EVG ® 510键合机特征
独特的压力和温度均匀性
兼容EVG机械和光学对准器
灵活的设计和配置，用于研究和试生产
将单芯片形成晶圆
各种工艺（共晶，焊料，TLP，直接键合）
可选的涡轮泵（<1E-5 mbar）
可升级用于阳极键合
开室设计，易于转换和维护
生产兼容
高通量，具有快速加热和泵送规格
通过自动楔形补偿实现高产量
开室设计，可快速转换和维护
200 mm键合系统的**小占地面积：0.8
m 2
程序与EVG的大批量生产键合系统完全兼容
技术数据
**/大接触力
10、20、60 kN
加热器尺寸 150毫米 200毫米
**小基板尺寸 单芯片 100毫米
真空
标准：0.1毫巴
可选：1E-5 mbar
旋涂模块-适用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圆键合之前施加粘合剂层。EVG810 LT键合机联系电话
键合对准机系统
1985年，随着世界上第/一个双面对准系统的发明，EVG革新了MEMS技术，并通过分离对准和键合工艺在对准晶圆键合方面树立了全球行业标准。这种分离导致晶圆键合设备具有更高的灵活性和通用性。EVG的键合对准系统提供了**/高的精度，灵活性和易用性以及模块化升级功能，并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。EVG键对准器的精度可满足**苛刻的对准过程。包含以下的型号：EVG610 BA键合对准系统；EVG620 BA键合对准系统；EVG6200 BA键合对准系统；Smart View NT键合对准系统； 中国香港键合机质保期多久EVG501 晶圆键合机（系统）：真正的低强度晶圆楔形补偿系统，可实现**/高产量；研发和试生产的**/低 购置成本。
Smart View ® NT自动键合对准系统，用于通用对准。
全自动键合对准系统，采用微米级面对面晶圆对准的专有方法进行通用对准
特色
技术数据
用于通用对准的Smart View NT自动键合对准系统提供了微米级面对面晶圆级对准的专有方法。这种对准技术对于在**技术的多个晶圆堆叠中达到所需的精度至关重要。Smart View技术可以与GEMINI晶圆键合系统结合使用，以在随后的全自动平台上进行永/久键合。
特征
适合于自动化和集成EVG键合系统（EVG560®，GEMINI ® 200和300mm配置）
用于3D互连，晶圆级封装和大批量MEMS器件的晶圆堆叠
EVG ® 850 LT 的LowTemp™等离子激/活模块
2种标准工艺气体：N 2和O 2以及2种其他工艺气体：高纯度气体（99.999％），稀有气体（Ar，He，Ne等）和形成气体（N 2，Ar含量**/高为4％的气体）2）
通用质量流量控制器：**多可对4种工艺气体进行自校准，可对配方进行编程，流速**/高可达到20.000 sccm
真空系统：9x10 -2 mbar（标准）和9x10 -3 mbar（涡轮泵选件），高频RF发生器和匹配单元
清洁站
清洁方式：冲洗（标准），超音速喷嘴，超音速面积传感器，喷嘴，刷子（可选）
腔室：由PP或PFA制成
清洁介质：去离子水（标准），NH 4 OH和H 2 O 2（**/大）。2％浓度（可选）
旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成
旋转：**/高3000 rpm（5 s）
清洁臂：**多5条介质线（1个超音速系统使用2条线）
可选功能
ISO 3 mini-environment（根据ISO 14644）
LowTemp™等离子活化室
红外检查站 EVG键合机可配置为黏合剂，阳极，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬态液相）和金属扩散/热压缩工艺。
EVG ® 850 TB 临时键合机特征
开放式胶粘剂平台
各种载体（硅，玻璃，蓝宝石等）
适用于不同基板尺寸的桥接工具功能
提供多种装载端口选项和组合
程序控制系统
实时监控和记录所有相关过程参数
完全集成的SECS / GEM接口
可选的集成在线计量模块，用于自动反馈回路
技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
**长300毫米，可能有超大的托架
不同的基材/载体组合
组态
外套模块
带有多个热板的烘烤模块
通过光学或机械对准来对准模块
键合模块
选件
在线计量
ID阅读
高形貌的晶圆处理
翘曲的晶圆处理 EVG®500系列键合模块-适用于GEMINI，支持除紫外线固化胶以外的所有主流键合工艺。EVG810 LT键合机联系电话
对于无夹层键合工艺，材料和表面特征利于键合，但为了与夹层结合，键合材料沉积和组成决定了键合线的材质。EVG810 LT键合机联系电话
EVG ® 820层压系统
将任何类型的干胶膜（胶带）自动无应力层压到晶圆上
特色
技术数据
EVG820层压站用于将任何类型的干胶膜自动，无应力地层压到载体晶片上。这项独特的层压技术可对卷筒上的胶带进行打孔，然后将其对齐并层压到晶圆上。该材料通常是双面胶带。利用冲压技术，可以自由选择胶带的尺寸和尺寸，并且与基材无关。
特征
将任何类型的干胶膜自动，无应力和无空隙地层压到载体晶片上
在载体晶片上精确对准的层压
保护套剥离
干膜层压站可被集成到一个EVG ® 850 TB临时键合系统
技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
高达300毫米
组态
1个打孔单元
底侧保护衬套剥离
层压
选件
顶侧保护膜剥离
光学对准
加热层压
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