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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

EVG键合机加工结果

除支持晶圆级和先进封装,3D互连和MEMS制造外,EVG500系列晶圆键合机(系统)还可用于研发,中试或批量生产。它们通过在高真空,精确控制的精/准的真空,温度或高压条件下键合来满足各种苛刻的应用。该系列拥有多种键合方法,包括阳极,热压缩,玻璃料,环氧树脂,UV和熔融键合。EVG500系列基于独特的模块化键合室设计,可实现从研发到大批量生产的简单技术转换。

模块设计

各种键合对准(对位)系统配置为各种MEMS和IC应用提供了多种优势。使用直接(实时)或间接对准方法可以支持大量不同的对准技术。 在不需重新配置硬件的情况下,EVG键合机可以在真空下执行SOI / SDB(硅的直接键合)预键合。GEMINI键合机有谁在用

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键合机特征

高真空,对准,共价键合

在高真空环境(<5·10 -8 mbar)中进行处理

原位亚微米面对面对准精度

高真空MEMS和光学器件封装原位表面和原生氧化物去除

优异的表面性能

导电键合

室温过程

多种材料组合,包括金属(铝)

无应力键合界面

高键合强度

用于HVM和R&D的模块化系统


多达六个模块的灵活配置

基板尺寸**/大为200毫米

完全自动化


技术数据

真空度

处理:<7E-8 mbar

处理:<5E-8毫巴

集群配置

处理模块:**小 3个,**/大 6个

加载:手动,卡带,EFEM

可选的过程模块:

键合模块

ComBond ®激/活模块(CAM)

烘烤模块

真空对准模块(VAM)

晶圆直径


高达200毫米


**键合机有哪些品牌GEMINI FB XT采用了新的Smart View NT3键合对准器,是专门为<50 nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。

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对准晶圆键合是晶圆级涂层,晶圆级封装,工程衬底制造,晶圆级3D集成和晶圆减薄方面很有用的技术。反过来,这些工艺也让MEMS器件,RF滤波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS图像传感器)的生产迅速增长。这些工艺也能用于制造工程衬底,例如SOI(绝缘体上硅)。

主流键合工艺为:黏合剂,阳极,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬态液相)和金属扩散/热压缩。采用哪种键合工艺取决于应用。EVG500系列可灵活配置选择以上的所有工艺。

键合机厂家EVG拥有超过25年的晶圆键合机制造经验,拥有累计2000多年晶圆键合经验的员工。同时,EVG的GEMINI是使用晶圆键合的HVM的行业标准。

熔融和混合键合系统

熔融或直接晶圆键合可通过每个晶圆表面上的介电层永/久连接,该介电层用于工程衬底或层转移应用,例如背面照明的CMOS图像传感器。

混合键合扩展了与键合界面中嵌入的金属焊盘的熔融键合,从而允许晶片面对面连接。混合绑定的主要应用是高级3D设备堆叠。

EVG的熔融和混合键合设备包含:EVG301单晶圆清洗系统;EVG320自动化单晶圆清洗系统;EVG810 LT低温等离子激/活系统;EVG850 LT SOI和晶圆直接键合自动化生产键合系统;EVG850 SOI和晶圆直接键合自动化生产键合系统;GEMINI FB自动化生产晶圆键合系统;BONDSCALE自动化熔融键合生产系统。 针对高级封装,MEMS,3D集成等不同市场需求,EVG优化了用于对准的多个键合模块。

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键合对准机系统

1985年,随着世界上第/一个双面对准系统的发明,EVG革新了MEMS技术,并通过分离对准和键合工艺在对准晶圆键合方面树立了全球行业标准。这种分离导致晶圆键合设备具有更高的灵活性和通用性。EVG的键合对准系统提供了**/高的精度,灵活性和易用性以及模块化升级功能,并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。EVG键对准器的精度可满足**苛刻的对准过程。包含以下的型号:EVG610 BA键合对准系统;EVG620 BA键合对准系统;EVG6200 BA键合对准系统;Smart View NT键合对准系统; 晶圆键合系统EVG501是适用于学术界和工业研究的多功能手动晶圆键合机。GEMINI键合机试用

LowTemp™等离子激/活模块-适用于GEMINI和GEMINI FB等离子激/活,用于PAWB(等离子激/活的晶圆键合)。GEMINI键合机有谁在用

EVG ® 820层压系统

将任何类型的干胶膜(胶带)自动无应力层压到晶圆上

特色

技术数据

EVG820层压站用于将任何类型的干胶膜自动,无应力地层压到载体晶片上。这项独特的层压技术可对卷筒上的胶带进行打孔,然后将其对齐并层压到晶圆上。该材料通常是双面胶带。利用冲压技术,可以自由选择胶带的尺寸和尺寸,并且与基材无关。


特征

将任何类型的干胶膜自动,无应力和无空隙地层压到载体晶片上  

在载体晶片上精确对准的层压

保护套剥离

干膜层压站可被集成到一个EVG ® 850 TB临时键合系统

技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

高达300毫米

组态

1个打孔单元

底侧保护衬套剥离

层压

选件

顶侧保护膜剥离

光学对准


加热层压


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