键合卡盘承载来自对准器对准的晶圆堆叠，以执行随后的键合过程。可以使用适合每个通用键合室的**卡盘来处理各种尺寸的晶圆和键合应用。
EVG®501 / EVG®510 / EVG®520 IS 是用于研发的键合机。
晶圆键合类型
■ 阳极键合
■ 黏合剂键合
■ 共熔键合
■ 瞬间液相键合
■ 热压键合
EVG键合机特征
■ 基底高达 200mm
■ 压力高达 100 kN
■ 温度高达 550°C
■ 真空气压低至 1·10-6 mbar
■ 可选：阳极，UV固化，650℃加热器
EVG键合机加工服务
EVG设备的晶圆加工服务包含如下：
■ 等离子活化直接键合
■ ComBond®
- 硅和化合物半导体的导电键合
■ 高真空对准键合
■ 临时键合和热、机械或者激光剖离
■ 混合键合
■ 黏合剂键合
■ 集体D2W键合 以上应用工艺也让MEMS器件，RF滤波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS图像传感器）的生产迅速增长。河南键合机有哪些品牌
EVG ® 810 LT
LowTemp™等离子激/活系统
适用于SOI，MEMS，化合物半导体和先进基板键合的低温等离子体活化系统
特色
技术数据
EVG810 LT LowTemp™等离子活化系统是具有手动操作的单腔**单元。处理室允许进行异位处理（晶圆被一一激/活并结合在等离子体激/活室外部）。
特征
表面等离子体活化，用于低温粘结（熔融/分子和中间层粘结）
晶圆键合机制中**快的动力学
无需湿工艺
低温退火（**/高400°C）下的**/高粘结强度
适用于SOI，MEMS，化合物半导体和高级基板键合
高度的材料兼容性（包括CMOS） 重庆键合机供应商家EVG键合机也可以通过添加电源来执行阳极键合。对于UV固化的黏合剂，可选的键合室盖里具有UV源。
EVG ® 850 LT SOI和直接晶圆键合的自动化生产键合系统
用途：自动化生产键合系统，适用于多种熔融/分子晶圆键合应用
特色
技术数据
晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成的一项关键技术。借助用于机械对准SOI的EVG850 LT自动化生产键合系统以及具有LowTemp™等离子活化的直接晶圆键合，熔融了熔融的所有基本步骤-从清洁，等离子活化和对准到预键合和IR检查-。因此，经过实践检验的行业标准EVG850
LT确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量，高产量生产工艺。
对准晶圆键合是晶圆级涂层，晶圆级封装，工程衬**造，晶圆级3D集成和晶圆减薄方面很有用的技术。反过来，这些工艺也让MEMS器件，RF滤波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS图像传感器）的生产迅速增长。这些工艺也能用于制造工程衬底，例如SOI（绝缘体上硅）。
主流键合工艺为：黏合剂，阳极，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬态液相）和金属扩散/热压缩。采用哪种键合工艺取决于应用。EVG500系列可灵活配置选择以上的所有工艺。
键合机厂家EVG拥有超过25年的晶圆键合机制造经验，拥有累计2000多年晶圆键合经验的员工。同时，EVG的GEMINI是使用晶圆键合的HVM的行业标准。 EVG键合机可以使用适合每个通用键合室的**卡盘来处理各种尺寸晶圆和键合工艺。
EVG ® 810 LT技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
50-200、100-300毫米
LowTemp™等离子活化室
工艺气体：2种标准工艺气体（N 2和O 2）
通用质量流量控制器：自校准（高达20.000 sccm）
真空系统：9x10 -2 mbar
腔室的打开/关闭：自动化
腔室的加载/卸载：手动（将晶圆/基板放置在加载销上）
可选功能
卡盘适用于不同的晶圆尺寸
无金属离子活化
混合气体的其他工艺气体
带有涡轮泵的高真空系统：9x10 -3 mbar基本压力
符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统
Si：Si / Si，Si / Si（热氧化，Si（热氧化）/
Si（热氧化）
TEOS / TEOS（热氧化）
绝缘体锗（GeOI）的Si / Ge
Si/Si3N4
玻璃（无碱浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃
化合物半导体：GaAs，GaP，InP
聚合物：PMMA，环烯烃聚合物
用户可以使用上述和其他材料的“**/佳已知方法”配方（可根据要求提供完整列表）
EVG键合机通过在高真空，精确控制的真空、温度或高压条件下键合，可以满足各种苛刻的应用。解键合键合机试用
晶圆键合机（系统）EVG®510 ，拥有150、200mm晶圆单腔系统 ；拥有EVG®501 键合机所有功能。河南键合机有哪些品牌
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