键合机相关图片
  • EVG850 TB键合机服务为先,键合机
  • EVG850 TB键合机服务为先,键合机
  • EVG850 TB键合机服务为先,键合机
键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

熔融和混合键合系统

熔融或直接晶圆键合可通过每个晶圆表面上的介电层永/久连接,该介电层用于工程衬底或层转移应用,例如背面照明的CMOS图像传感器。

混合键合扩展了与键合界面中嵌入的金属焊盘的熔融键合,从而允许晶片面对面连接。混合绑定的主要应用是高级3D设备堆叠。

EVG的熔融和混合键合设备包含:EVG301单晶圆清洗系统;EVG320自动化单晶圆清洗系统;EVG810 LT低温等离子激/活系统;EVG850 LT SOI和晶圆直接键合自动化生产键合系统;EVG850 SOI和晶圆直接键合自动化生产键合系统;GEMINI FB自动化生产晶圆键合系统;BONDSCALE自动化熔融键合生产系统。 根据键合机型号和加热器尺寸,EVG500系列键合机可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圆。EVG850 TB键合机服务为先

EVG850 TB键合机服务为先,键合机

GEMINI ® FB自动化生产晶圆键合系统

集成平台可实现高精度对准和熔融


特色

技术数据

半导体器件的垂直堆叠已经成为使器件密度和性能不断提高的日益可行的方法。晶圆间键合是实现3D堆叠设备的重要工艺步骤。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系统扩展了当前标准,并结合了更高的生产率,更高的对准度和覆盖精度,适用于诸如存储器堆叠,3D片上系统(SoC),背面照明CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。该系统具有新的Smart View NT3键合对准器,该键合对准器是专门为<50 nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。 吉林键合机可以试用吗同时,EVG研发生产的的GEMINI系统是使用晶圆键合的量产应用的行业标准。

EVG850 TB键合机服务为先,键合机

    Co mBond自动化的高真空晶圆键合系统,高真空晶圆键合平台促进“任何物上的任何东西”的共价键合特色技术数据,EVGCo mBond高真空晶圆键合平台标志着EVG独特的晶圆键合设备和技术产品组合中的一个新里程碑,可满足市场对更复杂的集成工艺的需求Co mBond支持的应用领域包括先进的工程衬底,堆叠的太阳能电池和功率器件到**MEMS封装,高性能逻辑和“beyondCMOS”器件Co mBond系统的模块化集群设计提供了高度灵活的平台,可以针对研发和高通量,大批量制造环境中的各种苛刻的客户需求量身定制Co mBond促进了具有不同晶格常数和热膨胀系数(CTE)的异质材料的键合,并通过其独特的氧化物去除工艺促进了导电键界面的形成Co mBond高真空技术还可以实现铝等金属的低温键合,这些金属在周围环境中会迅速重新氧化。对于所有材料组合,都可以实现无空隙和无颗粒的键合界面以及出色的键合强度。

BONDSCALE与EVG的行业基准GEMINI FB XT自动熔融系统一起出售,每个平台针对不同的应用。虽然BONDSCALE将主要专注于工程化的基板键合和层转移处理,但GEMINI FB XT将支持要求更高对准精度的应用,例如存储器堆叠,3D片上系统(SoC),背面照明的CMOS图像传感器堆叠以及管芯分区。


特征

在单个平台上的200 mm和300

mm基板上的全自动熔融/分子晶圆键合应用

通过等离子活化的直接晶圆键合,可实现不同材料,高质量工程衬底以及薄硅层转移应用的异质集成

支持逻辑缩放,3D集成(例如M3),3D VLSI(包括背面电源分配),N&P堆栈,内存逻辑,集群功能堆栈以及超越CMOS的采用的层转移工艺和工程衬底


BONDSCALE™自动化生产熔融系统的技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

200、300毫米

**/高 数量或过程模块

8

通量

每小时**多40个晶圆


处理系统

4个装载口

特征

多达八个预处理模块,例如清洁模块,LowTemp™等离子活化模块,对准验证模块和解键合模块

XT框架概念通过EFEM(设备前端模块)实现**/高吞吐量

光学边缘对准模块:Xmax / Ymax = 18 µm 3σ 以上应用工艺也让MEMS器件,RF滤波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS图像传感器)的生产迅速增长。

EVG850 TB键合机服务为先,键合机

EVG ® 850 LT

特征

利用EVG的LowTemp™等离子激/活技术进行SOI和直接晶圆键合

适用于各种熔融/分子晶圆键合应用

生产系统可在高通量,高产量环境中运行

盒到盒的自动操作(错误加载,SMIF或FOUP)

无污染的背面处理

超音速和/或刷子清洁

机械平整或缺口对准的预键合

先进的远程诊断


技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

100-200、150-300毫米

全自动盒带到盒带操作

预键合室

对准类型:平面到平面或凹口到凹口

对准精度:X和Y:±50 µm,θ:±0.1°

结合力:**/高5 N

键合波起始位置:从晶圆边缘到中心灵活

真空系统:9x10 -2 mbar(标准)和9x10 -3 mbar(涡轮泵选件) 对于无夹层键合工艺,材料和表面特征利于键合,但为了与夹层结合,键合材料沉积和组成决定了键合线的材质。微流控键合机服务为先

晶圆键合机(系统)EVG®510 ,拥有150、200mm晶圆单腔系统 ;拥有EVG®501 键合机所有功能。EVG850 TB键合机服务为先

EVG ® 320自动化单晶圆清洗系统

用途:自动单晶片清洗系统,可有效去除颗粒


特色

技术数据

EVG320自动化单晶圆清洗系统可在处理站之间自动处理晶圆和基板。机械手处理系统可确保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自动预对准和装载晶圆。除了使用去离子水冲洗外,配置选项还包括兆频,刷子和稀释的化学药品清洗。


特征

多达四个清洁站

全自动盒带间或FOUP到FOUP处理

可进行双面清洁的边缘处理(可选)

使用1 MHz的超音速喷嘴或区域传感器(可选)进行高/效清洁

先进的远程诊断

防止从背面到正面的交叉污染

完全由软件控制的清洁过程 EVG850 TB键合机服务为先

岱美仪器技术服务(上海)有限公司致力于仪器仪表,以科技创新实现***管理的追求。岱美中国深耕行业多年,始终以客户的需求为向导,为客户提供***的[ "半导体工艺设备", "半导体测量设备", "光刻机 键合机", "膜厚测量仪" ]。公司坚持以技术创新为发展引擎,以客户满意为动力,目前拥有11~50人专业人员,年营业额达到100-200万元。岱美中国始终关注自身,在风云变化的时代,我们对自身的建设毫不懈怠,高度的专注与执着使我们在行业的从容而自信。

与键合机相关的**
信息来源于互联网 本站不为信息真实性负责