法。晶圆间键合是实现3D堆叠设备的重要工艺步骤。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系统扩展了当前标准，并结合了更高的生产率，更高的对准度和覆盖精度，适用于诸如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。该系统具有新的Smart View NT3键合对准器，该键合对准器是专门为<50 nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。 EVG键合机键合卡盘承载来自对准器对准的晶圆堆叠，用来执行随后的键合过程。进口键合机研发生产
Smart View NT键合机特征
适合于自动化和集成EVG键合系统（EVG560®，GEMINI ® 200和300mm配置）
用于3D互连，晶圆级封装和大批量MEMS器件的晶圆堆叠
通用键合对准器（面对面，背面，红外和透明对准）
无需Z轴运动，也无需重新聚焦
基于Windows的用户界面
将键对对准并夹紧，然后再装入键合室
手动或全自动配置（例如：在GEMINI系统上集成）
Smart View ® NT选件
可以与EVG组合® 500系列晶圆键合系统，EVG ® 300系列清洁系统和EVG ®有带盒对盒操作完全自动化的晶圆到晶圆对准动作EVG810 LT等离子体系统
技术数据
基板/晶圆参数
尺寸：150-200、200-300毫米
厚度：0.1-5毫米
**/高堆叠高度：10毫米
自动对准
标准
处理系统
3个纸盒站（**/大200毫米）或2个FOUP加载端口（300毫米） EVG810 LT键合机美元报价EVG®500系列UV键合模块-适用于GEMINI支持UV固化的粘合剂键合。
临时键合系统
临时键合是为薄晶圆或超薄晶圆提供机械支撑的必不可少的过程，这对于3D IC，功率器件和FoWLP晶圆以及处理易碎基板（例如化合物半导体）非常重要。借助于中间临时键合粘合剂将器件晶片键合到载体晶片上，从而可以通过附加的机械支撑来处理通常易碎的器件晶片。在关键工艺之后，将晶片堆叠剥离。EVG出色的键合技术在其临时键合设备中得到了体现，该设备自2001年以来一直由该公司提供。包含型号：EVG805解键合系统；EVG820涂敷系统；EVG850TB临时键合系统；EVG850DB自动解键合系统。
EVG ® 620 BA自动键合对准系统
用于晶圆间对准的自动键合对准系统，用于研究和试生产
特色
技术数据
EVG620键合对准系统以其高度的自动化和可靠性而闻名，专为**/大150 mm晶圆尺寸的晶圆间对准而设计。EV Group的键合对准系统具有**/高的精度，灵活性和易用性，以及模块化升级功能，并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。EVG的键对准系统的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中**苛刻的对准过程。
特征
**适合EVG ® 501，EVG ®
510和EVG ® 520是键合系统
支持**/大150 mm晶圆尺寸的双晶圆或三晶圆堆叠的键对准
手动或电动对准台
全电动高/分辨率底面显微镜
基于Windows的用户界面
在不同晶圆尺寸和不同键合应用之间快速更换工具 自动晶圆键合机系统EVG®560，拥有多达4个键合室，能满足各种键合操作；可以自动装卸键合室和冷却站。
根据型号和加热器尺寸，EVG500系列键合机可以用于碎片和50 mm至300 mm的晶圆。这些工具的灵活性非常适合中等批量生产、研发，并且可以通过简单的方法进行大批量生产，因为键合程序可以转移到EVG GEMINI大批量生产系统中。
键合室配有通用键合盖，可快速排空，快速加热和冷却。通过控制温度，压力，时间和气体，允许进行大多数键合过程。也可以通过添加电源来执行阳极键合。对于UV固化黏合剂，可选的键合室盖具有UV源。键合可在真空或受控气体条件下进行。顶部和底部晶片的**温度控制补偿了不同的热膨胀系数，从而实现无应力黏合和出色的温度均匀性。在不需要重新配置硬件的情况下，可以在真空下执行SOI / SDB（硅的直接键合）预键合。 EVG的键合机设备占据了半自动和全自动晶圆键合机的主要市场份额，并且安装的机台已经超过1500套。进口键合机研发生产
晶圆键合系统EVG501是适用于学术界和工业研究的多功能手动晶圆键合机。进口键合机研发生产
EVG ® 510键合机特征
独特的压力和温度均匀性
兼容EVG机械和光学对准器
灵活的设计和配置，用于研究和试生产
将单芯片形成晶圆
各种工艺（共晶，焊料，TLP，直接键合）
可选的涡轮泵（<1E-5 mbar）
可升级用于阳极键合
开室设计，易于转换和维护
生产兼容
高通量，具有快速加热和泵送规格
通过自动楔形补偿实现高产量
开室设计，可快速转换和维护
200 mm键合系统的**小占地面积：0.8
m 2
程序与EVG的大批量生产键合系统完全兼容
技术数据
**/大接触力
10、20、60 kN
加热器尺寸 150毫米 200毫米
**小基板尺寸 单芯片 100毫米
真空
标准：0.1毫巴
可选：1E-5 mbar
进口键合机研发生产
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